[發明專利]研磨用組合物、研磨用組合物的制造方法，以及研磨用組合物原液的制造方法

在審

• 申請號: 201380055071.5
• 申請日: 2013-08-12
• 公開（公告）號: CN104736658A
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發明（設計）人: 土屋公亮;淺田真希
• 申請（專利權）人: 福吉米株式會社
• 主分類號: C09K3/14
• 分類號: C09K3/14;C09G1/02;H01L21/02
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

技術領域

本發明涉及研磨用組合物、研磨用組合物的制造方法、以及研磨用組合物原液的制造方法。

背景技術

為了實現在電腦中使用的ULSI(超大規模集成電路，Ultra?Large?Scale?Integration)等的高度集成化和高速化，半導體裝置的設計規則的微細化在逐年推進。與此相伴，半導體裝置中使用的基板上的納米級的微小的表面缺陷對半導體裝置的性能造成不良影響的事例在增加。因此，管理以往未成為問題的微小的表面缺陷的重要性變高。

基板上產生的微小的表面缺陷的一部分是因為磨粒等研磨材料、水溶性高分子等添加劑、研磨墊屑、被研磨去除的基板的切屑、空氣中的塵埃等異物吸附在基板表面，其在清洗工序中未被去除而殘留在基板上。

為了減少這樣的異物引起的表面缺陷，對研磨后的基板表面賦予親水性、提高清洗工序中的異物的去除效率是有效的。例如，專利文獻1中公開了：以對研磨后的基板表面賦予親水性為目的，在研磨用組合物中使用調整了粘度的水溶性高分子。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2010-34509號公報

發明內容

發明要解決的問題

本發明的目的在于提供容易抑制基板產生的微小的表面缺陷的研磨用組合物及其制造方法。另外本發明的其他目的在于提供用于制備該研磨用組合物的研磨用組合物原液的制造方法。

用于解決問題的方案

為了達成上述目的，本發明的一個方式中提供研磨用組合物，其為含有二氧化硅、水溶性高分子以及水的研磨用組合物，包含至少一部分前述水溶性高分子的吸附物吸附在前述二氧化硅上，研磨用組合物中的前述吸附物的碳換算濃度為4質量ppm以上、且前述吸附物的碳換算濃度相對于研磨用組合物中的總碳濃度的百分率為15％以上。

前述水溶性高分子的重均分子量優選為300000以下。

前述水溶性高分子的重均分子量優選為200000以下。

前述水溶性高分子的重均分子量優選為100000以下。

本發明的其他方式提供制造上述方式的研磨用組合物的方法，其包括制備含有二氧化硅、水溶性高分子以及水的研磨用組合物原液的工序和通過將前述研磨用組合物原液以水或堿性水溶液進行稀釋而得到研磨用組合物的工序，所述研磨用組合物中，包含前述水溶性高分子的吸附物吸附在前述二氧化硅上，研磨用組合物中的前述吸附物的碳換算濃度為4質量ppm以上、且前述吸附物的碳換算濃度相對于研磨用組合物中的總碳濃度的百分率為15％以上。

制備前述研磨用組合物原液的工序優選包括在二氧化硅和堿性化合物的混合物中混合水溶性高分子，將得到的混合物過濾的工序。

優選使前述研磨用組合物原液中的前述二氧化硅的含量為1質量％以上且20質量％以下，并且使前述堿性化合物的含量為0.01質量％以上且1質量％以下。

優選將前述研磨用組合物原液中的前述二氧化硅的單位表面積的堿性化合物的摩爾數設為8.5×10^-6mol/m²以上。

本發明的再一其他方式提供研磨用組合物原液的制造方法，其包括向二氧化硅和堿性化合物的混合物中混合水溶性高分子，將得到的混合物過濾的工序。

優選使前述研磨用組合物原液中的前述二氧化硅的含量為1質量％以上且20質量％以下，并且使前述堿性化合物的含量為0.01質量％以上且1質量％以下。

優選使前述研磨用組合物原液中的前述二氧化硅的單位表面積的堿性化合物的摩爾數為8.5×10^-6mol/m²以上。

發明的效果

根據本發明的研磨用組合物，容易抑制基板產生的微小的表面缺陷。根據本發明的研磨用組合物的制造方法，能夠得到容易抑制基板產生的微小的表面缺陷的研磨用組合物。根據本發明的研磨用組合物原液的制造方法，能夠得到在容易抑制基板產生的微小的表面缺陷的研磨用組合物的制備中使用的研磨用組合物原液。

具體實施方式

以下，說明本發明的一個實施方式。

本實施方式的研磨用組合物至少含有二氧化硅、水溶性高分子以及水。本實施方式的研磨用組合物例如可以用于研磨硅基板等半導體基板的用途。