[發明專利]防偽結構體及其制造方法

在審

• 申請號: 201380051760.9
• 申請日: 2013-11-14
• 公開（公告）號: CN104704401A
• 公開（公告）日: 2015-06-10
• 發明（設計）人: 屋鋪一尋
• 申請（專利權）人: 凸版印刷株式會社
• 主分類號: G02B5/18
• 分類號: G02B5/18;B42D25/30;B42D25/328;B42D25/40;G02B5/08
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 白麗;陳建全

技術領域

本發明涉及例如具有防偽效果等的防偽結構體及其制造方法。

背景技術

防偽結構體含有在為了防止有價證劵、品牌品、證明書及個人認證介質等的偽造而使用的標簽或轉印箔中，具有證明是真品的功能。

近年來，由于通過一瞥即可判別特殊的光學效果，因此使用利用了衍射光柵、全息圖及透鏡陣列等光學元件的防偽結構體。這些光學元件具有微細且復雜的結構，而且需要昂貴的制造設備，因此防偽效果很高。

另外，為了進一步提高防偽效果，利用了在光學元件的表面的一部分設有圖案反射層的防偽結構體。例如，通過將反射型衍射光柵的反射層設置成微文字狀，可以成型具有由衍射光柵產生的變色效果的微文字。

特別是在衍射光柵、全息圖及透鏡陣列等的表面浮雕形狀上以50μm(微米)以下的位置精度配置圖案反射層是非常困難的，因此這種防偽結構體的偽造變得非常困難。

專利文獻1中作為在衍射光柵上設置圖案反射層的方法，公開了光刻法。通過這種方法，能夠以較高的速度設置高精細的反射層。

但是，即便是上述方法，在衍射結構的浮雕形狀上位置精度良好地設置反射層也是困難的。例如想要對于部分設置的衍射結構的浮雕形狀、僅在衍射結構部分上設置反射層時，需要在衍射結構的浮雕形狀的位置上嚴密地配置圖案曝光中所使用的掩模的位置。這種制造方法中，具有會發生100μm(微米)以上的位置偏離的問題。

針對這些問題，專利文獻2公開了利用深度與寬度之比即深寬比高的部分與平坦部分的電磁波透射率差異、位置精度良好地獲得反射層的方法。特別是，如果為專利文獻2的權利要求2所記載的方法，可以生產率良好地部分地獲得反射層。

例如在利用真空蒸鍍法在具有“具有高的深寬比的區域(深寬比為0.3)”和“平坦的區域(深寬比為0.0)”的凹凸結構體上設置金屬反射層之后，通過將刻蝕條件最優化，可以確保各個區域中的刻蝕速度的差異，可以僅將“具有高的深寬比的區域”刻蝕而僅殘留“平坦的區域”的反射層。

但是，專利文獻2的權利要求2所記載的方法中也具有如下問題：僅對“具有高的深寬比的區域”進行刻蝕的條件非常窄，并且所得防偽結構體的“平坦的區域”上的反射層薄，反射率(或透射率)發生不均。

另外，另一問題是，在利用真空蒸鍍法在具有“具有高的深寬比的區域(深寬比為0.3)”和“具有衍射結構或浮雕全息圖結構等的區域(深寬比為0.1～0.5的區域)”的凹凸結構體上設置金屬反射層之后進行刻蝕時，難以僅對覆蓋“具有高的深寬比的區域”的反射層進行刻蝕。

這是由于2個區域的“深寬比”沒有很大的差異、因此確保各個區域中的刻蝕速度的差異變難而產生的問題。理論上來說，通過對2個區域的深寬比設置大的差異可以改善。但是，“具有更高深寬比的結構”需要更為微細且復雜的結構，成型困難。

即，該問題僅通過專利文獻2所規定的“深寬比”的參數并不能根本上地解決問題。

針對這種課題，專利文獻3中完成了通過利用真空蒸鍍等的氣相法設置刻蝕掩模的發明。如果為該方法，能夠獲得10μm以下的高精細的蒸鍍圖案或重現性高的蒸鍍膜圖案。但是，由于需要多層蒸鍍，因此具有工序增加、制造成本增高及由于需要多層的蒸鍍膜厚的嚴密性、因而需要嚴密地控制各個蒸鍍膜厚等的課題。進而，作為重要的特征，專利文獻3的方式中具有無法殘留High-aspect部分(具有高深寬比的部分)的反射層的課題。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2003-255115號公報

專利文獻2：日本特表2008-530600號公報

專利文獻3：日本特開2012-063738號公報

發明內容

發明要解決的課題

本發明的課題在于提供能夠以高的位置精度形成準確圖案的反射層、偽造非常困難的防偽結構體以及能夠以高生產率且廉價地形成該防偽結構體的制造方法。

用于解決課題的手段

本發明的防偽結構體的一個方式具備微細凹凸形成層，該微細凹凸形成層具備第一區域和第二區域，所述第一區域具有含有深度與寬度之比即深寬比為第1值以上的凹凸結構的光學元件，所述第二區域具有含有深寬比小于所述第1值的凹凸結構的光學元件。第一區域具有比所述第二區域更高的透光率。防偽結構體還進一步具備填充在所述第一區域所含的所述凹凸結構的凹部中的微粒和配置在所述第二區域所含的所述凹凸結構上的反射層。