[發明專利]波長轉換材料沉積方法及相關制品有效
| 申請號: | 201380055283.3 | 申請日: | 2013-08-23 |
| 公開(公告)號: | CN104756226B | 公開(公告)日: | 2020-01-03 |
| 發明(設計)人: | 哈里斯·米勒;斯科特·W·鄧肯;布達迪普塔·丹 | 申請(專利權)人: | 發光裝置公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 11227 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人: | 蔡勝有;鄭毅 |
| 地址: | 美國馬*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 波長 轉換 材料 沉積 方法 相關 制品 | ||
提供了涉及包含波長轉換材料的區的布置的系統和方法以及相關制品。通常發光二極管(LED)能夠以比白熾燈和/或熒光燈光源更有效的方式提供光。與LED相關聯的相對高的功率效率引發了在各種照明應用中使用LED取代傳統光源的興趣。
技術領域
本發明一般性描述了涉及波長轉換材料的布置的系統和方法以及相關制品。
背景技術
通常發光二極管(LED)能夠以比白熾燈和/或熒光燈光源更有效的方式提供光。與LED相關聯的相對高的功率效率引發了在各種照明應用中使用LED取代傳統光源的興趣。例如,在一些情況下LED被用作交通燈以及用于照亮手機鍵盤和顯示器。
通常,LED由多個層形成,其中所述多個層中的至少一些層由不同的材料形成。通常,針對各層所選擇的材料和厚度影響由LED發射的光的一個或更多個波長。另外,可以選擇各層的化學組成以促進注入到各區(例如,量子阱)中的電荷載流子的隔離,從而相對有效地轉換為光。通常,其中生長有量子阱的結的一側上的各層摻雜有產生高電子濃度的施主原子(這樣的層通常被稱為n型層),并且在相對側上的各層摻雜有產生相對高的空穴濃度的受主原子(這樣的層通常被稱為p型層)。
通常LED還包括接觸結構(也被稱為電接觸結構或電極),接觸結構是可以被電連接至電源的器件的導電特征。電源可以通過接觸結構向器件提供電流。例如,接觸結構可以沿結構的縱向(lengths)輸送電流至其內部可以生成光的器件的表面。
發光器件還可以包括波長轉換區,例如,波長轉換區可以包括一種或更多種磷光體材料。波長轉換材料(例如,磷光體)可以以例如分散在第二材料(例如,密封劑或粘合劑如環氧樹脂)中的顆粒的形式以形成復合結構。包括波長轉換材料的區能夠吸收來自光生成區(例如,在LED內的半導體區)的具有第一波長的光并且發射具有不同的第二波長的光。因此,結合波長轉換區的發光器件可以發射具有一個或更多個波長的光,而所述具有一個或更多個波長的光可能無法通過使用沒有這樣的區的LED產生。
發明內容
提供了涉及包含波長轉換材料的區的布置的系統和方法以及相關制品。在一些情況下,本發明的主題涉及相關的產品、對于具體問題的可替代的解決方案、和/或一個或更多個系統和/或制品的多個不同的用途。
在一個方面中,描述了一種方法。在某些實施方案中,該方法包括提供在其上方設置有掩模材料和波長轉換材料的基底,其中:掩模材料覆蓋基底的外表面的至少第一部分,掩模材料未覆蓋基底的外表面的至少第二部分,并且波長轉換材料被設置在掩模材料和基底的外表面的第二部分上方。在一些實施方案中,該方法還包括去除波長轉換材料的一部分使得波長轉換材料不再位于掩模材料的至少一部分上方,并且波長轉換材料的至少一部分仍然位于基底的外表面的第二部分上方。在一些實施方案中,該方法還包括去除掩模材料的至少一部分。
在一組實施方案中,該方法包括提供在其上方設置有掩模材料和波長轉換材料的基底,其中:掩模材料覆蓋基底的外表面的至少第一部分,掩模材料未覆蓋基底的外表面的至少第二部分,并且波長轉換材料被設置在掩模材料和基底的外表面的第二部分上方。在某些實施方案中,該方法還包括對位于掩模材料上方的波長轉換材料的至少一部分進行研磨以去除波長轉換材料的位于掩模材料上方的至少一部分,并且去除掩模材料的至少一部分。
根據下面對本發明的各種非限制性實施方案在結合附圖進行考慮的情況下的詳細描述中,本發明的其他優點和新穎特征將變得明顯。在本說明書和通過引用并入的文獻包含沖突和/或不一致的公開內容的情況下,以本說明書為準。
附圖說明
將參照附圖通過示例的方式描述本發明的非限制性實施方案,附圖為示意性的并且無意于按比例繪制。在附圖中,所示出的每個相同或幾乎相同的部件通常由單一附圖標記表示。為了清楚起見,在每個附圖中并非每個部件都進行了標記,本發明的每個實施方案的在沒必要說明的地方示出的每個部件也沒有標記以使得本領域的普通技術人員能夠理解本發明。在附圖中:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





