[發明專利]半導體裝置和顯示裝置

有效

• 申請號: 201380051280.2
• 申請日: 2013-09-25
• 公開（公告）號: CN104704546B
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發明（設計）人: 中田幸伸;前田昌紀
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: G09F9/30
• 分類號: G09F9/30;G02F1/1368;G09F9/00;H01L21/822;H01L27/04;H01L29/786
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司11322
• 代理人: 龍淳,池兵

技術領域

本發明涉及半導體裝置和顯示裝置。

背景技術

在液晶顯示裝置所使用的液晶面板中，作為用于控制各像素的動作的開關元件，呈行列狀設置有多個TFT。以往，作為TFT所使用的半導體膜，一般使用非晶硅等硅半導體，但是，近年來，提出了使用電子遷移率更高的氧化物半導體作為半導體膜。將使用這樣的氧化物半導體的TFT作為開關元件使用的液晶顯示裝置的一個例子記載在下述專利文獻1中。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2010-230744號公報

(發明要解決的技術問題)

氧化物半導體，因為電子遷移率高，所以能夠使TFT更加小型化從而能夠使液晶面板的開口率提高，而且能夠在設置有TFT的陣列基板上設置各種電路部。然而，當在陣列基板上形成電路部時，例如在制造過程中產生的靜電有可能施加到電路部，這樣時電路部有可能產生不良。

發明內容

本發明是基于上述情況完成的，其目的在于抑制由靜電導致的不良的產生。

(用于解決技術問題的手段)

本發明的半導體裝置包括：基板；形成在上述基板上的第1金屬膜；至少形成在上述第1金屬膜上的絕緣膜；形成在上述絕緣膜上的半導體膜；至少形成在上述半導體膜上保護上述半導體膜的保護膜；形成在上述保護膜上的第2金屬膜；半導體功能部，該半導體功能部至少具有：由上述第2金屬膜形成的2個電極部、由上述保護膜形成且具有在與2個上述電極部重疊的位置分別貫通形成的2個半導體功能部側開口部的保護部、和由上述半導體膜形成且通過2個上述半導體功能部側開口部與2個上述電極部分別連接并且具有在俯視時與上述電極部的外緣部交叉的外緣部的半導體部；靜電釋放配線部，該靜電釋放配線部由上述第1金屬膜形成，配置于在俯視時與上述半導體功能部相鄰的位置，沿上述基板的板面且沿與2個上述電極部的排列方向交叉的方向延伸，并且能夠使靜電釋放；半導體功能部連接配線部，該半導體功能部連接配線部由上述第2金屬膜形成，與2個上述電極部中的一個連接，并且沿上述基板的板面且沿2個上述電極部的排列方向延伸從而與上述靜電釋放配線部交叉；和靜電保護部，該靜電保護部至少具有靜電引導部，該靜電引導部由上述第2金屬膜或上述半導體膜形成，在俯視時至少一部分與上述靜電釋放配線部重疊，且配置在與上述靜電釋放配線部和上述半導體功能部連接配線部的交叉部位相比相對靠近上述半導體功能部的位置，并且用于引導靜電。

這樣，半導體功能部中，與2個電極部連接的半導體部具有在俯視時與電極部的外緣部交叉的外緣部，因此，在半導體部的外緣部與電極部的外緣部的交叉位置配置在下層側的絕緣膜的覆蓋率局部地惡化而導致絕緣性降低，在該半導體裝置的制造過程中產生的靜電有可能被施加在上述交叉位置。關于這一點，在俯視時與半導體功能部相鄰的位置，配置有由第1金屬膜形成、沿基板的板面且沿與2個電極部的排列方向交叉的方向延伸的靜電釋放配線部，并且以在俯視時至少一部分與該靜電釋放配線部重疊的方式配置有由第2金屬膜或半導體膜形成的靜電引導部，因此，被夾在靜電引導部與靜電釋放配線部之間的絕緣膜的覆蓋率局部地惡化而導致絕緣性降低。由此，即使在該半導體裝置的制造過程中產生靜電，也能夠將該靜電引導至靜電引導部，由此能夠使得靜電難以直接施加到半導體功能部。而且，靜電保護部所具有的靜電引導部，配置在與半導體功能部連接配線部和靜電釋放配線部的交叉部位相比相對靠近半導體功能部的位置，其中，上述半導體功能部連接配線部由第2金屬膜形成，與2個電極部中的一個連接，并且沿基板的板面且沿2個電極部的排列方向延伸，因此，能夠更適當地引導朝向半導體功能部的靜電，由此能夠進一步抑制靜電直接施加到半導體功能部。

作為本發明的實施方式，優選如下的結構。

(1)上述半導體膜由氧化物半導體形成。由此，當半導體膜采用氧化物半導體時，在制造過程中形成第2金屬膜時容易被蝕刻，另外在成膜后也處于容易被氧化或還原的趨勢，但是在半導體膜與第2金屬膜之間設置有保護膜，利用保護膜保護半導體膜，因此，在形成第2金屬膜時難以被蝕刻，另外在成膜后半導體膜難以被氧化或還原。

(2)上述靜電引導部由上述半導體膜形成。由此，配置在靜電引導部的正下方的絕緣膜的覆蓋率進一步惡化，因此，能夠進一步提高靜電引導效果。另外，當靜電引導部由半導體膜形成時，與假設靜電引導部由第2金屬膜構成的情況相比，例如即使在無法充分確保下層側的靜電釋放配線部的線寬的情況下，也能夠使靜電釋放配線部難以發生短路，因此，能夠提高成品率。