[發(fā)明專利]碳化硅半導體基板及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380051807.1
• 申請日: 2013-09-12
• 公開（公告）號: CN104704607B
• 公開（公告）日: 2017-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 山內(nèi)莊一;平野尚彥
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社電裝
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司72002
• 代理人: 高迪

1.一種碳化硅單晶，其特征在于，

至少在表面形成有以結(jié)晶缺陷構(gòu)成的作為識別顯示的刻印(2)，所述刻印(2)是在所述碳化硅單晶的生長方向上傳播、并且從所述碳化硅單晶的所述表面向內(nèi)面貫通的構(gòu)造的結(jié)晶缺陷。

2.如權(quán)利要求1所述的碳化硅單晶，其特征在于，

所述刻印(2)之中的全部或一部分以從所述表面向所述內(nèi)面貫通的結(jié)晶缺陷構(gòu)成。

3.如權(quán)利要求1或者2所述的碳化硅單晶，其特征在于，

所述刻印(2)在外緣部的一處或多處形成。

4.如權(quán)利要求1或者2所述的碳化硅單晶，其特征在于，

所述刻印(2)由字符、數(shù)字、條形碼以及作為注冊商標的快速響應碼之中的一個或多個的組合而構(gòu)成。

5.一種碳化硅半導體基板的制造方法，其特征在于，包含：

準備由單晶的碳化硅構(gòu)成的籽晶(1)的工序；

在所述籽晶(1)的至少表面形成以結(jié)晶缺陷構(gòu)成的作為識別顯示的刻印(2)的工序；

在形成有所述刻印(2)的所述籽晶(1)的表面，使碳化硅單晶(3)生長，從而在該生長方向上一邊使所述刻印(2)傳播一邊使所述碳化硅單晶(3)生長來形成所述刻印(2)從表面向內(nèi)面貫通的碳化硅單晶的工序；以及

將傳播了所述刻印(2)的所述碳化硅單晶(3)切出并進行切割，從而形成被形成有所述刻印(2)的狀態(tài)的碳化硅半導體基板(4)的工序。

6.如權(quán)利要求5所述的碳化硅半導體基板的制造方法，其特征在于，

在形成所述刻印(2)的工序中，通過激光加工、基于金剛石刀具的切削加工、干法蝕刻或離子注入來形成所述刻印(2)。

7.如權(quán)利要求5或者6所述的碳化硅半導體基板的制造方法，其特征在于，還包含：

將切出所述碳化硅單晶(3)后的所述籽晶(1)或所述碳化硅半導體基板(4)作為籽晶，再次使碳化硅單晶(3)生長，從而在該生長方向上一邊使所述刻印(2)傳播一邊使所述碳化硅單晶(3)生長的工序；以及

進而將傳播了所述刻印(2)的所述碳化硅單晶(3)切出并進行切割，從而再次形成被形成有所述刻印(2)的狀態(tài)的碳化硅半導體基板(4)的工序。