[發明專利]半導體裝置和顯示裝置

有效

• 申請號: 201380051280.2
• 申請日: 2013-09-25
• 公開（公告）號: CN104704546B
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發明（設計）人: 中田幸伸;前田昌紀
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: G09F9/30
• 分類號: G09F9/30;G02F1/1368;G09F9/00;H01L21/822;H01L27/04;H01L29/786
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司11322
• 代理人: 龍淳,池兵

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

基板；

形成在所述基板上的第1金屬膜；

至少形成在所述第1金屬膜上的絕緣膜；

形成在所述絕緣膜上的半導體膜；

至少形成在所述半導體膜上保護所述半導體膜的保護膜；

形成在所述保護膜上的第2金屬膜；

半導體功能部，該半導體功能部至少具有：由所述第2金屬膜形成的2個電極部、由所述保護膜形成且具有在與2個所述電極部重疊的位置分別貫通形成的2個半導體功能部側開口部的保護部、和由所述半導體膜形成且通過2個所述半導體功能部側開口部與2個所述電極部分別連接并且具有在俯視時與所述電極部的外緣部交叉的外緣部的半導體部；

靜電釋放配線部，該靜電釋放配線部由所述第1金屬膜形成，配置于在俯視時與所述半導體功能部相鄰的位置，沿所述基板的板面且沿與2個所述電極部的排列方向交叉的方向延伸，并且能夠使靜電釋放；

半導體功能部連接配線部，該半導體功能部連接配線部由所述第2金屬膜形成，與2個所述電極部中的一個連接，并且沿所述基板的板面且沿2個所述電極部的排列方向延伸從而與所述靜電釋放配線部交叉；和

靜電保護部，該靜電保護部至少具有靜電引導部，該靜電引導部由所述第2金屬膜或所述半導體膜形成，在俯視時至少一部分與所述靜電釋放配線部重疊，且配置在與所述靜電釋放配線部和所述半導體功能部連接配線部的交叉部位相比相對靠近所述半導體功能部的位置，并且用于引導靜電。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

所述半導體膜由氧化物半導體形成。

3.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于：

所述氧化物半導體為包含銦、鎵和鋅的氧化物。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

所述靜電保護部具有第2靜電引導部，該第2靜電引導部由所述第2金屬膜形成，以在俯視時至少一部分與所述靜電引導部重疊的方式配置，并且具有與所述靜電引導部的外緣部交叉的外緣部。

5.如權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于：

所述靜電引導部在俯視時呈方形狀，而所述第2靜電引導部配置成其外緣部與所述靜電引導部的外緣部至少在4個位置交叉。

6.如權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于：

所述第2靜電引導部形成為：至少具有與所述靜電引導部的4邊的各外緣部分別平行的4個外緣部，并且相互平行的外緣部間的距離與所述靜電引導部的相互平行的外緣部間的距離不同。

7.如權利要求1～6中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，包括：

第2半導體功能部連接配線部，該第2半導體功能部連接配線部由所述第2金屬膜形成，且與所述半導體功能部具有的2個所述電極部中的另一個連接；

第2半導體功能部連接配線部側絕緣部，該第2半導體功能部連接配線部側絕緣部由所述絕緣膜和所述保護膜形成，且具有在俯視時與所述第2半導體功能部連接配線部重疊的位置貫通形成的第2半導體功能部連接配線部側開口部；和

靜電釋放配線側連接部，該靜電釋放配線側連接部由所述第1金屬膜形成，且與所述靜電釋放配線部連接，并且以在俯視時至少一部分與所述第2半導體功能部連接配線部重疊的方式配置，并且通過所述第2半導體功能部連接配線部側開口部與所述第2半導體功能部連接配線部連接。

8.如權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于：

包括第2半導體功能部，該第2半導體功能部至少具有：由所述第2金屬膜形成的2個第2電極部；由所述保護膜形成且具有在與2個所述第2電極部重疊的位置分別貫通形成的2個第2半導體功能部側開口部的第2保護部；和由所述半導體膜形成且通過2個所述第2半導體功能部側開口部與2個所述第2電極部分別連接的第2半導體部，

所述半導體功能部連接配線部使2個所述電極部中的一個與2個所述第2電極部中的一個短路，而所述第2半導體功能部連接配線部使2個所述電極部中的另一個與2個所述第2電極部中的另一個短路。