[發(fā)明專利]相移掩膜及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380054682.8
• 申請(qǐng)日: 2013-12-19
• 公開（公告）號(hào): CN104737072B
• 公開（公告）日: 2020-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 望月圣;中村大介;影山景弘
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛發(fā)科成膜株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G03F1/26
• 分類號(hào): G03F1/26;C23C14/06;H01L21/027
• 代理公司: 11018 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 張路;王琦

本發(fā)明的相移掩膜的制造方法包括在含有10.4％以下的氧化性氣體的混合氣體的氣氛下對(duì)鉻系材料的靶進(jìn)行濺射的工序。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及能夠形成微細(xì)且高精度的曝光圖案的相移掩膜及其制造方法，特別涉及優(yōu)選用于平板顯示器的制造的技術(shù)。

本申請(qǐng)基于2012年12月27日于日本申請(qǐng)的日本特愿2012-285845號(hào)主張優(yōu)先權(quán)，在此引用其內(nèi)容。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體設(shè)備及平板顯示器(FPD)的制造工序中，為了在形成于由硅或玻璃等構(gòu)成的基板的抗蝕劑膜上對(duì)微細(xì)圖案進(jìn)行曝光、轉(zhuǎn)印而使用相移掩膜。

在FPD中，近來(lái)已發(fā)展到通過提高圖案化的精度而使線寬尺寸更加微細(xì)，從而大幅度提高圖像的品質(zhì)。當(dāng)光掩膜的線寬精度、轉(zhuǎn)印側(cè)的基板的線寬精度變得更加微細(xì)時(shí)，曝光時(shí)的光掩膜與基板的間隙會(huì)變得更小。由于被使用于平板的玻璃基板成為超過300mm的較大尺寸，因此玻璃基板的起伏或表面粗糙度會(huì)成為較大的值，從而處于易于受到焦點(diǎn)深度的影響的狀況。

由于玻璃基板為大型尺寸，因此FPD的曝光使用g線(436nm)、h線(405nm)、i線(365nm)的復(fù)合波長(zhǎng)，并且使用等倍接近式曝光法(例如，參考專利文獻(xiàn)1)。

另一方面，在半導(dǎo)體中，進(jìn)行利用ArF(193nm)的單一波長(zhǎng)的圖案化，作為用于實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步微細(xì)化的方法而使用半色調(diào)型相移掩膜(例如，參考專利文獻(xiàn)2)。根據(jù)該方法，通過利用193nm使相位成為180°，能夠設(shè)定光強(qiáng)度成為零的位置從而提高圖案化精度。而且，通過存在光強(qiáng)度成為零的位置，能夠較大地設(shè)定焦點(diǎn)深度，從而實(shí)現(xiàn)曝光條件的放寬或圖案化的成品率提高。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2007-271720號(hào)公報(bào)(段落[0031])

專利文獻(xiàn)2：日本特開2006-78953號(hào)公報(bào)(段落[0002]、[0005])

伴隨著近年來(lái)FPD的布線圖案的微細(xì)化，對(duì)用于FPD的制造的光掩模也提高了對(duì)微細(xì)的線寬精度的要求。但是，僅僅進(jìn)行針對(duì)光掩模的微細(xì)化的曝光條件、顯影條件等的研究會(huì)非常難以應(yīng)對(duì)，因此尋求用于實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步微細(xì)化的新的技術(shù)。

特別是，當(dāng)如上述那樣使用g線、h線、i線的復(fù)合波長(zhǎng)時(shí)，由于掩膜對(duì)于各個(gè)波長(zhǎng)的透射率不同，因此當(dāng)如FPD那樣以大面積作為對(duì)象來(lái)進(jìn)行曝光處理時(shí)，在高精細(xì)化的圖案化中會(huì)產(chǎn)生因遮光或相移而產(chǎn)生的不良，其結(jié)果是產(chǎn)生無(wú)法應(yīng)對(duì)高精細(xì)的問題。

另外，當(dāng)欲應(yīng)對(duì)高精細(xì)而限定特定的波長(zhǎng)來(lái)進(jìn)行與高精細(xì)相對(duì)應(yīng)的處理時(shí)，無(wú)法有效地利用其他波長(zhǎng)區(qū)域的光，而存在處理效率降低且制造成本增大的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所涉及的實(shí)施方式是為了解決上述問題而完成的，目的在于提供一種相移掩膜及其制造方法，能夠如FPD制造那樣有效地在大面積下形成微細(xì)且高精度的曝光圖案。

(1)本發(fā)明所涉及的一實(shí)施方式的相移掩膜的制造方法包括：在透明基板上形成經(jīng)圖案化的以Cr為主要成分的遮光層的工序；以及通過在含有惰性氣體、氮化性氣體、及氧化性氣體的混合氣體的氣氛下對(duì)鉻系材料的靶進(jìn)行濺射，從而形成以Cr為主要成分的相移層并進(jìn)行圖案化的工序，且該相移層具有對(duì)于i線為大致180°的相位差，并且可將所述混合氣體中的所述氧化性氣體設(shè)為6.5％以上且小于9.2％、將所述混合氣體中的所述氮化性氣體設(shè)為40％以上且90％以下、并將g線的透射率與所述i線的透射率之差設(shè)為5％以下。

(2)在上述(1)的實(shí)施方式中，可以將所述混合氣體中的所述氮化性氣體設(shè)為40％以上且70％以下來(lái)形成所述相移層。