[發明專利]具有多個并排設置的有源區域的光電子半導體芯片

有效

• 申請號: 201380049143.5
• 申請日: 2013-09-19
• 公開（公告）號: CN104823287B
• 公開（公告）日: 2017-10-20
• 發明（設計）人: 盧茨·赫佩爾;亞歷山大·F·普福伊費爾
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/08;H01L33/40;H01L27/15;H01L33/44
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 丁永凡,李德山

1.一種光電子半導體芯片(1)，包括：

-半導體層序列(2)，所述半導體層序列具有適合于發射輻射的有源區(4)；

-載體襯底(10)；和

-鏡層(6)，所述鏡層設置在所述半導體層序列(2)和所述載體襯底(10)之間，其中

-所述半導體層序列(2)劃分成多個并排設置的有源區域(11，12)，

-多個所述有源區域(11，12)分別通過所述半導體層序列(2)中的溝道(13)彼此分開，其中所述溝道分別分開所述半導體層序列(2)和所述鏡層(6)，其中所述有源區域(11，12)具有至少一個內部的有源區域(12)和外部的有源區域(11)，在內部的所述有源區域中所述鏡層(6)的所有的側面(16)分別朝向溝道(13)，在外部的所述有源區域中所述鏡層(6)的至少一個側面(17)朝向所述半導體芯片(1)的外側(15)，

-所述鏡層(6)具有朝向溝道(13)的側面(16)和朝向所述半導體芯片(1)的外側(15)的側面(17)，

-所述鏡層(6)的朝向所述半導體芯片(1)的外側(15)的所述側面(17)具有金屬封裝層(7)，和

-所述鏡層(6)的朝向溝道(13)的所述側面(16)的至少一部分具有介電封裝層(9)。

2.根據權利要求1所述的光電子半導體芯片，

其中所述鏡層的朝向溝道(13)的所有的側面(16)都具有介電封裝層(9)。

3.根據權利要求1所述的光電子半導體芯片，

其中外部的所述有源區域(11)中的所述鏡層的朝向溝道(13)且在一側上與所述半導體芯片(1)的外側(15)相鄰的側面(16)在與所述外側(15)相鄰的外部的區域(16a)中具有金屬封裝層(7)并且在內部的區域(16b)中具有介電封裝層(9)。

4.根據權利要求3所述的光電子半導體芯片，

其中具有所述金屬封裝層(7)的與所述外側(15)相鄰的所述外部的區域(16a)具有5μm和10μm之間的寬度。

5.根據權利要求1所述的光電子半導體芯片，

其中在外部的所述有源區域(11)中所述鏡層的朝向溝道(13)的、在一側上與所述半導體芯片(1)的所述外側(15)相鄰的所有的側面(16)都具有金屬封裝層(7)。

6.根據權利要求1所述的光電子半導體芯片，

其中在外部的所述有源區域(11)中所述鏡層(6)的所有的側面(16，17)都具有金屬封裝層(7)。

7.根據權利要求1或2所述的光電子半導體芯片，

其中所述介電封裝層(9)包含氧化鋁或者氧化硅。

8.根據權利要求1或2所述的光電子半導體芯片，

其中所述介電封裝層(9)沒有細孔。

9.根據權利要求1或2所述的光電子半導體芯片，

其中所述金屬封裝層(7)具有由金屬或者金屬合金構成的一個或多個層。

10.根據權利要求1或2所述的光電子半導體芯片，

其中所述金屬封裝層(7)具有金屬鉑、鈦或者金中的至少一種。

11.根據權利要求1或2所述的光電子半導體芯片，

其中所述鏡層(6)與所述半導體層序列(2)相比具有更小的橫向擴展，并且所述介電封裝層(9)和/或所述金屬封裝層(7)的子區域延伸到所述半導體層序列(2)下方。

12.根據權利要求1或2所述的光電子半導體芯片，

其中所述半導體層序列(2)完全由所述介電封裝層(9)覆蓋。

13.根據權利要求1或2所述的光電子半導體芯片，

其中多個所述有源區域(11，12)構成由多個行和列構成的矩陣。

14.根據權利要求1或2所述的光電子半導體芯片，

其中多個所述有源區域(11，12)串聯連接。