[發明專利]用于漫反射光度分析的測量模塊及其制造方法

在審

• 申請號: 201380044734.3
• 申請日: 2013-09-05
• 公開（公告）號: CN104704347A
• 公開（公告）日: 2015-06-10
• 發明（設計）人: 簡·布赫瓦爾德;蘇珊·高米茨;斯特凡·卡爾維拉姆;塞巴斯蒂安·特里克
• 申請（專利權）人: 業納聚合物系統有限公司
• 主分類號: G01N21/47
• 分類號: G01N21/47;G02B5/20;H01L31/167
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 鄧琪

1.一種用于一個試樣(9)或多個試樣的漫反射光度分析的測量模塊(1)，包括：

一個發送裝置(7)，該發送裝置具有用于向該試樣(9)的位置發送一束測量輻射(12a)的一個發送通道(3)；

一個第一聚焦裝置(5)，用于將該測量輻射聚焦到該試樣上；

一個接收裝置(8)，該接收裝置具有用于接收由該試樣反射的輻射(12b)的一個接收通道(4)；

一個第二聚焦裝置(6)，由塑料制成，用于將由該試樣反射的測量輻射聚焦到該接收裝置(8)上；

其特征在于，該第二聚焦裝置(6)還包括一個濾光器(11)，該濾光器用于過濾由該測量輻射激發的一個次級輻射，諸如例如該試樣的自發熒光、該光源或發送裝置的次極大值、環境光或該試樣的類似輻射。

2.如權利要求1所述的測量模塊(1)，其特征在于，該濾光器(11)為一個濾光層。

3.如權利要求2所述的測量模塊(1)，其特征在于，該濾光層為一個多層系統，并且優選地具有一個大于0.5微米并小于4.5微米的厚度。

4.如權利要求3所述的測量模塊(1)，其特征在于，該多層系統的各個單層具有一個大于10納米并小于300納米的厚度，并且包括以交替順序設置的以下材料：氧化硅、五氧化二鉭、和/或氧化鈦。

5.如以上權利要求之一所述的測量模塊，其特征在于，該發送裝置(7)、該接收裝置(8)、該第一和第二聚焦裝置(5，6)被安排在特別是由塑料制成的同一殼體(2)中。

6.如以上權利要求之一所述的測量模塊(1)，其特征在于，該發送裝置(7)為一個或多個發光二極管，而該接收裝置(8)為一個或多個光電二極管。

7.用于制造如以上權利要求之一所述的測量模塊(1)的方法，包括：

a)用塑料制造該第一和第二聚焦裝置(5，6)；

b)通過形成一個殼體(2)以將該第一和第二聚焦裝置(5，6)進行封裝；

c)將一個濾光器(11)氣相沉積到該第二聚焦裝置(6)上。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，步驟a)和b)是以相反順序進行的，確切地說其方式是首先用塑料制造一個殼體(2)，并且然后將帶有該第一和第二聚焦裝置(5，6)的該殼體進行封裝。

9.如權利要求7或8所述的方法，其特征在于，步驟a)和b)通過雙組分注塑成型工藝完成。

10.如權利要求7至9之一所述的方法，其特征在于，步驟c)的氣相沉積，使用離子束輔助等離子源通過PVD氣相沉積工藝完成。