[發明專利]碳化硅半導體基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201380051807.1
• 申請日: 2013-09-12
• 公開（公告）號: CN104704607B
• 公開（公告）日: 2017-09-29
• 發明（設計）人: 山內莊一;平野尚彥
• 申請（專利權）人: 株式會社電裝
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司72002
• 代理人: 高迪

相關申請的交叉引用

本申請基于2012年10月2日申請的日本申請號2012－220403號，此處引用其記載內容。

技術領域

本申請涉及從由碳化硅(以下稱為SiC)構成的籽晶制造的SiC半導體基板(以下稱為SiC晶片)及其制造方法。

背景技術

以往，在SiC晶片制造中，晶片品質非常大地受到結晶生長時的籽晶的品質的影響(例如參照專利文獻1)。因此，結晶缺陷少的高品質的籽晶在制造高品質的SiC晶片上是重要的。從而，在工序內以及輸送上嚴格管理高品質的籽晶是不可缺少的，越是能夠制造高品質晶片的籽晶，防患于未然地防止作為高附加價值品的風險(盜竊/丟失)的手段越是不可缺少的。在此基礎上，采取用于確定在市場上流通的晶片的制造工序中使用的籽晶的手段(可追溯性)，對將上述風險防患于未然來說是有效的。因此，以往，一般實施在晶片制造工序中的加工工序內對每個晶片實施編號，能夠通過編號確認來判明制造源，從而實現上述的風險的避免。

但是，上述的編號是用于識別在對晶片上進行了加工之后的晶片而實施的，并不是在使用想要進行風險避免的高品質的籽晶進行結晶生長的情況下自動地將其履歷刻印在晶片上。從而，在刻印前通過非法的手段獲得了高品質的籽晶的情況下，即使使用該籽晶進行結晶生長而進行了晶片制作，也不能判別是否使用了該籽晶，不能實現上述的風險避免。此外，關于從自籽晶生長的SiC單晶切出的SiC晶片，在刻印前通過非法的手段獲得的情況下，即使將其新用作籽晶進行結晶生長而進行了晶片制作，可以說也與上述相同。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特許第3745668號公報

發明內容

本申請的目的之一在于提供在將碳化硅半導體基板用作籽晶而使碳化硅單晶生長時能夠確認被用作籽晶一事的碳化硅半導體基板。此外，本申請的其他目的在于提供在將碳化硅半導體基板用作籽晶而使碳化硅單晶生長時能夠確認被用作籽晶一事的碳化硅半導體基板的制造方法。

本申請的一個方式所涉及的碳化硅半導體基板由碳化硅單晶構成，至少在表面上形成有以結晶缺陷構成的作為識別顯示的刻印。

在將所述碳化硅半導體基板用作籽晶而使碳化硅單晶生長時，刻印能夠在所述碳化硅單晶上作為結晶缺陷而傳播。因此，能夠確認所述碳化硅半導體基板被用作籽晶的情況。

在本申請的其他方式所涉及的碳化硅半導體基板的制造方法中，準備由單晶的碳化硅構成的籽晶，在所述籽晶的至少表面上形成以結晶缺陷構成的作為識別顯示的刻印。在形成有所述刻印的所述籽晶的表面上，使碳化硅單晶生長，從而在該生長方向上一邊使所述刻印傳播一邊使所述碳化硅單晶生長。通過將傳播了所述刻印的所述碳化硅單晶切出并進行切割(slice)，從而形成被形成有所述刻印的狀態的碳化硅半導體基板。

在將所述碳化硅半導體基板用作籽晶而使碳化硅單晶生長時，刻印能夠在所述碳化硅單晶上作為結晶缺陷而傳播。因此，能夠確認所述碳化硅半導體基板被用作籽晶一事。

附圖說明

本申請的上述目的或其他目的、結構或優點通過一邊參照下述附圖一邊進行下述的詳細說明而變得更為明確。在附圖中：

圖1是表示在本申請的第一實施方式所涉及的籽晶上使SiC單晶生長時的情形的立體圖。

圖2A是表示刻印的上表面布局的一例的圖。

圖2B是所述刻印的沿著圖2A的IIB－IIB線的剖面圖。

圖3是表示籽晶中的刻印的配置部位的圖。

圖4是表示從SiC單晶切出了SiC晶片時的情形的圖。

圖5是表示本申請的第二實施方式所涉及的籽晶中的刻印的配置部位的圖。

圖6是表示本申請的第三實施方式所涉及的籽晶中的刻印的配置部位的圖。

圖7是表示本申請的第四實施方式所涉及的籽晶中的刻印的配置部位的圖。

具體實施方式

以下，基于圖說明本申請的實施方式。另外，在以下的各實施方式彼此中，對相互相同或等同的部分賦予相同標記而進行說明。

(第一實施方式)

說明本申請的第一實施方式。如圖1所示，準備由高品質的SiC晶片構成的籽晶1。可以使用以往公知的任意方法作為由高品質的SiC構成的籽晶1的形成方法。此外，關于此時所準備的籽晶1的多晶型，也可以是6H、4H、3H等任意的多晶型，關于面方位，也可以是a面、c面的Si面、c面的C面等任意的面方位。