[發(fā)明專利]氮化硅質(zhì)燒結(jié)體及加熱裝置以及吸附裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380050338.1 | 申請日： | 2013-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN104684870A | 公開（公告）日： | 2015-06-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 大田瑞穗;石川和洋;織田武廣 | 申請（專利權(quán)）人： | 京瓷株式會社 |
| 主分類號： | C04B35/584 | 分類號： | C04B35/584;F27D11/02;H05B3/14 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 蔣亭 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氮化 燒結(jié) 加熱 裝置 以及 吸附 | ||
1.一種氮化硅質(zhì)燒結(jié)體，其特征在于，具有氮化硅的結(jié)晶、MgRE4Si3O13的結(jié)晶(RE為稀土元素)、和REMgSi2O5N的結(jié)晶。
2.如權(quán)利要求1所述的氮化硅質(zhì)燒結(jié)體，其特征在于，含有80質(zhì)量％以上的所述氮化硅而成，利用X射線衍射法求得的衍射角31°～34°處的所述MgRE4Si3O13的結(jié)晶的峰強度I1相對于衍射角27°～28°處的所述氮化硅的結(jié)晶的峰強度I0的比率(I1/I0×100)為2％以上且9％以下。
3.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的氮化硅質(zhì)燒結(jié)體，其特征在于，在表層中散布有包含鐵和硅的第1化合物，當量圓直徑為0.05μm以上且5μm以下的所述第1化合物的個數(shù)在每1mm2中為2.0×104個以上且2.0×105個以下。
4.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中任一項所述的氮化硅質(zhì)燒結(jié)體，其特征在于，在表層中散布有包含鎢和硅的第2化合物，當量圓直徑為0.05μm以上且5μm以下的所述第2化合物的個數(shù)在每1mm3中為2.0×104個以上且2.0×105個以下。
5.一種加熱裝置，其特征在于，具備加熱器、和內(nèi)包該加熱器進行保護的保護管而成，所述保護管包含權(quán)利要求1至權(quán)利要求4中任一項所述的氮化硅質(zhì)燒結(jié)體。
6.一種吸附裝置，其特征在于，具備具有吸附孔的吸附構(gòu)件、支承該吸附構(gòu)件的支承構(gòu)件而成，所述吸附構(gòu)件包含權(quán)利要求1至權(quán)利要求4中任一項所述的氮化硅質(zhì)燒結(jié)體。
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