[發明專利]光電子構件和用于制造光電子構件的方法

有效

• 申請號: 201380050893.4
• 申請日: 2013-09-25
• 公開（公告）號: CN104685645B
• 公開（公告）日: 2017-09-08
• 發明（設計）人: 馬丁·魯道夫·貝林格;克里斯托夫·克倫普;馬庫斯·布勒爾
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/02;H01L33/20;H01L23/544
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 丁永凡,高少蔚

1.一種光電子構件(101，301，501)，所述光電子構件包括襯底(103，303，503)，在所述襯底上施加有半導體層序列(105，305，505)，其中所述半導體層序列(105，305，505)具有用于標識所述構件(101，301，501)的至少一個標識件(115，315)，

其中所述標識件(115，315)包括所述半導體層序列(105，305，505)的層(107，109，111，113)中的一個層的編碼的結構化的區域，并且其中所述半導體層序列(105，305，505)包括用于產生電磁輻射的有源區(111，513)和用于從所述有源區(111，513)中耦合輸出電磁輻射的耦合輸出層(113，515)，其中所述編碼的結構化的區域包括所述耦合輸出層(113，515)的編碼的表面結構，

其中所述耦合輸出層包括呈所述編碼的表面結構的形式的粗糙化部。

2.根據權利要求1所述的光電子構件(101，301，501)，其中所述編碼的結構化的區域形成為條形碼。

3.根據上述權利要求中任一項所述的光電子構件(101，301，501)，其中所述區域包括所述層的編碼的結構化的表面覆層。

4.根據權利要求3所述的光電子構件(101，301，501)，其中所述表面覆層是抗反射覆層。

5.一種用于制造光電子構件(101，301，501)的方法，其中在生長襯底(1201)上形成半導體層序列(105，305，505)，并且其中將所述半導體層序列(105，305，505)設置有用于標識所述構件(101，301，501)的標識件(115，315)，其中所述半導體層序列(105，305，505)包括耦合輸出層(113，515)，其中所述耦合輸出層包括粗糙化部，所述粗糙化部以編碼的表面結構的形式引入。

6.根據權利要求5所述的方法，其中將所述半導體層序列(105，305，505)在所述生長襯底(1201)上的位置編碼到所述標識件(115，315)中。

7.根據權利要求5或6所述的方法，其中設置的步驟包括形成所述半導體層序列(105，305，505)的層(107，109，111，113)中的一個層的編碼的結構化的區域。

8.根據權利要求6所述的方法，其中形成所述編碼的結構化的區域包括將編碼的結構化的表面覆層施加在所述層上，其中所述表面覆層在所述層上的位置根據所述半導體層序列(105，305，505)在所述生長襯底(1201)上的位置來選擇。

9.根據權利要求8所述的方法，其中將所述表面覆層形成為抗反射覆層。

10.根據權利要求7所述的方法，其中形成所述半導體層序列(105，305，505)包括形成用于產生電磁輻射的有源區(111，513)和形成用于從所述有源區(111，513)中耦合輸出電磁輻射的耦合輸出層(113，515)，其中形成所述編碼的結構化的區域包括形成所述耦合輸出層(113，515)的編碼的表面結構。

11.根據權利要求6所述的方法，其中所述編碼的表面結構在所述耦合輸出層(113，515)上的位置根據所述半導體層序列(105，305，505)在所述生長襯底(1201)上的位置來選擇。

12.根據權利要求10所述的方法，其中形成所述編碼的表面結構借助于壓印法和/或光刻法來執行。