[發明專利]用于形成在半導體襯底的鰭部件上的晶體管的隔離組件

有效

• 申請號: 201380053697.2
• 申請日: 2013-10-11
• 公開（公告）號: CN104718612B
• 公開（公告）日: 2018-06-22
• 發明（設計）人: 常潤滋;鄭全成
• 申請（專利權）人: 馬維爾國際貿易有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/84;H01L27/088;H01L27/12;H01L21/764;H01L21/762
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 酆迅

1.一種方法，包括：

在包括硅的襯底的表面的一部分上形成鰭部件，其中所述鰭部件在垂直于所述襯底的所述表面的平坦部分的方向上延伸；

在所述襯底的所述鰭部件的第一部分上方形成多晶硅的第一區域；

在所述襯底的所述鰭部件的第二部分上方形成多晶硅的第二區域；

在所述襯底的所述鰭部件的第三部分上方形成多晶硅的第三區域，其中所述多晶硅的第三區域設置在所述多晶硅的第一區域和所述多晶硅的第二區域之間；

在所述多晶硅的第一區域和所述多晶硅的第三區域之間形成第一間隔件區域，其中所述第一間隔件區域包括第一介電材料；

在所述多晶硅的第二區域和所述多晶硅的第三區域之間形成第二間隔件區域，其中所述第二間隔件區域包括所述第一介電材料；

至少去除所述多晶硅的第三區域和所述鰭部件的在所述多晶硅的第三區域下方形成的至少一部分，從而在所述多晶硅的第一區域和所述多晶硅的第二區域之間形成間隙；以及

將第二介電材料設置在所述多晶硅的第一區域和所述多晶硅的第二區域之間的所述間隙中，以形成隔離組件。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述襯底上方放置掩模，其中所述掩模包括與所述多晶硅的第三區域的位置相對應的開口；以及

根據所述掩模的圖案蝕刻所述多晶硅的第三區域和所述鰭部件的至少一部分。

3.根據權利要求2所述的方法，還包括：蝕刻所述襯底的一部分，使得所述間隙在所述襯底的所述表面的所述平坦部分的表面下方延伸。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述襯底上形成附加鰭部件，

其中使用自對準雙圖案化工藝形成所述鰭部件和所述附加鰭部件兩者。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述隔離組件的寬度小于30nm。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一介電材料不同于所述第二介電材料。

7.根據權利要求1所述的方法，其中：

在所述多晶硅的第一區域上方形成第一晶體管的柵極；以及

在所述多晶硅的第二區域上方形成第二晶體管的柵極。

8.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在形成所述第一間隔件區域和所述第二間隔件區域之后，在所述襯底中嵌入應力體材料，其中所述應力體材料包括SiGe和/或SiC中的一個或兩個。