[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380054059.2
• 申請(qǐng)日: 2013-10-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104718627A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-06-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丸井俊治;林哲也;山上滋春;倪威;江森健太
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日產(chǎn)自動(dòng)車株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/861
• 分類號(hào): H01L29/861;H01L29/06;H01L29/47;H01L29/868;H01L29/872
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 劉曉迪

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及具有槽構(gòu)造的整流用的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)

為了改善整流用半導(dǎo)體裝置的特性，提案有各種半導(dǎo)體裝置。例如，提案有通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體裝置的槽(溝)底部的整體進(jìn)行離子注入而進(jìn)行槽底部的角部的電場(chǎng)緩和的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。通過(guò)將用于電場(chǎng)緩和的區(qū)域(以下，稱為“電場(chǎng)緩和區(qū)域”)配置在槽底部，能夠提高半導(dǎo)體裝置的耐壓。

專利文獻(xiàn)1：(日本)特開(kāi)2007－128926號(hào)公報(bào)

但是，當(dāng)將電場(chǎng)緩和區(qū)域配置于槽底部時(shí)，限定了半導(dǎo)體裝置的電流流動(dòng)的區(qū)域。這是由于，電流不在由于離子注入而高電阻化的電場(chǎng)緩和區(qū)域流動(dòng)，電流減少了不在槽底部流動(dòng)電流的量。其結(jié)果，產(chǎn)生半導(dǎo)體裝置的正向電流減少的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述問(wèn)題點(diǎn)，為了提高耐壓，本發(fā)明的目的在于提供一種將電場(chǎng)緩和區(qū)域形成于槽底部且抑制正向電流的減少的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

本發(fā)明第一方面的半導(dǎo)體裝置具備：第一導(dǎo)電型的漂移區(qū)域，其配置于半導(dǎo)體基體的第一主面上，且在表面上形成有槽；第二導(dǎo)電型的電場(chǎng)緩和區(qū)域，其配置于槽底部的角部的周圍；陽(yáng)極電極，其被埋入槽中；陰極電極，其配置于半導(dǎo)體基體的第二主面上。

附圖說(shuō)明

圖1是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的示意性剖面圖；

圖2是用于說(shuō)明圖1所示的半導(dǎo)體裝置的切斷狀態(tài)下的動(dòng)作的示意性剖面圖；

圖3是用于說(shuō)明圖1所示的半導(dǎo)體裝置的接通狀態(tài)下的動(dòng)作的示意性剖面圖；

圖4是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的制造工序的剖面圖；

圖5是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖4之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；

圖6是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖5之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；

圖7是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖6之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；

圖8是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖7之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；

圖9是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖8之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；

圖10是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖9之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；

圖11是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖10之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；

圖12是表示用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的制造工序的剖面圖；

圖13是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖12之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；

圖14是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖13之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；

圖15是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖14之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；

圖16是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖15之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；

圖17是表示用于說(shuō)明第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的制造工序的剖面圖；

圖18是用于說(shuō)明第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖17之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；

圖19是用于說(shuō)明第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖18之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；

圖20是用于說(shuō)明第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖19之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；

圖21是表示用于說(shuō)明第二實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的制造工序的剖面圖；

圖22是用于說(shuō)明第二實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖21之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；

圖23是表示用于說(shuō)明第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的制造工序的剖面圖；

圖24是用于說(shuō)明第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖23之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；

圖25是用于說(shuō)明第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖24之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；

圖26是用于說(shuō)明第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖25之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；

圖27是用于說(shuō)明第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖26之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；