[發(fā)明專利]試驗(yàn)用夾具、檢查裝置、載置裝置以及試驗(yàn)裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380046158.6 | 申請(qǐng)日: | 2013-07-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104603626B | 公開(公告)日: | 2017-03-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 上山明紀(jì) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 夏普株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | G01R31/26 | 分類號(hào): | G01R31/26;H01S5/00 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021 | 代理人: | 吳秋明 |
| 地址: | 日本國大阪府大阪*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 試驗(yàn) 夾具 檢查 裝置 以及 試驗(yàn)裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體裝置等的預(yù)燒試驗(yàn)中使用的試驗(yàn)用夾具、檢查裝置、載置裝置以及試驗(yàn)裝置。
背景技術(shù)
以往,激光二極管等半導(dǎo)體元件在半導(dǎo)體元件的制造完成后,為了判別成品的初始故障等,進(jìn)行預(yù)燒試驗(yàn)以及老化試驗(yàn)等可靠性試驗(yàn)。老化試驗(yàn)為了確認(rèn)被試驗(yàn)體的長時(shí)間驅(qū)動(dòng)后的動(dòng)作,對(duì)作為被試驗(yàn)體的半導(dǎo)體元件長時(shí)間供給規(guī)定的電流。預(yù)燒試驗(yàn)為了加速被試驗(yàn)體的劣化以在短時(shí)間內(nèi)發(fā)現(xiàn)初始故障,對(duì)作為被試驗(yàn)體的半導(dǎo)體元件供給電力并同時(shí)進(jìn)行加熱。
半導(dǎo)體元件的可靠性試驗(yàn)一般對(duì)完成狀態(tài)的半導(dǎo)體元件進(jìn)行。完成狀態(tài)的半導(dǎo)體元件包括作為與基座(submount)接合的半導(dǎo)體芯片的芯片部件、以及具備端子電極的封裝件。封裝件由底座(stem)、框等實(shí)現(xiàn)。在完成狀態(tài)的半導(dǎo)體元件中,芯片部件密封在封裝件內(nèi),芯片部件的半導(dǎo)體芯片通過接合引線等與封裝件的端子電極電連接。作為用于半導(dǎo)體元件的可靠性試驗(yàn)的現(xiàn)有技術(shù),舉出以下的專利文獻(xiàn)1以及專利文獻(xiàn)2。
專利文獻(xiàn)1中公開了半導(dǎo)體元件的檢查用夾具以及檢查裝置。在該現(xiàn)有技術(shù)中,檢查裝置是恒溫槽式的預(yù)燒試驗(yàn)裝置,將完成狀態(tài)的半導(dǎo)體元件作為被試驗(yàn)體,該完成狀態(tài)的半導(dǎo)體元件具有在作為封裝件的引線框上載置了半導(dǎo)體芯片的構(gòu)成。上述檢查裝置將保持了完成狀態(tài)的半導(dǎo)體元件的試驗(yàn)用夾具收納于恒溫槽內(nèi),在控制恒溫槽內(nèi)的環(huán)境溫度的同時(shí)驅(qū)動(dòng)試驗(yàn)用夾具上的半導(dǎo)體元件,以檢測成為完成狀態(tài)的半導(dǎo)體元件的驅(qū)動(dòng)結(jié)果的信號(hào)。
上述試驗(yàn)用夾具具備:保持單元,配置在底板上,用于保持完成狀態(tài)的多個(gè)半導(dǎo)體元件;以及散熱體,對(duì)由保持單元保持的半導(dǎo)體元件的驅(qū)動(dòng)熱進(jìn)行散熱。保持單元為了保持完成狀態(tài)的半導(dǎo)體元件而夾持該半導(dǎo)體元件的引線框,并且使所保持的完成狀態(tài)的半導(dǎo)體元件壓接于散熱體。
專利文獻(xiàn)2中公開了電子部件試驗(yàn)裝置。該現(xiàn)有技術(shù)是珀耳帖元件式的預(yù)燒試驗(yàn)的試驗(yàn)裝置。專利文獻(xiàn)2的電子部件試驗(yàn)裝置將完成狀態(tài)的半導(dǎo)體激光器裝置作為被試驗(yàn)體,該完成狀態(tài)的半導(dǎo)體激光器裝置的構(gòu)成是:半導(dǎo)體激光器被載置在底座上,連接端子從底座背面突出。專利文獻(xiàn)2的電子部件試驗(yàn)裝置將來自珀耳帖元件的熱傳遞給搭載完成狀態(tài)的半導(dǎo)體激光器裝置的傳熱板,并同時(shí)對(duì)該半導(dǎo)體激光器裝置供給電力,以查看該半導(dǎo)體激光器裝置的驅(qū)動(dòng)狀態(tài)。
在專利文獻(xiàn)2的電子部件試驗(yàn)裝置中,將完成狀態(tài)的半導(dǎo)體激光器裝置載置到傳熱板時(shí),該半導(dǎo)體激光器裝置的連接端子貫通傳熱板上設(shè)置的貫通孔。已經(jīng)載置了上述半導(dǎo)體激光器裝置的傳熱板被安裝到電子部件驅(qū)動(dòng)裝置后,傳熱板上載置的上述半導(dǎo)體激光器裝置的連接端子貫通傳熱板,與電子部件試驗(yàn)裝置側(cè)的插座電連接。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本專利公開公報(bào)特開2008-232862號(hào)
專利文獻(xiàn)2:日本專利公開公報(bào)特開2010-151794號(hào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題
在上述專利文獻(xiàn)1以及專利文獻(xiàn)2中,將完成狀態(tài)的半導(dǎo)體元件作為被試驗(yàn)體,執(zhí)行預(yù)燒試驗(yàn)等可靠性試驗(yàn)。在通過對(duì)完成狀態(tài)的半導(dǎo)體元件的可靠性試驗(yàn)從而判定出該半導(dǎo)體元件為質(zhì)量不良品的情況下,從出貨品中除去質(zhì)量不良的半導(dǎo)體元件。由于在對(duì)完成狀態(tài)的半導(dǎo)體元件的可靠性試驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)質(zhì)量不良品的情況下,從出貨品中除去完成狀態(tài)的質(zhì)量不良的半導(dǎo)體元件,所以制造成本容易變得較大。
在完成狀態(tài)的半導(dǎo)體元件的構(gòu)成要素中,由與基座接合的半導(dǎo)體芯片構(gòu)成的芯片部件尤其需要預(yù)燒試驗(yàn)等可靠性試驗(yàn)。例如,在半導(dǎo)體元件為半導(dǎo)體激光器元件的情況下,作為芯片部件的激光器芯片與基座的接合狀態(tài)對(duì)半導(dǎo)體激光器元件自身的溫度特性,尤其是半導(dǎo)體激光器元件的高溫特性產(chǎn)生影響。因此,為了能夠確認(rèn)芯片部件與基座的接合狀態(tài),并且使出現(xiàn)質(zhì)量不良時(shí)的損失為最小限度,需要一種能夠進(jìn)行芯片部件單體的可靠性試驗(yàn)的試驗(yàn)裝置。
如上所述的、作為與基座接合的半導(dǎo)體芯片的芯片部件與完成狀態(tài)的半導(dǎo)體元件不同,往往不具備用于從外部向半導(dǎo)體芯片供給電力的端子電極。因此,為了向半導(dǎo)體芯片提供電力,需要使外部供電路徑的電極直接接觸半導(dǎo)體芯片。但是,與完成狀態(tài)的半導(dǎo)體元件相比,芯片部件明顯較小。在對(duì)芯片部件實(shí)施可靠性試驗(yàn)的情況下,難以使可靠性試驗(yàn)用的供電路徑的電極接觸作為較小的芯片部件的半導(dǎo)體芯片,因而存在不易進(jìn)行可靠性試驗(yàn)的問題。
例如,在完成狀態(tài)的半導(dǎo)體元件為半導(dǎo)體激光器元件的情況下,激光器芯片的大小為100μm×500μm左右,基座的大小為500μm×500μm左右。
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G01R 測量電變量;測量磁變量
G01R31-00 電性能的測試裝置;電故障的探測裝置;以所進(jìn)行的測試在其他位置未提供為特征的電測試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測試,例如在成批生產(chǎn)中的“過端—不過端”測試;測試對(duì)象多點(diǎn)通過測試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測試
G01R31-08 .探測電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測試
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