[發明專利]樹脂組合物、固化膜、層合膜及半導體器件的制造方法有效
| 申請號： | 201380050026.0 | 申請日： | 2013-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN104662097B | 公開（公告）日： | 2018-06-05 |
| 發明（設計）人： | 渡邊拓生;李忠善 | 申請（專利權）人： | 東麗株式會社 |
| 主分類號： | C08L79/08 | 分類號： | C08L79/08;B32B27/34;C08G73/10;C08K5/05;C09J7/30;C09J7/25;C09J11/06;C09J179/08;H01L21/301;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 楊宏軍 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 樹脂組合物 層合膜 殘基 聚酰亞胺類樹脂 聚硅氧烷類 二胺殘基 碳原子數 固化膜 二胺 羥甲基類化合物 烷基 半導體器件 芳香族二胺 熱處理工序 剝離基材 高耐熱性 苯氧基 固化物 酸二酐 亞苯基 亞烷基 粘合力 粘合性 苯基 揮發 羥基 剝離 分解 制造 | ||
1.一種樹脂組合物，包含聚酰亞胺類樹脂及羥甲基類化合物，其特征在于，所述聚酰亞胺類樹脂具有酸二酐殘基及二胺殘基，并且，作為所述二胺殘基，至少具有下述通式(1)表示的聚硅氧烷類二胺的殘基及帶有羥基的芳香族二胺的殘基，
式中，n為自然數，由聚硅氧烷類二胺的平均分子量算出的n的平均值為5～30的范圍；R1及R2可以相同或不同，各自表示碳原子數1～30的亞烷基或亞苯基；R3～R6可以相同或不同，各自表示碳原子數1～30的烷基、苯基或苯氧基，
所述羥甲基類化合物為具有2個以上下述通式(6)表示的基團的化合物，
式中，R47在化合物中存在復數個時，可以相同或不同，各自表示氫或碳原子數1～10的烷基，
所述帶有羥基的芳香族二胺為下述通式(2)～(5)中的任一個表示的芳香族二胺，
式中，R7～R10中的至少1個為羥基，其余的可以相同或不同，表示選自氫原子、碳原子數1～30的烷基、碳原子數1～30的烷氧基、鹵原子、羧基、磺基、硝基及氰基中的基團；
式中，X1表示直接鍵合或選自O、S、SO、SO2、CO、CH2、C(CH3)2及C(CF3)2中的基團，R11～R18中的至少1個為羥基，其余的可以相同或不同，表示選自氫原子、碳原子數1～30的烷基、碳原子數1～30的烷氧基、鹵原子、羧基、磺基、硝基及氰基中的基團；
式中，X2、Y2可以相同或不同，各自表示直接鍵合或選自O、S、SO、SO2、CO、CH2、C(CH3)2及C(CF3)2中的基團；R19～R30中的至少1個為羥基，其余的可以相同或不同，表示選自氫原子、碳原子數1～30的烷基、碳原子數1～30的烷氧基、鹵原子、羧基、磺基、硝基及氰基中的基團；
式中，X3、Y3、Z3可以相同或不同，各自表示直接鍵合或選自O、S、SO、SO2、CO、CH2、C(CH3)2及C(CF3)2中的基團；R31～R46中的至少1個為羥基，其余的可以相同或不同，表示選自氫原子、碳原子數1～30的烷基、碳原子數1～30的烷氧基、鹵原子、羧基、磺基、硝基及氰基中的基團，
作為二胺殘基，在全部二胺殘基中含有60～90摩爾％的所述通式(1)表示的聚硅氧烷類二胺的殘基，
作為二胺殘基，在全部二胺殘基中含有1～40摩爾％的所述帶有羥基的芳香族二胺的殘基，
所述羥甲基類化合物的含量相對于100重量份所述聚酰亞胺類樹脂為1～20重量份。
2.如權利要求1所述的樹脂組合物，其中，酸二酐殘基為芳香族四羧酸二酐的殘基。
3.如權利要求1所述的樹脂組合物，其中，固化后的玻璃化溫度為40℃以下。
4.一種固化膜，所述固化膜是將權利要求1～3中任一項所述的樹脂組合物固化而得到的。
5.一種層合膜，所述層合膜是在耐熱性絕緣膜的至少一面上層合權利要求1～3中任一項所述的樹脂組合物而得到的。
6.如權利要求5所述的層合膜，其中，所述耐熱性絕緣膜的表面進行了脫模處理。
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