[發明專利]多層基板的制造方法、多層絕緣膜及多層基板

有效

• 申請號: 201380050669.5
• 申請日: 2013-09-25
• 公開（公告）號: CN104685979B
• 公開（公告）日: 2018-11-16
• 發明（設計）人: 白波瀬和孝;鹽見和義;林達史
• 申請（專利權）人: 積水化學工業株式會社
• 主分類號: H05K3/46
• 分類號: H05K3/46;H05K1/03;H05K3/10
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張濤

1.一種多層基板的制造方法，

其使用多層絕緣膜，該多層絕緣膜具有第1絕緣層和疊層于所述第1絕緣層的一個表面上的第2絕緣層，所述第1絕緣層和所述第2絕緣層分別含有無機填充材料，所述第1絕緣層中除去溶劑的成分100重量％中，所述無機填充材料的含量為40重量％以上，所述第2絕緣層中除去溶劑的成分100重量％中，所述無機填充材料的含量為40重量％以上，所述第1絕緣層和所述第2絕緣層分別含有熱固化性樹脂，

所述第2絕緣層如下構成：在將所述第2絕緣層的局部除去時，能夠將所述第1絕緣層和所述第2絕緣層中的僅所述第2絕緣層選擇性地除去，從而在得到的絕緣層上形成深度為所述第2絕緣層厚度的槽，

所述制造方法包括如下工序：

在電路基板的表面上疊層所述多層絕緣膜；

將所述第1絕緣層和所述第2絕緣層中的僅所述第2絕緣層的局部選擇性地除去，在得到的絕緣層上形成深度為所述第2絕緣層厚度的槽，得到具有槽的絕緣層；

在形成于所述具有槽的絕緣層的所述槽內通過鍍敷處理形成金屬布線。

2.如權利要求1所述的多層基板的制造方法，其中，

在將所述第2絕緣層的局部除去時，對所述第2絕緣層進行切削或溶解。

3.如權利要求1或2所述的多層基板的制造方法，其中，

在將所述第2絕緣層的局部除去時，使所述第1絕緣層比所述第2絕緣層更硬。

4.如權利要求1或2所述的多層基板的制造方法，其中，

所述多層絕緣膜是如下的多層絕緣膜：在從所述第2絕緣層側進行激光直接圖案化時，能夠將所述第1絕緣層和所述第2絕緣層中的僅所述第2絕緣層選擇性地除去，

通過從所述第2絕緣層側對所述多層絕緣膜進行激光直接圖案化，將所述第1絕緣層和所述第2絕緣層中的僅所述第2絕緣層的局部選擇性地除去，在得到的絕緣層上形成深度為所述第2絕緣層厚度的槽。

5.如權利要求1或2所述的多層基板的制造方法，其中，

在將所述第2絕緣層的局部除去時，使所述第1絕緣層中樹脂成分的交聯度高于所述第2絕緣層中樹脂成分的交聯度，或者，

使所述第1絕緣層中的所述無機填充材料的含量多于所述第2絕緣層中的所述無機填充材料的含量。

6.如權利要求1或2所述的多層基板的制造方法，其中，

使用多層絕緣膜，其中的所述第2絕緣層如下構成：在將所述第2絕緣層的局部除去時，能夠使所述第1絕緣層和所述第2絕緣層中的僅所述第2絕緣層溶解從而選擇性地除去，在得到的絕緣層上形成深度為所述第2絕緣層厚度的槽，

在得到的絕緣層上形成深度為所述第2絕緣層厚度的槽的工序中，將所述第1絕緣層和所述第2絕緣層中的僅所述第2絕緣層選擇性地溶解，而將所述第2絕緣層的局部除去，

能夠在多層絕緣膜的狀態下僅使所述第1絕緣層和所述第2絕緣層之一固化，或者能夠通過照射激光將所述第1絕緣層和所述第2絕緣層中的僅所述第2絕緣層溶解而除去。

7.如權利要求6所述的多層基板的制造方法，其中，

所述多層絕緣膜能夠在多層絕緣膜的狀態下僅使所述第1絕緣層和所述第2絕緣層之一固化。

8.如權利要求6所述的多層基板的制造方法，其中，

在將所述第2絕緣層的局部除去時，能夠通過照射激光將所述第1絕緣層和所述第2絕緣層中的僅所述第2絕緣層溶解而除去。