[發明專利]抑制非硅器件工程的缺陷的方法

有效

• 申請號: 201380045108.6
• 申請日: 2013-06-24
• 公開（公告）號: CN104603947B
• 公開（公告）日: 2018-07-24
• 發明（設計）人: N·戈埃爾;R·皮拉里塞泰;N·慕克吉;R·S·周;W·拉赫馬迪;M·V·梅茨;V·H·勒;J·T·卡瓦列羅斯;M·拉多薩夫列維奇;B·舒-金;G·杜威;S·H·宋
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8238
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;夏青

1.一種設備，包括：

半導體器件，其包括具有第一晶格結構的溝道材料，所述溝道材料位于由具有匹配的晶格結構的阱材料構成的阱上，所述阱被設置在具有不同于所述第一晶格結構的第二晶格結構的緩沖材料內，其中，所述阱包括高度比寬度的縱橫比以及高度比長度的縱橫比，所述縱橫比均大于1.5。

2.根據權利要求1所述的設備，其中，所述半導體器件包括n型金屬氧化物半導體場效應晶體管，所述n型金屬氧化物半導體場效應晶體管包括由所述溝道材料構成的源極區和漏極區。

3.根據權利要求1所述的設備，其中，所述溝道材料是III-V族化合物半導體材料。

4.根據權利要求3所述的設備，其中，所述緩沖材料包括鍺。

5.根據權利要求1所述的設備，其中，所述半導體器件是包括n型金屬氧化物半導體場效應晶體管的第一半導體器件，所述設備還包括第二半導體器件，所述第二半導體器件包括形成在所述緩沖材料上的p型金屬氧化物半導體場效應晶體管。

6.根據權利要求5所述的設備，其中，所述n型晶體管通過每個器件的柵極和漏極而被連接至所述p型晶體管。

7.一種方法，包括：

在襯底的緩沖材料內形成阱溝槽，所述阱具有大于1.5的高度比寬度的縱橫比以及高度比長度的縱橫比；

在所述阱溝槽內形成n型阱材料，所述n型阱材料的晶格結構不同于所述緩沖材料的晶格結構；

在所述阱材料上界定用于n型器件的溝道和結區的區域；以及

在所界定的區域內形成包括溝道和結區的n型晶體管。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，通過溝槽隔離界定用于溝道和結區的區域。

9.根據權利要求7所述的方法，其中，所述n型阱材料是III-V族化合物半導體材料。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述緩沖材料包括鍺。

11.根據權利要求7所述的方法，還包括：

在所述阱材料上界定用于p型器件的溝道和結區的p型區域；以及

在所界定的p型區域內形成包括溝道和結區的p型晶體管。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述n型晶體管包括柵極，所述p型晶體管包括柵極，每個晶體管的結區包括源極區和漏極區，所述方法還包括：

將所述n型晶體管通過每個器件的所述柵極和所述漏極而連接至所述p型晶體管。

13.一種系統，包括：

包括電耦合至印刷電路板的處理器的計算機，所述處理器包括互補金屬氧化物半導體(CMOS)電路，所述互補金屬氧化物半導體電路包括n型晶體管和p型晶體管，所述n型晶體管包括溝道材料，所述溝道材料具有第一晶格結構并且位于設置在緩沖材料內的阱上，所述緩沖材料具有不同于所述第一晶格結構的第二晶格結構，其中，所述阱包括均大于1.5的高度比寬度的縱橫比以及高度比長度的縱橫比，其中，所述n型晶體管通過每個器件的柵極和漏極而耦合至所述p型晶體管。

14.根據權利要求13所述的系統，其中，所述n型晶體管的溝道材料是III-V族化合物半導體材料。

15.根據權利要求13所述的系統，其中，所述緩沖材料包括鍺。