[發明專利]氮化硅質燒結體及加熱裝置以及吸附裝置

有效

• 申請號: 201380050338.1
• 申請日: 2013-09-27
• 公開（公告）號: CN104684870A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發明（設計）人: 大田瑞穗;石川和洋;織田武廣
• 申請（專利權）人: 京瓷株式會社
• 主分類號: C04B35/584
• 分類號: C04B35/584;F27D11/02;H05B3/14
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

技術領域

本發明涉及氮化硅質燒結體及加熱裝置以及吸附裝置。

背景技術

氮化硅質燒結體由于導熱率高、耐熱沖擊性、耐磨損性也優異，而被用作例如浸漬于鋁、鋅、銅、鎂或這些金屬的合金的熔液的熔融金屬用構件(加熱器用保護管、鐵水包(ladle)、爐膛口(stalk：スト一ク)、脫氣用轉子等)、用于固定半導體晶片的吸附裝置中使用的吸附構件等各種構件。

作為這樣的氮化硅質燒結體，例如，在專利文獻1中提出了一種氮化硅質燒結體，其晶界相包含YbMgSi₂O₅N的結晶，在X射線衍射圖中基于YbMgSi₂O₅N的峰中顯示出最大強度的峰的強度(I_Yb)相對于基于氮化硅的峰中顯示出最大強度的峰的強度(Is)超過0％且為10％以下。

另外，在專利文獻2中提出了一種具有MgY₄Si₃O₁₃的結晶的氮化硅質燒結體。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：國際公開第2008/114752號

專利文獻2：日本專利第28552682號公報

發明要解決的課題

但是，近年來，對于用作各種構件的氮化硅質燒結體，需要進一步高導熱化。

本發明為了滿足上述要求而提出，目的在于提供導熱率高的氮化硅質燒結體及使用其的加熱裝置以及吸附裝置。

發明內容

用于解決課題的手段

本發明的氮化硅質燒結體的特征在于，具有氮化硅的結晶、MgRE₄Si₃O₁₃的結晶(RE為稀土元素)、和REMgSi₂O₅N的結晶。

本發明的加熱裝置的特征在于，具備加熱器、和內包該加熱器進行保護的保護管而成，所述保護管包含上述構成的氮化硅質燒結體。

本發明的吸附裝置的特征在于，具備具有吸附孔的吸附構件、支承該吸附構件的支承構件而成，所述吸附構件包含上述構成的氮化硅質燒結體。

發明效果

根據本發明的氮化硅質燒結體，由于具有氮化硅的結晶、MgRE₄Si₃O₁₃的結晶(RE為稀土元素)、和REMgSi₂O₅N的結晶，而成為導熱率高的氮化硅質燒結體。

另外，根據本發明的加熱裝置，由于具備加熱器、和內包加熱器進行保護的保護管而成，保護管包含上述構成的氮化硅質燒結體，因此能夠將加熱器的熱高效傳導到保護管外部。

另外，根據本發明的吸附裝置，由于具備具有吸附孔的吸附構件、和支承吸附構件的支承構件而成，吸附構件包含上述構成的氮化硅質燒結體，因此能夠將被吸附體所具有的熱高效散熱。

附圖說明

圖1是示意性地表示本實施方式的加熱裝置的一例的剖視圖。

圖2是表示本實施方式的吸附裝置的一例，(a)為立體圖，(b)為(a)的A-A線處的剖視圖。

具體實施方式

以下，對本實施方式的氮化硅質燒結體進行詳述。

本實施方式的氮化硅質燒結體具有氮化硅的結晶、MgRE₄Si₃O₁₃的結晶、和REMgSi₂O₅N的結晶。在此，RE為稀土元素，有鈧(Sc)、釔(Y)及鑭系元素(La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)。而且，本實施方式的氮化硅質燒結體中，作為主相存在氮化硅的結晶，在氮化硅的結晶之間，作為晶界相，至少存在MgRE₄Si₃O₁₃的結晶、REMgSi₂O₅N的結晶及非晶質相。