[發明專利]使用由載體銅箔支撐的薄銅箔制作封裝體的方法

有效

• 申請號: 201380052312.0
• 申請日: 2013-08-08
• 公開（公告）號: CN104756239B
• 公開（公告）日: 2018-01-26
• 發明（設計）人: S·蘇塔德加;A·吳;申鉉宗
• 申請（專利權）人: 馬維爾國際貿易有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/31
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 酆迅,董典紅

1.一種創建封裝體的方法，所述方法包括：

提供初始基底，其中所述初始基底包括

第一箔，

第二箔，以及

在所述第一箔與所述第二箔之間的界面釋放層，其中所述界面釋放層被配置用于允許后續從所述第二箔剝離和釋放所述第一箔；

在所述第二箔上構建多個銅部分；

將芯片附接到所述多個銅部分中的第一銅部分；

將所述芯片耦合到所述多個銅部分中的第二銅部分；

利用模制體密封至少所述芯片和所述多個銅部分；以及

在利用所述模制體密封至少所述芯片和所述多個銅部分之后，從所述封裝體去除所述第一箔和所述界面釋放層，

其中所述第一箔為載體箔，并且所述第二箔為功能性箔。

2.根據權利要求1所述的方法，其中構建所述多個銅部分包括：

執行光刻操作，以創建光致抗蝕劑材料的部分；

在所述光致抗蝕劑材料的部分之間鍍覆銅；以及

去除所述光致抗蝕劑材料的部分，以創建所述多個銅部分。

3.根據權利要求2所述的方法，其中去除所述光致抗蝕劑材料的部分包括：去除所述第二箔的在所述多個銅部分之間的部分。

4.根據權利要求3所述的方法，其中去除所述第二箔的在所述多個銅部分之間的部分包括：去除所述第二箔的在所述多個銅部分之間的部分，使得所述第二箔的在所述多個銅部分之下的部分被去除以由此露出每個銅部分的底表面。

5.根據權利要求4所述的方法，其中利用模制體密封至少所述芯片和所述多個銅部分包括：利用所述模制體密封至少所述芯片和所述多個銅部分，使得所述模制體的部分位于所述第二箔與所述多個銅部分的露出的底表面之間。

6.根據權利要求1所述的方法，還包括在所述第二銅部分上形成金屬部分，其中所述金屬部分比所述第二銅部分寬。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述界面釋放層包括鉻。

8.根據權利要求1所述的方法，其中將所述芯片耦合到所述第二銅部分包括：經由導線鍵合工藝將所述芯片耦合到所述第二銅部分。

9.根據權利要求1所述的方法，其中將所述芯片附接到所述第一銅部分包括：經由芯片倒裝附接工藝將所述芯片附接到所述第一銅部分。

10.根據權利要求1所述的方法，其中將所述芯片附接到所述第一銅部分包括：經由環氧樹脂或膠將所述芯片附接到所述第一銅部分。

11.根據權利要求1所述的方法，還包括將焊料球附接到所述多個銅部分下方的所述第二箔。

12.根據權利要求1所述的方法，其中在所述第二箔上構建多個銅部分包括：形成所述多個銅部分，使得至少所述第二銅部分的第一部分比所述第二銅部分的第二部分寬，其中所述第二部分與所述第二箔鄰近。

13.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一箔包括載體鋁箔。

14.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二箔包括功能性銅箔。

15.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二箔包括功能性鋁箔。

16.根據權利要求1所述的方法，其中去除所述第一箔和所述界面釋放層包括：

從所述第二箔剝離所述第一箔以去除所述第一箔和所述界面釋放層。

17.根據權利要求1所述的方法，其中去除所述第一箔和所述界面釋放層包括：

加熱所述界面釋放層；以及

基于加熱所述界面釋放層，從所述第二箔剝離所述第一箔以去除所述第一箔和所述界面釋放層。