[發(fā)明專利]防偽結(jié)構(gòu)體及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380051760.9 | 申請日: | 2013-11-14 |
| 公開(公告)號: | CN104704401A | 公開(公告)日: | 2015-06-10 |
| 發(fā)明(設計)人: | 屋鋪一尋 | 申請(專利權(quán))人: | 凸版印刷株式會社 |
| 主分類號: | G02B5/18 | 分類號: | G02B5/18;B42D25/30;B42D25/328;B42D25/40;G02B5/08 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 白麗;陳建全 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 防偽 結(jié)構(gòu) 及其 制造 方法 | ||
1.一種防偽結(jié)構(gòu)體,其具備:
微細凹凸形成層,該微細凹凸形成層具備第一區(qū)域和第二區(qū)域,所述第一區(qū)域具有含有深度與寬度之比即深寬比為第1值以上的凹凸結(jié)構(gòu)的光學元件,所述第二區(qū)域具有含有深寬比小于所述第1值的凹凸結(jié)構(gòu)的光學元件,所述第一區(qū)域具有比所述第二區(qū)域更高的透光率;
填充于所述第一區(qū)域所含的所述凹凸結(jié)構(gòu)的凹部中的微粒;以及
配置在所述第二區(qū)域所含的所述凹凸結(jié)構(gòu)上的反射層。
2.一種防偽結(jié)構(gòu)體,其具備:
微細凹凸形成層,該微細凹凸形成層具備第一區(qū)域和第二區(qū)域,所述第一區(qū)域具有含有深度與寬度之比即深寬比為第1值以上的凹凸結(jié)構(gòu)的光學元件,所述第二區(qū)域具有含有深寬比小于所述第1值的凹凸結(jié)構(gòu)的光學元件,所述第二區(qū)域具有比所述第一區(qū)域更高的透光率;
配置于所述第一區(qū)域所含的所述凹凸結(jié)構(gòu)的凹部中的反射層;以及
配置在所述反射層上的掩模涂膜。
3.一種防偽結(jié)構(gòu)體,其具備:
微細凹凸形成層,該微細凹凸形成層具備第一區(qū)域和第二區(qū)域,所述第一區(qū)域具有含有深度與寬度之比即深寬比為第1值以上的凹凸結(jié)構(gòu)的光學元件,所述第二區(qū)域具有含有深寬比小于所述第1值的凹凸結(jié)構(gòu)的光學元件,所述第一區(qū)域具有比所述第二區(qū)域更高的透光率;和
配置于所述第二區(qū)域所含的所述凹凸結(jié)構(gòu)上的反射層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防偽結(jié)構(gòu)體,其中,
所述第一區(qū)域的所述凹部的寬度及所述凹凸結(jié)構(gòu)的深寬比被設定為可以使所述微粒填充于該凹凸結(jié)構(gòu)的所述凹部中的值,
所述第二區(qū)域的所述凹部的寬度及所述凹凸結(jié)構(gòu)的深寬比被設定為無法使所述微粒填充于該凹凸結(jié)構(gòu)的所述凹部中的值。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項所述的防偽結(jié)構(gòu)體,其中,所述第1值為0.5。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的防偽結(jié)構(gòu)體,其中,所述微粒為球狀粒子。
7.一種防偽結(jié)構(gòu)體的制造方法,其具備:
在微細凹凸形成層的一個主面上形成分別含有凹凸結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域及第二區(qū)域;
在所述第一區(qū)域及第二區(qū)域的所述凹凸結(jié)構(gòu)上涂覆微粒;
將所述第二區(qū)域的凹凸結(jié)構(gòu)上的所述微粒除去、而在所述第一區(qū)域的凹凸結(jié)構(gòu)的凹部中填充所述微粒;
使所述微粒粘接于所述第一區(qū)域的凹凸結(jié)構(gòu)的凹部;
在配置于所述第一區(qū)域的凹凸結(jié)構(gòu)的凹部中的所述微粒上及所述第二區(qū)域的凹凸結(jié)構(gòu)上涂覆反射層;以及
通過對所述第一區(qū)域及第二區(qū)域的整個區(qū)域進行刻蝕,從而使所述第二區(qū)域的所述反射層殘留,而將所述第一區(qū)域的所述微粒上的所述反射層除去。
8.一種防偽結(jié)構(gòu)體的制造方法,其具備:
在微細凹凸形成層的一個主面上形成分別含有凹凸結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域及第二區(qū)域;
在所述第一區(qū)域及第二區(qū)域的所述凹凸結(jié)構(gòu)上涂覆反射層;
在所述第一區(qū)域及第二區(qū)域的所述反射層上涂覆微粒;
將所述第二區(qū)域的反射層上的所述微粒除去、而在所述第一區(qū)域的凹凸結(jié)構(gòu)的凹部中填充所述微粒;
使填充于所述第一區(qū)域的凹凸結(jié)構(gòu)的凹部中的所述微粒變化成膜狀、從而在所述凹部的反射層上形成掩模涂膜;以及
通過對所述第一區(qū)域及第二區(qū)域的整個區(qū)域進行刻蝕,從而將所述第二區(qū)域的所述反射層除去,使所述第一區(qū)域的被所述掩模涂膜保護的所述反射層殘留。
9.一種防偽結(jié)構(gòu)體的制造方法,其具備:
在微細凹凸形成層的一個主面上形成分別含有凹凸結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域及第二區(qū)域;
在所述第一區(qū)域及第二區(qū)域的所述凹凸結(jié)構(gòu)上涂覆微粒;
將所述第二區(qū)域的凹凸結(jié)構(gòu)上的所述微粒除去、而在所述第一區(qū)域的凹凸結(jié)構(gòu)的凹部中填充所述微粒;
在配置于所述第一區(qū)域的凹凸結(jié)構(gòu)的凹部中的所述微粒上及所述第二區(qū)域的凹凸結(jié)構(gòu)上涂覆反射層;以及
利用溶解或物理性除去法將存在于所述第一區(qū)域的凹凸結(jié)構(gòu)的凹部中的所述微粒及反射層除去。
10.根據(jù)權(quán)利要求7~9中任一項所述的防偽結(jié)構(gòu)體的制造方法,其中,所述微粒具有芯殼結(jié)構(gòu),且該芯殼結(jié)構(gòu)中的殼由在規(guī)定溫度下發(fā)生軟化的聚合物形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的防偽結(jié)構(gòu)體的制造方法,其中,所述微粒是含有聚合物的粒子,且按照在規(guī)定溫度下變化成膜狀的方式構(gòu)成。
12.根據(jù)權(quán)利要求7~9中任一項所述的防偽結(jié)構(gòu)體的制造方法,其中,所述微粒含有聚合物,且所述聚合物的至少一部分通過電磁波的照射而表現(xiàn)粘性或使粘性消失。
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