[發明專利]相移掩膜及其制造方法

有效

• 申請號: 201380054682.8
• 申請日: 2013-12-19
• 公開（公告）號: CN104737072B
• 公開（公告）日: 2020-01-07
• 發明（設計）人: 望月圣;中村大介;影山景弘
• 申請（專利權）人: 愛發科成膜株式會社
• 主分類號: G03F1/26
• 分類號: G03F1/26;C23C14/06;H01L21/027
• 代理公司: 11018 北京德琦知識產權代理有限公司
• 代理人: 張路;王琦

1.一種相移掩膜的制造方法，其特征在于，包括：

在透明基板上形成經圖案化的以Cr為主要成分的遮光層的工序；以及

通過在含有惰性氣體、氮化性氣體、及氧化性氣體的混合氣體的氣氛下對鉻系材料的靶進行濺射，從而形成以Cr為主要成分的相移層并進行圖案化的工序，且該相移層具有對于i線為大致180°的相位差，并且將所述混合氣體中的所述氧化性氣體設為6.5％以上且小于9.2％、將所述混合氣體中的所述氮化性氣體設為40％以上且90％以下、并將g線的透射率與所述i線的透射率之差設為5％以下。

2.根據權利要求1所述的相移掩膜的制造方法，其特征在于，

將所述混合氣體中的所述氮化性氣體設為40％以上且70％以下來形成所述相移層。

3.一種相移掩膜的制造方法，其特征在于，包括：

通過在含有惰性氣體、氮化性氣體、及氧化性氣體的混合氣體的氣氛下對鉻系材料的靶進行濺射，從而在透明基板上形成以Cr為主要成分的相移層并進行圖案化的工序，且該相移層具有對于i線為大致180°的相位差，并且將所述混合氣體中的所述氧化性氣體設為6.5％以上且小于9.2％、將所述混合氣體中的所述氮化性氣體設為40％以上且90％以下、并將g線的透射率與所述i線的透射率之差設為5％以下；

在該相移層上形成以選自Ni、Co、Fe、Ti、Si、Al、Nb、Mo、W及Hf之中的至少一種金屬為主要成分的蝕刻終止層的工序；以及

在該蝕刻終止層上形成遮光層的工序。

4.根據權利要求3所述的相移掩膜的制造方法，其特征在于，

將所述混合氣體中的所述氮化性氣體設為40％以上且70％以下來形成所述相移層。