[發明專利]鰭寬依賴性降低的SOIFINFET有效
| 申請號： | 201380048327.X | 申請日： | 2013-09-10 |
| 公開（公告）號： | CN104641470B | 公開（公告）日： | 2018-01-05 |
| 發明（設計）人： | F·霍夫曼 | 申請（專利權）人： | 索泰克公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司11127 | 代理人： | 呂俊剛,劉久亮 |
| 地址： | 法國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 依賴性 降低 soi finfet | ||
1.一種使至少第一finfet晶體管(1000)和第二finfet晶體管(1000)極化的方法，
其中，所述第一finfet晶體管的鰭寬(W2)大于所述第二finfet晶體管的鰭寬(W1)，并且所述第一finfet晶體管和所述第二finfet晶體管這二者具有背柵(1600)，并且
所述方法包括以下步驟：將相同的恒定第一電壓(V1)施加在所述第一finfet晶體管的背柵上和所述第二finfet晶體管的背柵上，以減小所述第一finfet晶體管的關斷電流值(I1)與所述第二finfet晶體管的關斷電流值(I2)之間的差異(DIFF2)。
2.根據權利要求1所述的方法，其中，第一finfet晶體管和第二finfet晶體管這二者是NMOS型晶體管。
3.根據權利要求2所述的方法，該方法還包括以下步驟：使至少第三finfet晶體管(1000)和第四finfet晶體管(1000)極化，
其中，所述第三finfet晶體管的鰭寬(W2)大于所述第四finfet晶體管的鰭寬(W1)，并且所述第三finfet晶體管和所述第四finfet晶體管這二者具有背柵(1600)，并且
所述方法包括以下步驟：將相同的第二電壓(V2)施加在所述第三finfet晶體管的背柵上和所述第四finfet晶體管的背柵上，以減小所述第三finfet晶體管的關斷電流值(I1)與所述第四finfet晶體管的關斷電流值(I2)之間的差異(DIFF2)。
4.根據權利要求3所述的方法，其中，第三finfet晶體管和第四finfet晶體管這二者是PMOS型晶體管。
5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述第一電壓和所述第二電壓具有相反的極性。
6.根據任何前述權利要求所述的方法，其中，所述finfet晶體管中的任一個是具有垂直側壁的finfet或者具有傾斜側壁的finfet或者雙柵finfet中的任一個。
7.一種半導體結構，該半導體結構包括第一finfet晶體管(1000)和第二finfet晶體管(1000)，
其中，所述第一finfet晶體管的鰭寬(W2)大于所述第二finfet晶體管的鰭寬(W1)，并且所述第一finfet晶體管和所述第二finfet晶體管這二者具有背柵(1600)，并且
其中，所述第一finfet晶體管的背柵和所述第二finfet晶體管的背柵連接到單個恒定第一電壓源(V1)，以減小所述第一finfet晶體管的關斷電流值(I1)與所述第二finfet晶體管的關斷電流值(I2)之間的差異(DIFF2)。
8.根據權利要求7所述的半導體結構，其中，第一finfet晶體管和第二finfet晶體管這二者是NMOS型晶體管。
9.根據權利要求8所述的半導體結構，該半導體結構還包括至少第三finfet晶體管(1000)和第四finfet晶體管(1000)，
其中，所述第三finfet晶體管的鰭寬(W2)大于所述第四finfet晶體管的鰭寬(W1)，并且所述第三finfet晶體管和所述第四finfet晶體管這二者具有背柵(1600)，并且
其中，所述第三finfet晶體管的背柵和所述第四finfet晶體管的背柵連接到單個第二電壓源(V2)，以減小所述第三finfet晶體管的關斷電流值(I1)與所述第四finfet晶體管的關斷電流值(I2)之間的差異(DIFF2)。
10.根據權利要求9所述的半導體結構，其中，第三finfet晶體管和第四finfet晶體管這二者是PMOS型晶體管。
11.根據權利要求10所述的半導體結構，其中，所述第一電壓源和所述第二電壓源被配置為提供極性彼此相反的電壓。
12.根據權利要求7至11中的任一項所述的半導體結構，其中，所述finfet晶體管中的任一個是具有垂直側壁的finfet或者具有傾斜側壁的finfet或者雙柵finfet中的任一個。
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