[發明專利]氮化鎵和金屬氧化物的復合襯底

有效

• 申請號: 201380048079.9
• 申請日: 2013-02-28
• 公開（公告）號: CN104781910B
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發明（設計）人: 橋本忠朗
• 申請（專利權）人: 希波特公司;首爾半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287
• 代理人: 章蕾

1.一種用于裝置制作的復合襯底，其包括由Ga_xAl_yIn_1-x-yN(0≤x≤1，0≤x+y≤1)組成的第一層和附接到所述第一層的表面的第二層，其中所述第二層由金屬氧化物組成，所述第二層部分或完全覆蓋所述第一層且可通過原位蝕刻在裝置制作反應器中移除，其中所述金屬氧化物含有至少一種鎵、鋁、銦、鋅、鎂、鈣、鈉、硅、錫和鈦的氧化物，且其中所述第二層通過在1050℃或更低溫度下用氨蝕刻來移除。

2.根據權利要求1所述的復合襯底，且其中所述金屬氧化物含有氧化鎵。

3.根據權利要求1所述的復合襯底，其中所述金屬氧化物的厚度多于一個原子層。

4.根據權利要求3所述的復合襯底，其中所述金屬氧化物的厚度大到足以用x射線光電子能譜檢測。

5.根據權利要求1所述的復合襯底，其中所述第一層包括高度定向的多晶或單晶GaN。

6.根據權利要求5所述的復合襯底，其中所述結晶GaN的位錯和晶界的密度小于10⁵cm^-2。

7.根據權利要求5所述的復合襯底，其中所述金屬氧化物在所述第一層的鎵面上。

8.根據權利要求5所述的復合襯底，其中所述金屬氧化物在所述第一層的氮面上。

9.根據權利要求5所述的復合襯底，其中所述金屬氧化物在所述第一層的非極性m-面或a-面上。

10.根據權利要求5所述的復合襯底，其中所述金屬氧化物在所述第一層的鎵側半極性面上。

11.根據權利要求5所述的復合襯底，其中所述金屬氧化物在所述第一層的氮側半極性面上。

12.根據權利要求1所述的復合襯底，其中將所述金屬氧化物沉積于所述第一層上。