[發(fā)明專利]存儲器陣列平面選擇

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380044661.8
• 申請日: 2013-08-29
• 公開（公告）號: CN104584133B
• 公開（公告）日: 2017-06-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鐘沅·李;詹保羅·斯帕迪尼
• 申請（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C8/10
• 分類號: G11C8/10
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司11287
• 代理人: 路勇

1.一種存儲器陣列(100、218、219、318)，其包括：

多個平面(220、221、222、223、320、322)，其中每一平面具有布置于交叉點陣列中的多個存儲器單元(202、302)及多個平面選擇裝置(236、238、336、338)，所述多個存儲器單元(202、302)的群組以通信方式耦合到多個平面選擇裝置(236、238、336、338)中的相應(yīng)平面選擇裝置，其中第一平面與第一數(shù)目個存取線相關(guān)聯(lián)且第二平面與第二數(shù)目個存取線相關(guān)聯(lián)；及

解碼邏輯(224、226)，其具有形成于襯底材料中的元件且以通信方式耦合到所述多個平面選擇裝置(236、238、336、338)，

其中所述第一數(shù)目個存取線(248)和所述第二數(shù)目個存取線(250)分別并聯(lián)耦合到若干個共用存取線(252)，所述共用存取線以通信方式耦合到所述解碼邏輯(224、226)，且

其中所述多個存儲器單元(202、302)及所述多個平面選擇裝置(236、238、336、338)未形成于所述襯底材料中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器陣列(100、218、219、318)，其中所述多個存儲器單元(202、302)中的每一者以通信方式耦合到所述多個平面選擇裝置(236、238、336、338)中的相應(yīng)一對平面選擇裝置。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器陣列(100、218、219、318)，其中所述多個平面選擇裝置(236、238、336、338)中的每一者為三端子OTS。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲器陣列(100、218、219、318)，其中所述三端子OTS的第一端子以通信方式并聯(lián)耦合到所述多個存儲器單元(202、302)的群組，所述三端子OTS的第二端子以通信方式耦合到所述解碼邏輯(224、226)，且所述三端子OTS的第三端子以通信方式耦合到平面啟用(240、242、244、246、340、342、344、346)控制線。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲器陣列(100、218、318)，其中所述三端子OTS以共用基極配置以通信方式耦合到所述平面啟用(240、242、244、246、340、342、344、 346)控制線。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲器陣列(100、219)，其中所述三端子OTS以共用集電極配置以通信方式耦合到所述平面啟用(240、242、244、246)控制線。

7.根據(jù)權(quán)利要求1到6中任一權(quán)利要求所述的存儲器陣列(100、218、219、318)，其中每一存儲器單元(202、302)包含存儲(110)裝置及單元選擇裝置(114)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲器陣列(100、218、219、318)，其中每一存儲器單元(202、302)包含與單元選擇裝置串聯(lián)的相變材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲器陣列(100、218、219、318)，其中所述單元選擇裝置(114)為與所述相變材料(110)串聯(lián)形成的兩端子OTS。