[發(fā)明專利]波長轉(zhuǎn)換材料沉積方法及相關(guān)制品

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380055283.3
• 申請(qǐng)日: 2013-08-23
• 公開（公告）號(hào): CN104756226B
• 公開（公告）日: 2020-01-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 哈里斯·米勒;斯科特·W·鄧肯;布達(dá)迪普塔·丹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 發(fā)光裝置公司
• 主分類號(hào): H01L21/00
• 分類號(hào): H01L21/00
• 代理公司: 11227 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 蔡勝有;鄭毅

1.一種布置波長轉(zhuǎn)換材料的方法，包括：

提供基底，在所述基底上方設(shè)置有掩模材料和波長轉(zhuǎn)換材料，其中：

所述掩模材料覆蓋所述基底的外表面的至少第一部分，

所述掩模材料未覆蓋所述基底的所述外表面的至少第二部分，并且

所述波長轉(zhuǎn)換材料設(shè)置在所述掩模材料、以及所述基底的所述外表面的所述第二部分上方；

去除所述波長轉(zhuǎn)換材料的一部分使得所述波長轉(zhuǎn)換材料不再位于所述掩模材料的至少一部分上方并且所述波長轉(zhuǎn)換材料的至少一部分仍然位于所述基底的所述外表面的所述第二部分上方，其中去除所述波長轉(zhuǎn)換材料的所述一部分包括對(duì)所述波長轉(zhuǎn)換材料進(jìn)行研磨；以及

在已經(jīng)去除所述波長轉(zhuǎn)換材料的所述一部分之后，去除所述掩模材料的至少一部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包括在所述基底上方形成所述掩模材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，包括：在所述基底上方形成所述掩模材料之后，從所述基底去除所述掩模材料的至少一部分使得所述掩模材料未覆蓋所述基底的所述外表面的所述第二部分。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包括在所述掩模材料、以及所述基底的所述外表面的所述第二部分上方形成所述波長轉(zhuǎn)換材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中去除所述波長轉(zhuǎn)換材料的所述一部分包括形成遍及所述波長轉(zhuǎn)換材料和所述掩模材料的平坦的表面。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述掩模材料包括聚合物。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述掩模材料包括光致抗蝕劑。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述波長轉(zhuǎn)換材料包括至少一種磷光體。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中去除所述掩模材料的至少一部分露出在所述掩模材料下面的導(dǎo)電材料的表面。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述基底包括發(fā)光器件。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述發(fā)光器件包括發(fā)光二極管。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述發(fā)光器件具有長度為至少1mm的邊緣。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述外表面對(duì)應(yīng)于所述發(fā)光器件的出光表面，并且由所述發(fā)光器件發(fā)射的光的至少75％通過所述外表面發(fā)射。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述基底的所述外表面的所述第一部分包括電接觸部。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述電接觸部不被所述波長轉(zhuǎn)換材料覆蓋。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述電接觸部的一部分被所述波長轉(zhuǎn)換材料覆蓋。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述外表面為半導(dǎo)體層的一部分。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述半導(dǎo)體層包括n型摻雜半導(dǎo)體層。

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述半導(dǎo)體層包括第III-V族半導(dǎo)體。