[發(fā)明專利]用于光調(diào)制顯示器的薄膜堆疊有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380056880.8 | 申請日: | 2013-10-23 |
| 公開(公告)號: | CN104769462A | 公開(公告)日: | 2015-07-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 吉安·J·馬;約翰·H·宏;泰里斯·Y·江;忠·U·李 | 申請(專利權)人: | 皮克斯特隆尼斯有限公司 |
| 主分類號: | G02B5/22 | 分類號: | G02B5/22;G02B26/00 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 林斯凱 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 調(diào)制 顯示器 薄膜 堆疊 | ||
1.一種裝置,其包括
襯底層,其鄰近光源而安置且具有
允許光穿過所述襯底層的孔口,及
吸收膜堆疊,其包含:
光反射材料層,
光吸收材料層,其安置于所述光反射材料層上且與所述光反射材料層間隔固定距離,及
干涉吸收膜堆疊,包含:
具有第一折射率的介電材料層及具有第二折射率的介電材料層,
所述介電材料層的厚度經(jīng)選擇以引起從所述干涉吸收膜堆疊反射的光干擾入射在所述干涉吸收膜堆疊上的光且使具有峰值振幅的干擾駐波出現(xiàn)在所述光吸收材料層處。
2.根據(jù)權利要求1所述的裝置,其中具有第一折射率的所述介電材料層及具有第二折射率的所述介電材料層經(jīng)選擇以減少以與正交于所述干涉吸收膜堆疊的表面的軸成0°與50°之間的角度入射的光的反射。
3.根據(jù)權利要求1所述的裝置,其中所述固定距離將所述吸收材料層布置于所述吸收膜堆疊中的所述干擾駐波的實質(zhì)上峰值振幅的位置處。
4.根據(jù)權利要求1所述的裝置,進一步包含安置于所述光反射材料層與所述吸收材料層之間的透射材料間隔層。
5.根據(jù)權利要求4所述的裝置,其中所述間隔層具有使所述吸收層與所述光反射材料層間隔所述固定距離的厚度。
6.根據(jù)權利要求1所述的裝置,其中所述光反射材料層包含在可見光的光譜中具有大于70%的反射比的金屬層。
7.根據(jù)權利要求1所述的裝置,其中所述光反射材料層包含選自鋁Al、鉻Cr、鉬Mo、鎳Ni、鉭Ta及銀Ag的群組的層。
8.根據(jù)權利要求1所述的裝置,進一步包括安置于所述干涉吸收膜堆疊上的透明導電層。
9.根據(jù)權利要求1所述的裝置,進一步包括安置于所述光反射材料層的與所述光吸收材料相對的表面上的反射性膜。
10.根據(jù)權利要求9所述的裝置,其中所述反射性膜包含具有具第一折射率的第一材料及具第二折射率的第二材料的介電薄膜堆疊,所述第一材料及所述第二材料具有來自所述光源的光的波長的約四分之一的相應厚度。
11.根據(jù)權利要求1所述的裝置,進一步包括安置于所述干涉吸收膜堆疊上方的流體層。
12.根據(jù)權利要求1所述的裝置,其中所述光源包含發(fā)射分別以色彩紅色、綠色及藍色RGB居中的不同波長光譜處的光的一光源或多個光源。
13.根據(jù)權利要求12所述的裝置,其中具有第一折射率的所述介電材料層具有約34nm的厚度且具有第二折射率的所述介電材料層具有約15nm的厚度。
14.根據(jù)權利要求1所述的裝置,其中具有第一折射率的所述介電材料層包含二氧化硅SiO2且具有第二折射率的所述介電材料層包含二氧化鈦TiO2。
15.根據(jù)權利要求1所述的裝置,其中所述襯底層包含用于阻斷來自所述孔口的光或使所述光通過的可移動快門。
16.根據(jù)權利要求1所述的裝置,進一步包括:
經(jīng)配置以與所述顯示器通信的處理器,所述處理器經(jīng)配置以處理圖像數(shù)據(jù);及
經(jīng)配置以與所述處理器通信的存儲器裝置。
17.根據(jù)權利要求16所述的裝置,進一步包括:
驅(qū)動器電路,其經(jīng)配置以將至少一信號發(fā)送到所述顯示器;及
控制器,其經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)的至少一部分發(fā)送到所述驅(qū)動器電路。
18.根據(jù)權利要求16所述的裝置,進一步包括:
圖像源模塊,其經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)發(fā)送到所述處理器,其中所述圖像源模塊包括接收器、收發(fā)器及發(fā)射器中的至少一者。
19.根據(jù)權利要求16所述的裝置,進一步包括:
輸入裝置,其經(jīng)配置以接收輸入數(shù)據(jù)且將所述輸入數(shù)據(jù)傳達到所述處理器。
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