[發(fā)明專利]光電子構(gòu)件和用于制造光電子構(gòu)件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380050893.4
• 申請日: 2013-09-25
• 公開（公告）號: CN104685645B
• 公開（公告）日: 2017-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馬丁·魯?shù)婪颉へ惲指?/a>;克里斯托夫·克倫普;馬庫斯·布勒爾
• 申請（專利權(quán)）人: 歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/02;H01L33/20;H01L23/544
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 丁永凡,高少蔚

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種光電子構(gòu)件。本發(fā)明還涉及一種用于制造光電子構(gòu)件的方法。

本申請要求德國專利申請10 2012 217 539.3的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容通過參考并入本文。

背景技術(shù)

從公開文獻WO 92/10852A1中已知在共同的板上制造并且此后分割的相同類型的半導(dǎo)體芯片。在共同的板上形成半導(dǎo)體芯片之后，在半導(dǎo)體芯片旁邊、但是在板上形成記號，所述記號分別對應(yīng)于半導(dǎo)體芯片在共同的板上的位置。在分割半導(dǎo)體芯片之后，所述半導(dǎo)體芯片分別包括之前的共同的板的所述邊緣區(qū)域，使得還能夠?qū)崿F(xiàn)關(guān)于其在共同的板上的較早的位置的了解。

關(guān)于此尤其不利的是，這種類型的標(biāo)記需要大量位置，由于總是必須充足地為共同的板上的記號預(yù)留位置，其中因此該預(yù)留的位置不再能夠用于芯片本身。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明所基于的目的能夠在于：提供一種改進的光電子構(gòu)件，所述光電子構(gòu)件克服已知的缺點。

本發(fā)明所基于的目的也能夠在于：提供一種相應(yīng)的用于制造光電子構(gòu)件的方法。

所述目的借助于本發(fā)明的相應(yīng)的主題來實現(xiàn)。有利的設(shè)計方案是相應(yīng)的下面的描述的主題。

根據(jù)一個方面，提供一種光電子構(gòu)件。所述光電子構(gòu)件包括襯底，在所述襯底上施加有半導(dǎo)體層序列。半導(dǎo)體層序列具有用于標(biāo)識構(gòu)件的至少一個標(biāo)識件。

根據(jù)另一個方面，提供一種用于制造光電子構(gòu)件的方法。在生長襯底上形成半導(dǎo)體層序列。此外，將半導(dǎo)體層序列設(shè)有用于標(biāo)識構(gòu)件的標(biāo)識件。

因此，本發(fā)明尤其包括如下思想：設(shè)有用于標(biāo)識構(gòu)件的標(biāo)識件，所述標(biāo)識件直接地由半導(dǎo)體層序列包括。因此，有利地，不必再在生長襯底上為相應(yīng)的記號預(yù)留面積。因此，生長襯底的現(xiàn)有的面積能夠尤其有效地用于半導(dǎo)體層序列的各個半導(dǎo)體層的生長。即這尤其是說，與已知的現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠在共同的生長襯底上形成更多的光電子構(gòu)件，其中盡管如此經(jīng)由半導(dǎo)體層序列的標(biāo)識件，仍能夠?qū)崿F(xiàn)標(biāo)識相應(yīng)的半導(dǎo)體構(gòu)件。

此外，有利地能夠?qū)崿F(xiàn)：將生長襯底在形成包括標(biāo)識件的半導(dǎo)體層序列之后移除，并且隨后將半導(dǎo)體層序列設(shè)置到另一個襯底或薄膜上，而在此沒有失去標(biāo)識光電子構(gòu)件的可能性。這因此是因為標(biāo)識件不是生長襯底的一部分、而是更確切地說是半導(dǎo)體層序列的一部分。

在本發(fā)明的范圍中，標(biāo)識件尤其也能夠稱作為識別標(biāo)志并且尤其有利地引起單義地標(biāo)識光電子構(gòu)件。標(biāo)識件例如能夠包括數(shù)字編碼、字母編碼或字母數(shù)字編碼。例如，標(biāo)識件能夠包括顏色編碼。即這尤其是說，能夠應(yīng)用數(shù)字、字母或顏色，以便標(biāo)識光電子構(gòu)件。因此，借助于標(biāo)識件，能夠尤其有利地實現(xiàn)該光電子構(gòu)件相對于其他的光電子構(gòu)件的區(qū)分。即這尤其是說，當(dāng)在共同的生長襯底上形成多個光電子構(gòu)件時，能夠?qū)⑺龉怆娮訕?gòu)件彼此區(qū)分。特別地，標(biāo)識件包括關(guān)于半導(dǎo)體層序列在生長襯底上的位置的位置信息。

根據(jù)一個實施方式，能夠形成多個標(biāo)識件。所述標(biāo)識件能夠優(yōu)選相同地或尤其不同地形成。通過設(shè)置多個標(biāo)識件，有利地如下引起冗余：即使在一個標(biāo)識件失效的情況下、即當(dāng)例如不再能夠可靠地讀取所述標(biāo)識件時，總是還設(shè)有至少一個另外的用于標(biāo)識構(gòu)件的標(biāo)識件。結(jié)合標(biāo)識件所進行的實施方案類似地適用于具有多個標(biāo)識件的實施方式。

根據(jù)一個實施方式能夠提出：半導(dǎo)體層序列包括用于產(chǎn)生電磁輻射的有源區(qū)。有源區(qū)例如能夠形成為發(fā)射體層。

根據(jù)另一個實施方式能夠提出：設(shè)有用于從有源區(qū)或發(fā)射體層中耦合輸出電磁輻射的耦合輸出層。

根據(jù)另一個實施方式能夠提出：標(biāo)識件包括半導(dǎo)體層序列的層中的一個層的以編碼的方式結(jié)構(gòu)化的區(qū)域。即這尤其是說，層的區(qū)域被結(jié)構(gòu)化或者是結(jié)構(gòu)化的，使得在結(jié)構(gòu)化的區(qū)域編入編碼。因此，該區(qū)域尤其以編碼的方式結(jié)構(gòu)化。

根據(jù)一個實施方式能夠提出：編碼的結(jié)構(gòu)化的區(qū)域包括耦合輸出層的編碼的表面結(jié)構(gòu)。即這尤其是說，通過耦合輸出層的表面以相應(yīng)編碼的方式結(jié)構(gòu)化，將編碼寫入或編入到耦合輸出層的表面中。例如能夠提出：耦合輸出層的表面借助于沖模以編碼的方式結(jié)構(gòu)化。

根據(jù)另一個實施方式能夠提出：編碼的結(jié)構(gòu)化的區(qū)域形成為條形碼。特別地，條形碼能夠形成為一維條形碼或二維條形碼。特別地，設(shè)有多個條形碼，所述條形碼能夠尤其相同地或優(yōu)選不同地形成。

半導(dǎo)體層序列的層中的一個層的以編碼的方式結(jié)構(gòu)化的區(qū)域例如能夠設(shè)置在層本身中或尤其在層的表面上形成。尤其能夠提出：在具有編碼的表面結(jié)構(gòu)的層上還施加或設(shè)置有一個或多個另外的層。例如，這種層能夠形成為用于將第一波長的電磁輻射轉(zhuǎn)換成第二波長的電磁輻射的轉(zhuǎn)換層。