[發(fā)明專利]具有交替的導(dǎo)電層和不導(dǎo)電層的多層構(gòu)造

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380055191.5
• 申請(qǐng)日: 2013-10-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104718310A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-06-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: M.阿布阿薩爾;O.凱特爾;S.席布利;A.賴辛格
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 賀利氏貴金屬有限責(zé)任兩合公司
• 主分類號(hào): C23C18/06
• 分類號(hào): C23C18/06;C23C18/12;G01N33/543
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 杜荔南;胡莉莉

1.一種用于制造層構(gòu)造（1）的方法，該方法至少包含下列步驟：

a.提供襯底（2），

b.將第一液體（12）施加到襯底（2）的至少一部分上，

c.使第一液體（12）干燥，其中形成第一層（4），

d.將第二液體（14）施加到第一層（4）的至少一部分上，

e.使第二液體（14）干燥，其中形成第二層（6），

其中

A）襯底（2）和第二層（6）為導(dǎo)電的并且第一層（4）為絕緣的，或者

B）襯底（2）和第二層（6）為絕緣的并且第一層（4）為導(dǎo)電的。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中步驟b至e重復(fù)至少一次。

3.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其中第二層（6）與第一層（4）的面積比例小于1。

4.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其中所述至少一個(gè)絕緣層（4,?4',?6,?6'）包含選自由下列各項(xiàng)構(gòu)成的組的至少一種化合物：TiO₂、SiO₂、TiO₂、SiO₂、Ta₂O₅、ZrO₂、Al₂O₃或其中至少兩種的混合物。

5.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其中所述至少一個(gè)導(dǎo)電層（4，4'，6，6'）包含選自由下列各項(xiàng)構(gòu)成的組的至少一種化合物：銦錫氧化物、銻錫氧化物、鋁鋅氧化物、金屬和金屬合金或者其中至少兩種的混合物。

6.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其中襯底（2）選自由下列各項(xiàng)構(gòu)成的組：玻璃、TiO₂、SiO₂、Ti₂O₃、Ta₂O₅、ZrO₂、鋼、CoCr合金、NiCoCrMo合金、Pt、Au、Ag、W、Ir、Ti、Nb、Ta、NiTi合金或者其中至少兩種的混合物。

7.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其中第一液體（12）或第二液體（14）或兩種液體（12,?14）的干燥在50至500℃的溫度下進(jìn)行。

8.一種能根據(jù)前述權(quán)利要求之一獲得的層構(gòu)造（1）。

9.一種層構(gòu)造（1），包括至少三個(gè)層（2,?4,?4',?6,?6'），其中層構(gòu)造（1）以如下順序具有所述層（2,?4,?4',?6,?6'）：

i.襯底（2）；

ii.第一層（4）；

iii.第二層（6），

其中

A）襯底（2）和第二層（6）為導(dǎo)電的并且第一層（4）為絕緣的，或者

B）襯底（2）和第二層（6）為絕緣的并且第一層（4）為導(dǎo)電的。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的層構(gòu)造（1），包括另外的層（4',?6'），其中每個(gè)另外的第一層（4'）與至少一個(gè)第二層（6,?6'）相鄰。

11.根據(jù)前述權(quán)利要求8至10之一所述的層構(gòu)造（1），其中襯底（2）具有小于10kΩ的表面電阻。

12.根據(jù)權(quán)利要求8至11之一所述的層構(gòu)造（1），其中所述層（2,?4,?4',?6,?6'）中的至少一個(gè)層在干燥后的層厚度處于0.05至10μm的范圍中。

13.根據(jù)權(quán)利要求8至12之一所述的層構(gòu)造（1），其中襯底（2）選自由下列各項(xiàng)構(gòu)成的組：玻璃、TiO₂、SiO₂、Ti₂O₃、Ta₂O₅、ZrO₂、鋼、CoCr、NiCoCrMo合金、Pt、Au、Ag、W、Ir、Ti、Nb、Ta、NiTi或者其中至少兩種構(gòu)成的混合物。

14.根據(jù)權(quán)利要求8至13之一所述的層構(gòu)造（1），其中襯底（2）和所述層（2,?4,?4',?6,?6'）中的至少一個(gè)層是生物相容的。

15.一種測(cè)量裝置（30），包含根據(jù)權(quán)利要求8至14之一或根據(jù)權(quán)利要求1至7的方法的至少一個(gè)層構(gòu)造（1）。