[發明專利]三維存儲器陣列架構

有效

• 申請號: 201380052469.3
• 申請日: 2013-08-30
• 公開（公告）號: CN104718625B
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發明（設計）人: 費代里科·皮奧
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287
• 代理人: 路勇

1.一種三維存儲器陣列(320；430；544)，其包括：

堆疊，其包括位于許多層級處的通過至少絕緣材料(1048)而彼此分離的多個第一導電線(522)；

至少一個導電延伸部(326T,326U；556；856T,856B；926T,926B；1056)，其經布置以實質上垂直于所述多個第一導電線(522)而延伸；

存儲元件材料(554；854T,854B；1054)，其圍繞所述至少一個導電延伸部(326T,326U；556；856T,856B；926T,926B；1056)而形成；及

單元選擇材料(552；852T,852B；1055,1052)，其圍繞所述至少一個導電延伸部(326T,326U；556；856T,856B；926T,926B；1056)而形成，且

多個第二導電線(524)，所述多個第二導電線(524)經形成以在不同于所述許多層級的層級處實質上垂直于所述多個第一導電線而延伸，且經布置以實質上垂直于所述至少一個導電延伸部而延伸，

其中所述至少一個導電延伸部(326T,326U；556；856T,856B；926T,926B；1056)、存儲元件材料(554；854T,854B；1054)及單元選擇材料(552；852T,852B；1055,1052)位于所述多個第一導電線(522)的共面對之間；且

其中所述至少一個導電延伸部(326T,326U；556；856T,856B；926T,926B；1056)中的每一者耦合到所述多個第二導電線(524)中的僅一者。

2.根據權利要求1所述的存儲器陣列(320；430；544)，其中所述存儲元件材料是圍繞及相鄰于所述至少一個導電延伸部而同心地形成。

3.根據權利要求1所述的存儲器陣列(320；430；544)，其中所述單元選擇材料是圍繞及相鄰于所述至少一個導電延伸部而同心地形成。

4.根據權利要求1所述的存儲器陣列(320；430；544)，其中所述存儲元件材料及所述單元選擇材料形成于所述至少一個導電延伸部與所述多個第一導電線中的相應者之間。

5.根據權利要求1到4中任一權利要求所述的存儲器陣列(320；430；544)，其中所述至少一個導電延伸部包含多個導電延伸部，且其中所述多個第二導電線經布置以通信地耦合到所述多個導電延伸部中的每隔一者。

6.根據權利要求1到4中任一權利要求所述的存儲器陣列(320；430；544)，其中所述至少一個導電延伸部包含多個導電延伸部，且其中所述多個第二導電線具有形成于所述第一導電線上方的第一數量及形成于所述第一導電線下方的第二數量，其中所述多個第二導電線中的每一者經布置以通信地耦合到所述多個導電延伸部中的每隔一者，所述多個導電延伸部中的相應者通信地耦合到所述多個第二導電線中的僅一者。

7.根據權利要求1到4中任一權利要求所述的存儲器陣列(320；430；544)，其進一步包括相鄰于所述多個第一導電線中的每一者且與所述多個第一導電線中的每一者通信地耦合的加熱器材料(1045)，所述加熱器材料(1045)具有小于所述多個第一導電線中的至少一者的橫截面積的橫截面積，所述加熱器材料(1045)串聯布置于所述多個第一導電線中的相應者與所述存儲元件材料之間。

8.根據權利要求1到4中任一權利要求所述的存儲器陣列(320；430；544)，其中所述至少一個導電延伸部、存儲元件材料及單元選擇材料構成存儲器單元結構(550；650T,650B；750T,750B；850T,850B)，且所述三維存儲器陣列經配置以使得兩個存儲器單元結構(550；650T,650B；750T,750B；850T,850B)的部分(558,560)構成存儲器單元(1093)。