[發(fā)明專利]拍攝單元、拍攝裝置、及拍攝單元的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380045985.3 | 申請日： | 2013-07-19 |
| 公開（公告）號： | CN104603946B | 公開（公告）日： | 2017-10-27 |
| 發(fā)明（設計）人： | 石田知久 | 申請（專利權）人： | 株式會社尼康 |
| 主分類號： | H01L27/14 | 分類號： | H01L27/14;H04N5/369 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所11256 | 代理人： | 陳偉,王娟娟 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 拍攝 單元 裝置 制造 方法 | ||
1.一種拍攝單元，其特征在于，包括：
拍攝芯片，其具有：配置于射入光的第1面上的像素區(qū)域，該像素區(qū)域包含通過經光電轉換的電荷來生成信號的多個像素；和配置于與所述第1面不同的第2面上的輸出部，該輸出部輸出所述信號；
透光基板，其與所述像素區(qū)域相對地配置并具有布線圖案；
安裝基板，其與所述輸出部相對地配置并安裝有所述拍攝芯片；以及
轉送部，其配置于所述安裝基板，將從所述輸出部輸出的所述信號向所述布線圖案轉送，
所述拍攝芯片、所述透光基板及所述安裝基板分別具有不同的熱膨脹系數(shù)，
所述安裝基板的熱膨脹系數(shù)與所述透光基板的熱膨脹系數(shù)之差比所述拍攝芯片的熱膨脹系數(shù)與所述透光基板的熱膨脹系數(shù)之差小。
2.根據(jù)權利要求1所述的拍攝單元，其特征在于，
所述轉送部包含將所述布線圖案和所述輸出部連接起來的凸塊。
3.根據(jù)權利要求1所述的拍攝單元，其特征在于，包括：
信號處理芯片，其與所述拍攝芯片并列地配置，對經由所述布線圖案輸入的所述信號進行處理。
4.根據(jù)權利要求1所述的拍攝單元，其特征在于，
在所述拍攝芯片與所述安裝基板之間涂布有導熱劑。
5.根據(jù)權利要求4所述的拍攝單元，其特征在于，
包括與所述安裝基板接觸的散熱部件。
6.根據(jù)權利要求5所述的拍攝單元，其特征在于，
所述散熱部件與所述信號處理芯片接觸。
7.根據(jù)權利要求6所述的拍攝單元，其特征在于，
所述散熱部件與所述安裝基板及所述信號處理芯片在同一平面相接觸。
8.根據(jù)權利要求7所述的拍攝單元，其特征在于，包括：
封固部件，其將所述拍攝芯片與所述透光基板之間的空間密封。
9.一種拍攝單元，其特征在于，包括：
第1基板，光入射到該第1基板；
拍攝芯片，其被入射來自所述第1基板的光；
第2基板，其配置有所述拍攝芯片；以及
連接部，其將所述第1基板和所述第2基板連接起來，
所述拍攝芯片、所述第1基板及所述第2基板分別具有不同的熱膨脹系數(shù)，
所述第2基板的熱膨脹系數(shù)與所述第1基板的熱膨脹系數(shù)之差比所述拍攝芯片的熱膨脹系數(shù)與所述第1基板的熱膨脹系數(shù)之差小。
10.根據(jù)權利要求9所述的拍攝單元，其特征在于，
所述第1基板具有第1布線，
所述拍攝芯片具有：包含將光轉換為電荷的光電轉換部的像素、和包含與所述像素連接的端子的輸出部，
所述第2基板具有與所述輸出部連接的第2布線，
所述連接部將所述第1布線和所述第2布線連接起來。
11.根據(jù)權利要求10所述的拍攝單元，其特征在于，
所述拍攝芯片在被入射來自所述第1基板的光的第1面上配置有多個所述像素，在與所述第1面不同的第2面上配置有所述輸出部。
12.根據(jù)權利要求11所述的拍攝單元，其特征在于，
所述拍攝芯片在與所述第1面相反側的所述第2面上配置所述輸出部。
13.根據(jù)權利要求12所述的拍攝單元，其特征在于，
所述第1基板與所述拍攝芯片的所述第1面相對地配置，
所述第2基板與所述拍攝芯片的所述第2面相對地配置。
14.根據(jù)權利要求10所述的拍攝單元，其特征在于，
所述連接部包含將所述第1布線和所述第2布線連接起來的凸塊。
15.根據(jù)權利要求10所述的拍攝單元，其特征在于，包括：
信號處理芯片，其與所述第1布線連接，對從所述像素輸出的信號進行處理。
16.根據(jù)權利要求15所述的拍攝單元，其特征在于，
所述信號處理芯片與所述拍攝芯片并列地配置。
17.根據(jù)權利要求16所述的拍攝單元，其特征在于，
所述拍攝芯片在第1方向上配置在所述第1基板與所述第2基板之間，
所述信號處理芯片在與所述第1方向不同的第2方向上與所述拍攝芯片并列地配置。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
