[發明專利]擴展的源漏MOS晶體管及形成方法

在審

• 申請號: 201380050798.4
• 申請日: 2013-08-26
• 公開（公告）號: CN104662665A
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發明（設計）人: C-S.蘇;M.塔達尤尼;Y-H.陳
• 申請（專利權）人: 硅存儲技術公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 趙華偉;肖日松

1.一種晶體管，包括：

襯底；

導電柵極，其設置于所述襯底上方并且與所述襯底絕緣，其中所述襯底中的溝道區設置于所述導電柵極下方；

第一絕緣材料間隔物，其位于所述襯底上方并且橫向地相鄰于所述導電柵極的第一側；

第二絕緣材料間隔物，其位于所述襯底上方并且橫向地相鄰于所述導電柵極的與所述第一側相對的第二側；

源極區，其形成于所述襯底中并且相鄰于所述導電柵極的所述第一側和所述第一間隔物，但與所述導電柵極的所述第一側和所述第一間隔物橫向地間隔開；

漏極區，其形成于所述襯底中并且相鄰于所述導電柵極的所述第二側和所述第二間隔物，但與所述導電柵極的所述第二側和所述第二間隔物橫向地間隔開；

第一LD區，其形成于所述襯底中并且在所述溝道區和所述源極區之間橫向地擴展，其中所述第一LD區具有設置于所述第一間隔物下方的第一部分和不設置于所述第一及第二間隔物下方并且不設置于所述導電柵極下方的第二部分，并且其中所述第一LD區的摻雜物濃度小于所述源極區的摻雜物濃度；以及

第二LD區，其形成于所述襯底中并且在所述溝道區和所述漏極區之間橫向地擴展，其中所述第二LD區具有設置于所述第二間隔物下方的第一部分和不設置于所述第一及第二間隔物下方并且不設置于所述導電柵極下方的第二部分，并且其中所述第二LD區的摻雜物濃度小于所述漏極區的摻雜物濃度。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中：

所述第一LD區的邊緣與所述導電柵極的所述第一側對準；并且

所述第二LD區的邊緣與所述導電柵極的所述第二側對準。

3.根據權利要求1所述的裝置，其中所述導電柵極通過絕緣材料層與所述襯底絕緣，并且其中所述第一及第二間隔物直接相鄰于所述絕緣材料層和所述導電柵極。

4.一種形成晶體管的方法，包括：

在襯底上方形成導電柵極并且使其與所述襯底絕緣，其中所述襯底中的溝道區設置于所述導電柵極下方；

執行第一次注入，將摻雜物注入到所述襯底的相鄰于所述導電柵極的相對的第一及第二側的部分中，以分別在所述襯底中形成第一及第二LD區；

形成第一絕緣材料間隔物，其位于所述襯底中的所述第一LD區上方并且橫向地相鄰于所述導電柵極的所述第一側；

形成第二絕緣材料間隔物，其位于所述襯底中的所述第二LD區上方并且橫向地相鄰于所述導電柵極的所述第二側；

形成掩模材料，所述掩模材料至少在所述襯底的直接橫向地相鄰于所述第一及第二間隔物的部分上方擴展，但使得與所述第一及第二間隔物橫向地間隔開的所述襯底的至少部分處于暴露狀態；

執行第二次注入，將摻雜物注入到所述襯底的所述暴露部分，以在所述襯底中形成相鄰于所述導電柵極的所述第一側和所述第一間隔物、但與所述導電柵極的所述第一側和所述第一間隔物橫向地間隔開的源極區，以及在所述襯底中形成相鄰于所述導電柵極的所述第二側和所述第二間隔物、但與所述導電柵極的所述第二側和所述第二間隔物橫向地間隔開的漏極區；

其中所述第一LD區在所述溝道區和所述源極區之間橫向地擴展，并且具有設置于所述第一間隔物下方的第一部分和不設置于所述第一及第二間隔物下方并且不設置于所述導電柵極下方的第二部分，并且其中所述第一LD區的摻雜物濃度小于所述源極區的摻雜物濃度；并且

其中所述第二LD區在所述溝道區和所述漏極區之間橫向地擴展，并且具有設置于所述第二間隔物下方的第一部分和不設置于所述第一及第二間隔物下方并且不設置于所述導電柵極下方的第二部分，并且其中所述第二LD區的摻雜物濃度小于所述漏極區的摻雜物濃度。

5.根據權利要求4所述的方法，其中：

所述掩模材料的形成還包括使所述導電柵極的至少一部分處于暴露狀態；并且

所述第二次注入的執行還包括將所述摻雜物同時注入到所述導電柵極和所述襯底的所述暴露部分中。

6.根據權利要求4所述的方法，其中所述掩模材料在所述第一及第二間隔物上方進一步擴展。