[發明專利]清洗室及具有清洗室的基板處理裝置

在審

• 申請號: 201380056780.5
• 申請日: 2013-11-01
• 公開（公告）號: CN104756242A
• 公開（公告）日: 2015-07-01
• 發明（設計）人: 梁日光;宋炳奎;金勁勛;金龍基;申良湜
• 申請（專利權）人: 株式會社EUGENE科技
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677;H01L21/02
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 王小東

技術領域

在此公開的本發明涉及一種基板處理裝置以及清洗室，尤其涉及一種用于去除基板上存留的污物的裝置，該過程通過使用布置在輸送室的一個側面上的清洗室通過預定過程來處理。

背景技術

通常來說，在半導體裝置制造過程中，例如沉積處理、光微影處理、蝕刻處理、離子噴射處理、研磨處理、清潔處理等等單元處理可在用作基板的硅基板上重復執行，以便形成具有所需電氣特性的電路模式。在使用二氯硅烷(SiCl₂H₂)處理來沉積基板的情況下，化學反應可能會如下進行：

(SiH₂Cl₂+2N₂O→SiO₂+2N↑+2HCl)------反應方程式(1)

如反應式(1)中所示，在基板上形成二氧化硅(SiO2)層并在該基板上執行二氯硅烷(SiCl₂H₂:DCS)以及一氧化二氮(2N₂O)的沉積處理。另一方面，當在基板表面上所吸收的HCl被輸送至裝備前端模塊(EFEM)時，該HCl與該EFEM內的水汽反應而產生鹽酸。因此，鹽酸會腐蝕EFEM內的金屬。尤其是，在單晶圓型處理逐一清潔該基板的情況中，相比于分批式處理，該處理可以迅速地執行。因此，從基板產生的腐蝕氣體(例如HCl)的殘留量增加，從而明顯腐蝕周邊部件和裝置。

同樣，如果基板(在該基板上執行沉積過程)的煙氣進入容納有多個基板的容納容器中而未被去除，則該煙氣會被輸送至容納容器內的其它基板，從而導致該基板遭到污染。

發明內容

技術問題

本發明提供一種用于將處理基板輸送到清洗室中以便去除煙氣的裝置。

本發明還提供了一種去除處理基板所產生的煙氣以避免周邊設備遭到腐蝕的裝置。

參照下列詳細說明及附圖，本發明的另一個目的將變得明顯。

技術方案

本發明的實施方式提供了基板處理裝置，所述基板處理裝置包括：處理室，在所述處理室中執行用于處理基板的過程；清洗室，所述清洗室用于去除所述基板上存留的污物；以及輸送室，所述輸送室連接至所述處理室以及所述清洗室中的每個的側表面，所述輸送室包括基板操作器，該基板操作器在所述處理室與所述清洗室之間將進行了所述處理的所述基板輸送至所述清洗室，其中所述清洗室包括：腔室，所述腔室具有內部空間，以及供所述基板進出所述內部空間的通道；基板夾持裝置，在所述基板夾持裝置上放置所述基板，所述基板夾持裝置被布置在所述腔室內；氣體供應口，所述氣體供應口以所述通道為基準被布置在側表面上，以便向所述內部空間供應氣體；以及排放口，所述排放口被布置在與所述氣體供應口相對的一側，以便排放所述內部空間中的所述氣體。

在一些實施方式中，所述清洗室可進一步包括被布置在所述腔室的側壁上的至少一個擴散板，所述至少一個擴散板連接至所述氣體供應口，以便使通過所述氣體供應口供應的所述氣體擴散。

在其他實施方式中，所述基板夾持裝置可包括：一個或多個加載板，所述一個或多個加載板具有形狀對應于所述基板形狀的開口、限定在所述通道一個側面內以與所述開口連通的開口部，以及座溝槽，所述座溝槽沿著所述開口的周邊被限定，其中所述一個或多個加載板彼此垂直堆疊；以及夾持裝置蓋，所述夾持裝置蓋被布置為從所述加載板向上間隔開，所述夾持裝置蓋豎直地分割所述內部空間。

在又一個實施方式中，所述基板夾持裝置可包括：上框架，所述上框架被布置在所述基板上方；下框架，所述下框架被布置在所述基板下方；以及至少一個支撐桿，所述支撐桿將所述上框架連接至所述下框架，所述至少一個支撐桿具有沿其長度方向限定的多個支撐槽，在所述多個支撐槽中容納有所述基板的邊緣。

在另一個實施方式中，所述清洗室可進一步包括布置在所述腔室的側壁上的至少一個隔板，所述排放口連接至所述至少一個隔板，以便排出所述內部空間中的氣體。

在又一個實施方式中，所述氣體可具有與所述基板的進入方向垂直的流動方向。

在另一個實施方式中，所述氣體可包括惰性氣體。

在又一個實施方式中，所述清洗室可進一步包括其中供應有制冷劑的制冷劑通道。