[發明專利]使用由載體銅箔支撐的薄銅箔制作封裝體的方法有效
| 申請號: | 201380052312.0 | 申請日: | 2013-08-08 |
| 公開(公告)號: | CN104756239B | 公開(公告)日: | 2018-01-26 |
| 發明(設計)人: | S·蘇塔德加;A·吳;申鉉宗 | 申請(專利權)人: | 馬維爾國際貿易有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所11256 | 代理人: | 酆迅,董典紅 |
| 地址: | 巴巴多斯*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 使用 載體 銅箔 支撐 制作 封裝 方法 | ||
相關申請的交叉引用
本公開要求2012年8月8日提交的美國臨時專利申請No.61/680,943、2012年8月8日提交的美國臨時專利申請No.61/680,932和2013年8月8日提交的美國專利申請No.13/962,731的優先權,這些申請的公開內容通過引用并入本文。
技術領域
本公開的實施例涉及集成電路領域,并且更具體地涉及用于半導體芯片封裝的技術、結構和配置。
背景技術
這里提供的背景技術描述用于一般性地呈現本公開的上下文的目的。當前所稱的發明人的工作在本背景技術章節中描述該工作的程度上,以及在提交時可能不會被另外認定為現有技術的本描述的方面,既不明確地也不隱含地被承認為相對于本公開的現有技術。
微電子器件利用持續變得越來越小的封裝布置。隨著這種封裝布置變得更小,與這種封裝體相關聯的穩定性和物理強度會受到損害。例如,利用可剝離載體箔創建封裝體,在完成封裝體后該可剝離載體箔被去除,這會使封裝體的底部相當易損壞。因而,可以提供包圍該封裝體的模制體(mold),以由此為封裝體提供附加強度。然而,當在完成封裝體后去除可剝離載體箔時,各種組件可能隨著可剝離載體箔的去除而從模制體中脫出或“彈出”。
發明內容
在一個實施例中,提供了一種創建封裝體的方法,該方法包括:提供初始基底,其中初始基底包括載體箔、功能性銅箔以及在載體箔與功能性銅箔之間的界面釋放層;在功能性銅箔上構建銅部分;將芯片附接到第一銅部分;將芯片耦合到第二銅部分;利用模制體密封至少芯片和銅部分;以及去除載體箔和界面釋放層。
在一個實施例中,提供了一種封裝體,該封裝體包括:功能性銅箔;附接到功能性銅箔的銅部分;附接到第一銅部分的芯片,其中芯片被耦合到第二銅部分;模制體,密封至少芯片和銅部分,其中功能性銅箔的在銅部分之間的部分被去除使得露出每個銅部分的底表面,并且其中模制體密封在露出的銅部分的底表面與功能性銅箔之間的銅部分。
附圖說明
通過下面結合附圖的詳細描述,將容易地理解實施例。在附圖的圖中通過示例的方式而不是通過限制的方式來圖示實施例。
圖1A至圖1H示意性地圖示了根據各種實施例的用于創建單層封裝體的各種步驟。
圖1I至圖1K和圖4圖示了根據各種實施例的可以被執行以創建另一單層封裝體的附加步驟。
圖2A至圖2H示意性地圖示了根據各種實施例的用于創建另一單層封裝體的各種步驟。
圖3是圖示根據各種實施例的用于創建單層封裝體的方法的示例的流程圖。
圖5A至圖5G示意性地圖示了根據各種實施例的用于創建單層封裝體的各種步驟。
圖6是圖示根據各種實施例的用于創建單層封裝體的方法的示例的流程圖。
具體實施方式
圖1A至圖1H圖示了根據各種實施例的用于創建單層封裝體100的各種步驟。關于圖1A,圖示了初始基底,在單層封裝體的制造過程中初始基底利用由載體箔支撐的薄銅箔。初始基底包括可剝離的載體銅箔102。在其它實施例中,載體銅箔102可以由不同的金屬制成。界面釋放層104將載體銅箔102耦合到薄的功能性銅箔106。界面釋放層104通常由鉻或類似材料制成。界面釋放層104防止薄的功能性銅箔106粘貼到可剝離的載體銅箔102,并且因此允許載體銅箔102從薄的功能性銅箔106的剝離和更容易的釋放。通常,薄的功能性銅箔106具有僅幾微米的厚度,而載體銅箔102具有幾十微米的厚度。
圖1B圖示了光刻步驟,其中對光致抗蝕劑層(未示出)進行顯影,由此產生光致抗蝕劑部分108的圖案。圖1C圖示了在薄的功能性銅箔106上進行銅鍍覆的步驟,由此產生位于光致抗蝕劑部分108之間的銅部分110a、110b、110c。圖1B和圖1C中所示的光致抗蝕劑部分108和銅部分110a、110b、110c的布置僅是一個示例,并不旨在進行限制。如果期望,可以包括更多或更少的光致抗蝕劑部分108和銅部分110a、110b、110c。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





