[發明專利]拍攝單元、拍攝裝置、及拍攝單元的制造方法有效
| 申請號: | 201380045985.3 | 申請日: | 2013-07-19 |
| 公開(公告)號: | CN104603946B | 公開(公告)日: | 2017-10-27 |
| 發明(設計)人: | 石田知久 | 申請(專利權)人: | 株式會社尼康 |
| 主分類號: | H01L27/14 | 分類號: | H01L27/14;H04N5/369 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所11256 | 代理人: | 陳偉,王娟娟 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 拍攝 單元 裝置 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及拍攝單元、拍攝裝置、及拍攝單元的制造方法。
背景技術
已知COG(Chip on Glass:玻璃覆晶封裝)構造的拍攝單元。COG構造的拍攝單元通過倒裝芯片安裝(flip chip mounting)技術與透光基板和拍攝芯片直接連接。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2009-246152號公報
發明內容
當在倒裝芯片安裝工序中加熱或冷卻透光基板及拍攝芯片時,在拍攝芯片產生彎曲。由此由拍攝芯片的彎曲導致對凸塊施加應力,凸塊有可能發生破損。
本發明的第1方式中的拍攝單元,具有:拍攝芯片,具有:具有像素的第1面;與第1面為相反面且設有輸出從像素讀出的像素信號的輸出部的第2面;透光基板,其與第1面相對地配置并具有布線圖案;安裝基板,其與第2面相對地配置并支承拍攝芯片;轉送部,其配置于安裝基板,將從輸出部輸出的像素信號向布線圖案轉送。
本發明的第2方式中的拍攝單元,具有:拍攝芯片,其具有受光面和與受光面相反側的安裝面;安裝基板,其與拍攝芯片的安裝面相對地配置并具有與拍攝芯片連接的布線圖案;透光基板,其與拍攝芯片的受光面相對地配置;以及連接部,其將安裝基板的布線圖案與透光基板連接起來。
本發明的第3方式中的拍攝裝置具有上述拍攝單元。
本發明的第4方式中的拍攝單元的制造方法,具有:輸出部形成階段,將與形成于晶圓的像素電連接、用于輸出像素的輸出即像素信號的輸出部形成于晶圓的第2面上;安裝基板設置階段,與第2面相對地設置安裝基板;研磨階段,研磨晶圓的與第2面相反側的面而形成使入射光向像素入射的第1面;單片化階段,將晶圓及安裝基板以芯片為單位分離而單片化;透光基板設置階段,將在與像素對應的區域的外側即周邊區域設有布線圖案的透光基板設置為與第1面相對并覆蓋像素,并且通過轉送部將布線圖案和輸出部連接起來。
此外,上述的發明的概要并未列舉本發明的所需特征的全部。另外,這些特征群的子組合也還能夠成為發明。
附圖說明
圖1是表示本實施方式的拍攝單元的結構的圖。
圖2是表示本實施方式的拍攝裝置的結構的框圖。
圖3是說明拍攝單元的制造方法的圖。
圖4是說明拍攝單元的制造方法的圖。
圖5是表示拍攝單元的其他結構的圖。
具體實施方式
以下,通過發明的實施方式說明本發明,但以下的實施方式并不限定涉及權利要求的范圍的發明。另外,在實施方式中說明的特征的全部組合未必是發明的解決手段所必須的。
圖1是表示本實施方式的拍攝單元10的結構的圖。拍攝單元10是COG(Chip on Glass)構造的拍攝單元。拍攝單元10構成為包含拍攝芯片100、透光基板200、安裝基板300、信號處理芯片400、及散熱部件500。
拍攝芯片100是背面照射型的MOS圖像傳感器。拍攝芯片100在作為受光面的第1面111側具有像素區域101。像素區域101包含多個對入射光進行光電轉換的像素。在與第1面111相反側的安裝面即第2面112上排列有作為輸出從像素讀出的像素信號的輸出部的輸出端子102。輸出端子102以在第2面112的兩端部向外側延伸的方式排列。拍攝芯片100在像素區域101的外側的區域具有包含初級放大器的列電路。
透光基板200為由硼硅酸玻璃、石英玻璃、無堿玻璃、耐熱玻璃等形成的保護玻璃(cover glass)。透光基板200與拍攝芯片100的第1面111相對地配置并將像素區域101覆蓋。透光基板200在與拍攝芯片100相對一側的面上,具有向信號處理芯片400轉送像素信號的第1布線圖案201。
設于布線圖案201的電極焊盤202經由第1凸塊601與拍攝芯片100的輸出端子102電連接。在本實施方式中,第1凸塊601作為將從輸出端子102輸出的像素信號向第1布線圖案201轉送的轉送部的至少一部分發揮作用。電極焊盤202與輸出端子102的連接部分通過形成為包圍該連接部分的粘接劑701粘接。粘接劑701進一步形成為包圍拍攝芯片100的周圍。由此,像素區域101與透光基板200之間的空間被密封。即,粘接劑701也作為封固部件發揮作用。另外,透光基板200具有向外部轉送像素信號的第2布線圖案204。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





