[發明專利]具有數據保留分區的閃速存儲器

有效

• 申請號: 201380055341.2
• 申請日: 2013-10-15
• 公開（公告）號: CN104769678B
• 公開（公告）日: 2019-10-01
• 發明（設計）人: N.N.揚;C.N.Y.阿維拉;S.T.斯普勞斯
• 申請（專利權）人: 桑迪士克科技有限責任公司
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04;G11C16/34
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 萬里晴

1.一種NAND閃速存儲器裸芯，包括：

第一多個連續的字線，所述第一多個連續的字線的每一個包括第一多個閃速存儲器單元，所述第一多個閃速存儲器單元的每一個具有第一電荷存儲元件，所述第一電荷存儲元件包括第一物理大小的電荷存儲元件；以及

第二多個連續的字線，所述第二多個連續的字線的每一個包括第二多個閃速存儲器單元，所述第二多個閃速存儲器單元的每一個具有第二電荷存儲元件，所述第二電荷存儲元件包括第二物理大小的電荷存儲元件，所述第二物理大小大于所述第一物理大小。

2.如權利要求1所述的NAND閃速存儲器裸芯，其中，所述第一電荷存儲元件具有沿位線方向的第一尺寸，并且所述第二電荷存儲元件具有沿所述位線方向的第二尺寸，所述第二尺寸大于所述第一尺寸。

3.如權利要求2所述的NAND閃速存儲器裸芯，其中，所述第一尺寸等于用于形成所述NAND閃速存儲器裸芯的圖案化工藝的最小特征大小。

4.如權利要求3所述的NAND閃速存儲器裸芯，其中，所述第一電荷存儲元件和所述第二電荷存儲元件具有沿字線方向的第三尺寸。

5.如權利要求4所述的NAND閃速存儲器裸芯，其中，所述第一多個閃速存儲器單元與所述第二多個閃速存儲器單元共享多個位線。

6.如權利要求2所述的NAND閃速存儲器裸芯，其中，所述第一多個連續的字線具有等于所述第一尺寸的第一寬度，且所述第二多個連續的字線具有等于所述第二尺寸的第二寬度。

7.一種操作NAND閃速存儲器裸芯的方法，包括：

根據至少一個數據屬性識別將被存儲在NAND閃速存儲器陣列中的數據；

將具有第一數據屬性的第一數據存儲在第一多個連續的字線中，所述第一多個連續的字線的每一個包括第一多個NAND閃速存儲器單元，所述第一多個NAND閃速存儲器單元的每一個具有第一大小的第一電荷存儲元件；以及

將具有第二數據屬性的第二數據存儲在第二多個連續的字線中，所述第二多個連續的字線的每一個包括第二多個NAND閃速存儲器單元，所述第二多個NAND閃速存儲器單元的每一個具有第二大小的第二電荷存儲元件，所述第二大小大于所述第一大小。

8.如權利要求7所述的方法，其中，所述第一數據屬性是所述第一數據不被頻繁地重新寫入并且所述第二數據屬性是所述第二數據被頻繁地重新寫入。

9.如權利要求8所述的方法，其中，當所述第二數據包括如下數據管理信息時所述第二數據被識別為頻繁地寫入，所述數據管理信息包含FAT、目錄或者邏輯到物理的映射信息。

10.如權利要求7所述的方法，其中，所述第一數據屬性是所述第一數據不被希望長時期存儲并且所述第二數據屬性是所述第二數據被期望長時期存儲。

11.如權利要求10所述的方法，其中，當所述第二數據包括引導頁、文件系統或者固件數據時所述第二數據被識別為被期望長時期存儲。

12.如權利要求7所述的方法，其中，具有所述第一數據屬性的所述第一數據被識別為不重要的，并且具有所述第二數據屬性的所述第二數據被識別為重要的。

13.一種形成NAND閃速存儲器裸芯的方法，包括：

形成第一多個連續的字線，所述第一多個連續的字線的每一個包括第一多個閃速存儲器單元，所述第一多個閃速存儲器單元的每一個具有第一物理大小的第一電荷存儲元件；以及

形成第二多個連續的字線，所述第二多個連續的字線的每一個包括第二多個閃速存儲器單元，所述第二多個閃速存儲器單元的每一個具有第二物理大小的第二電荷存儲元件，所述第二物理大小大于所述第一物理大小。