[發明專利]刻蝕材料

有效

• 申請號: 201380054154.2
• 申請日: 2013-10-11
• 公開（公告）號: CN104737278B
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發明（設計）人: 中子偉夫;神代恭;納堂高明;稻田麻希;黑田杏子
• 申請（專利權）人: 日立化成株式會社
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L31/0224
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳建全

一種刻蝕材料，其含有選自結構中含有硼和與該硼結合的鹵素的路易斯酸、所述路易斯酸的鹽以及產生所述路易斯酸的化合物之中的至少一種硼化合物。

技術領域

本發明涉及一種在除去由氮化硅(SiN)等制成的無機薄膜時使用的刻蝕材料(也稱為腐蝕材料或蝕刻材料)。

背景技術

在各種半導體元件和太陽能電池等中氧化硅(SiO2)和SiN等無機薄膜被作為層間絕緣膜、鈍化膜、防反射膜等使用。

例如，有下述的制品：太陽能電池中，為了提高轉換效率，在受光面側形成由SiN膜制成的防反射膜、在受光面的相反側的面形成鈍化膜。

作為太陽能電池，一般的晶體硅太陽能電池單元的制造是在p型硅片的表層形成作為n+層的磷擴散層，在與下層的p層之間形成pn結(接合)。然后，在n+層上形成防反射膜后，在受光面側和背面側形成電極，并根據需要形成鈍化膜。

太陽能電池的制造中，多數情況是在形成防反射膜和鈍化膜后，將電極與n+層連接，因此需要在這些無機薄膜上設置開口。

作為在無機薄膜上設置開口的方法之一，有刻蝕法。作為刻蝕法，一般是使用了光致抗蝕劑的方法。可是，需要經歷抗蝕劑膜形成、曝光、顯影、刻蝕、抗蝕劑除去的各工序，而且使用的材料較多，所以效率低。

另外，有通過激光來形成開口的方法?？墒牵捎诩庸の恢玫目刂茻╇s，耗費加工時間，所以生產率不充分。此外，激光有可能損傷處于下部的n+層和晶片等。

另外，以往，作為最一般的制造方法，有下述方法：涂布含有作為電極的金屬和硅氧化物等構成玻璃的化合物的導電糊，通過加熱而引起燒成貫通(firethrough)，在無機薄膜上形成開口部，同時將電極與n+層連接?？墒牵痉椒ㄖ?，由于需要250℃以上的高溫處理，所以n+層和晶片會受到損傷，有可能引起發電效率的下降。

此外，可以考慮從開始就將無機薄膜形成為圖案狀的方法，但由于工序煩雜，所以效率低，而且在圖案形成的精度方面也不充分。

另一方面，提出了下述方法：印刷刻蝕糊而在無機薄膜上形成圖案等，然后，通過進行加熱而在刻蝕糊下部形成開口。

作為除去無機薄膜的成分(刻蝕成分)，例如在專利文獻1中記載了含有磷酸或磷酸鹽的刻蝕介質。可是，由于最適合的刻蝕溫度高達250℃以上，所以n+層和晶片等有可能受到損傷。

另外，還記載有使用刻蝕介質的方法，該刻蝕介質含有作為刻蝕成分的選自銨、堿金屬和銻的氟化物、銨、堿金屬和鈣的酸性氟化物、烷基化銨及四氟硼酸鉀之中的至少1種氟化合物以及可以任選使用的規定的無機酸和有機酸(參照專利文獻2)。可是，混合了氟化合物和酸的刻蝕介質存在著毒性極高的問題。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特表2005-506705號公報

專利文獻2：日本特表2008-527698號公報

發明內容

本發明要解決的問題

本發明的目的是提供一種能夠作為刻蝕糊使用、即使在低溫(250℃以下)下也能夠充分除去無機薄膜(SiN層等)的新型刻蝕材料。

解決問題的手段

根據本發明，提供以下的刻蝕材料等。

1、一種刻蝕材料，其含有選自結構中含有硼和與該硼結合的鹵素的路易斯酸、所述路易斯酸的鹽以及產生所述路易斯酸的化合物之中的至少一種硼化合物。

2、根據1所述的刻蝕材料，其進一步含有溶劑。