[發明專利]刻蝕材料

有效

• 申請號: 201380054154.2
• 申請日: 2013-10-11
• 公開（公告）號: CN104737278B
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發明（設計）人: 中子偉夫;神代恭;納堂高明;稻田麻希;黑田杏子
• 申請（專利權）人: 日立化成株式會社
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L31/0224
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳建全

1.一種刻蝕溫度為100℃～250℃的無機薄膜刻蝕材料，其含有選自結構中含有硼和與該硼結合的鹵素的路易斯酸、所述路易斯酸的鹽以及產生所述路易斯酸的化合物之中的至少一種硼化合物，其中，所述硼化合物是選自四氟硼酸三苯基碳鎓、四氟硼酸卓鎓、四氟硼酸二正丁基銨、四氟硼酸三甲基氧鎓、四氟硼酸三乙基氧鎓、1-乙基-2,3-二甲基咪唑鎓四氟硼酸鹽、1-丁基-1-甲基吡咯烷鎓四氟硼酸鹽、甲基三氟硼酸鉀、4-碘苯基三氟硼酸鉀、(4-甲基-1-哌嗪基)甲基三氟硼酸鉀、三環戊基膦四氟硼酸鹽、三氟化硼單乙胺絡合物、吡啶-3-三氟硼酸鉀和四氟硼酸硝鎓之中的1種以上，所述硼化合物按照在作為刻蝕溫度的100℃～250℃下使刻蝕材料成為液體的方式來進行調整。

2.根據權利要求1所述的刻蝕材料，其進一步含有溶劑。

3.根據權利要求1或2所述的刻蝕材料，其中，所述硼化合物的熔點為250℃以下、并且是不揮發性的。

4.根據權利要求1或2所述的刻蝕材料，其進一步含有在250℃下為不揮發性的液體并且溶解所述硼化合物的化合物。

5.根據權利要求1或2所述的刻蝕材料，其中，所述硼化合物是三氟化硼單乙胺絡合物。

6.根據權利要求4所述的刻蝕材料，其中，所述溶解硼化合物的化合物是結構中含有硼和與該硼結合的鹵素的路易斯酸、所述路易斯酸的鹽、通過加熱而產生所述路易斯酸的化合物、或者離子液體。

7.根據權利要求1或2所述的刻蝕材料，其中，所述硼化合物的含有率為全體的40～70質量％。

8.根據權利要求2所述的刻蝕材料，其含有在25℃下的蒸氣壓低于1.34×103Pa的溶劑。

9.一種基材的制造方法，其中，印刷權利要求1～8中任一項所述的刻蝕材料而在無機薄膜上形成了圖案，通過在100℃～250℃下進行加熱刻蝕而在刻蝕糊下部形成了開口。

10.一種太陽能電池的制造方法，其包含下述工序：印刷權利要求1～8中任一項所述的刻蝕材料而在無機薄膜上形成圖案，通過在100℃～250℃下進行加熱刻蝕而在刻蝕糊下部形成開口的工序；和在形成的開口部上形成電極的工序。