[發明專利]光電子的半導體構件和用于制造光電子的半導體構件的方法

有效

• 申請號: 201380050096.6
• 申請日: 2013-09-06
• 公開（公告）號: CN104662658B
• 公開（公告）日: 2017-06-06
• 發明（設計）人: 斯特凡·伊萊克;托馬斯·施瓦茨;于爾根·莫斯布格爾;沃爾特·韋格萊特
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 丁永凡,張春水

1.一種光電子的半導體構件(1)，具有：

-載體(2)，所述載體具有至少一個轉換機構體(21)和囊封體(22)，在俯視圖中觀察，所述囊封體至少局部地圍繞所述轉換機構體(21)，

-電接觸結構(3)，所述電接觸結構至少間接地安置在所述載體(2)上，和

-多個光電子的半導體芯片(4)，所述光電子的半導體芯片安置在所述載體(2)的主側上并且所述光電子的半導體芯片構建用于產生輻射，

其中

-所述轉換機構體(21)形成為板，

-所述囊封體(22)由塑料或者硅酮或者樹脂成形，

-所述半導體芯片(4)與所述轉換機構體(21)直接機械連接，

-所述轉換機構體(21)不具有用于所述電接觸結構(3)的凹陷部并且不被所述電接觸結構穿過，并且

-形成所述電接觸結構(3)的一部分的并且構建用于對各個所述半導體芯片(4)通電的印制導線(33)位于所述載體(2)和所述半導體芯片(4)之間的平面中。

2.根據權利要求1所述的光電子的半導體構件(1)，

其中所述載體(2)是機械承載和支撐所述半導體構件(1)的部件，其中相鄰的半導體芯片(4)之間的平均間距為至多200μm。

3.根據權利要求1或2所述的光電子的半導體構件(1)，

其中所述半導體芯片(4)的電接觸部位朝向所述載體(2)。

4.根據權利要求1或2所述的光電子的半導體構件(1)，

其中在所述電接觸結構(3)和所述轉換機構體(21)之間至少局部地存在鏡(6)。

5.根據權利要求1或2所述的光電子的半導體構件(1)，

其中所述半導體芯片(4)矩陣狀地設置在至少一個場的內部，并且所述轉換機構體(21)在整個所述場上延伸，

其中在俯視圖中觀察，所述囊封體(22)的場旁邊的區域中與在所述轉換機構體(21)處相比具有更大的厚度，

其中所述轉換機構體(21)的厚度是恒定的。

6.根據權利要求5所述的光電子的半導體構件(1)，

其中所述囊封體(22)在所述場旁邊的區域中由至少兩個電通孔(35)穿過，

其中所述半導體構件(1)構建用于在所述載體(2)的背離所述半導體芯片(4)的輻射主側(20)上被電連接。

7.根據權利要求1或2所述的光電子的半導體構件(1)，

其中在所述半導體芯片(4)的背離所述載體(2)的一側上安置有熱沉(5)。

8.根據權利要求7所述的光電子的半導體構件(1)，

其中所述熱沉(5)形狀配合地并且連續地在所有的半導體芯片(4)上延伸。

9.根據權利要求7所述的光電子的半導體構件(1)，

其中所述熱沉(5)是分段的，其中所述熱沉的區段與所述半導體芯片(4)中的一個或多個相關聯。

10.根據權利要求1或2所述的光電子的半導體構件(1)，

所述半導體構件包括所述轉換機構體(21)中的多個，

其中所述轉換機構體(21)經由所述囊封體(22)機械持久地并且牢固地彼此連接。

11.根據權利要求1或2所述的光電子的半導體構件(1)，

其中所述轉換機構體(21)是陶瓷。

12.一種用于制造根據權利要求1或2所述的光電子的半導體構件(1)的方法，所述方法具有下述步驟：

A)提供至少一個轉換機構體(21)，

B)用囊封體(22)對所述轉換機構體(21)改型，

C)將各個所述半導體芯片(4)安置在所述轉換機構體(21)上，

D)通過填充物(7)對所述半導體芯片(4)改型，并且

E)借助于材料沉積在所述半導體芯片(4)和所述填充物(7)的背離所述載體(2)的一側上成形熱沉(5)，

其中所述方法步驟以所給出的順序執行。