[發明專利]氮化鎵和金屬氧化物的復合襯底

有效

• 申請號: 201380048079.9
• 申請日: 2013-02-28
• 公開（公告）號: CN104781910B
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發明（設計）人: 橋本忠朗
• 申請（專利權）人: 希波特公司;首爾半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287
• 代理人: 章蕾

相關申請案的交叉參考

本申請案主張優先于在2012年8月23日提出申請的標題為氮化鎵與金屬氧化物的復合襯底(COMPOSITE SUBSTRATE OF GALLIUM NITRIDE AND METAL OXIDE)、發明人橋本忠朗(Tadao Hashimoto)的美國申請案第61/692,411號的權益，所述申請案的全部內容如同在下文全部提出一樣以引用方式并入。

本申請案涉及以下美國專利申請案：

在2005年7月8日由藤田健二(Kenji Fujito)、橋本忠朗和中村修二(Shuji Nakamura)提出申請的標題為“使用高壓釜在超臨界氨中生長III族-氮化物的方法(METHOD FOR GROWING GROUP III-NITRIDE CRYSTALS IN SUPERCRITICAL AMMONIA USING AN AUTOCLAVE)”的PCT實用新型專利申請案第US2005/024239號，代理人案號30794.0129-WO-01(2005-339-1)；

在2007年4月6日由橋本忠朗、齊藤誠(Makoto Saito）和中村修二提出申請的標題為“在超臨界氨中生長大表面積的氮化鎵晶體的方法和大表面積的氮化鎵晶體(METHOD FOR GROWING LARGE SURFACE AREA GALLIUM NITRIDE CRYSTALS IN SUPERCRITICAL AMMONIA AND LARGE SURFACE AREA GALLIUM NITRIDE CRYSTALS)”的美國實用新型專利申請案第11/784,339號(代理人案號30794.179-US-U1(2006-204))，其在35U.S.C.條款119(e)下主張在2006年4月7日由橋本忠朗、齊藤誠和中村修二提出申請的標題為“在超臨界氨中生長大表面積的氮化鎵晶體的方法和大表面積的氮化鎵晶體(METHOD FOR GROWING LARGE SURFACE AREA GALLIUM NITRIDE CRYSTALS IN SUPERCRITICAL AMMONIA AND LARGE SURFACE AREA GAL LIUM NITRIDE CRYSTALS)”的美國臨時專利申請案第60/790,310號(代理人案號30794.179-US-P1(2006-204))的權益；

在2007年9月19日由橋本忠朗和中村修二提出申請的標題為“氮化鎵塊狀晶體和其生長方法(GALLIUM NITRIDE BULK CRYSTALS AND THEIR GROWTH METHOD)”的美國實用新型專利申請案第60/973,662號，代理人案號30794.244-US-P1(2007-809-1)；

在2007年10月25日由橋本忠朗提出申請的標題為“在超臨界氨和氮中生長III族-氮化物晶體的方法和由此生長的III族-氮化物晶體(METHOD FOR GROWING GROUP III-NITRIDE CRYSTALS IN A MIXTURE OF SUPERCRITICAL AMMONIA AND NITROGEN，AND GROUP III-NITRIDE CRYSTALS GROWN THEREBY)”的美國實用新型專利申請案第11/977,661號，代理人案號30794.253-US-U1(2007-774-2)；

在2008年2月25日由橋本忠朗、愛德華利托(Edward Letts)、碇正德(Masanori Ikari)提出申請的標題為“產生III族-氮化物品片的方法和III族-氮化物品片(METHOD FOR PRODUCING GROUP III-NITRIDE WAFERS AND GROUP III-NITRIDE WAFERS)”的美國實用新型專利申請案第61/067,117號，代理人案號62158-30002.00；

在2008年6月4日由愛德華利托、橋本忠朗、碇正德提出申請的標題為“通過氨熱法從初始III族-氮化物品種產生經改善結晶性的III族-氮化物晶體的方法(METHODS FOR PRODUCING IMPROVED CRYSTALLINITY GROUP III-NITRIDE CRYSTALS FROM INITIAL GROUP III-NITRIDE SEED BY AMMONOTHERMAL GROWTH)”的美國實用新型專利申請案第61/058,900號，代理人案號62158-30004.00；