[發明專利]與針對兩級存儲器系統的讀取和寫入窗口預算相關聯的技術

有效

• 申請號: 201380044585.0
• 申請日: 2013-06-25
• 公開（公告）號: CN104583978B
• 公開（公告）日: 2018-01-19
• 發明（設計）人: K.潘加爾;P.丹勒
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: G06F12/02
• 分類號: G06F12/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 謝攀,劉春元

背景技術

計算設備可以使用兩級存儲器（2LM）系統作為主存儲器的形式。2LM系統的第一級可以被稱為“近存儲器”而第二級可以被稱為“遠存儲器”。相比于第二級存儲器，第一級存儲器一般具有較小的存儲器容量。與包括在第二級存儲器中的存儲器的類型相比，第一級存儲器可以包括具有更快的寫入和/或讀取完成時間的存儲器類型。因而，在2LM系統中，第一級存儲器可以用作針對第二級存儲器的寫入和/或讀取高速緩存。當確定每一級的相對容量以及包括在每一級中的存儲器的類型二者時，使用存儲器的兩級的總寫入/讀取完成時間是重要的考慮。

附圖說明

圖1 圖示了示例性兩級存儲器（2LM）系統。

圖2圖示了示例性單元閾值電壓（Vt）分布。

圖3圖示了示例性前臺寫入過程。

圖4圖示了示例性后臺寫入過程。

圖5圖示了示例性第一寫入沖突過程。

圖6圖示了示例性第二寫入沖突過程。

圖7圖示了示例性讀取沖突過程。

圖8圖示示例性裝置。

圖9圖示了示例性邏輯流。

圖10圖示了示例性儲存介質。

圖11圖示了示例性計算平臺。

具體實施方式

如在本公開中所預計的，當確定每一級的相對容量以及包括在每一級中的存儲器的類型二者時，使用2LM系統中的存儲器的兩級的總寫入/讀取完成時間是重要的考慮。例如，用于第一級存儲器的存儲器類型可以包括諸如動態隨機存取存儲器（DRAM）或靜態隨機存取存儲器（SRAM）之類的易失性存儲器。包括在第二級中的存儲器類型通常可以包括易失性存儲器或者可以包括非易失性存儲器，諸如相變存儲器（PCM）、PCM和開關（PCMS）、閃速存儲器、鐵電存儲器、硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅（SONOS）存儲器、諸如鐵電聚合物存儲器之類的聚合物存儲器、納米線、鐵電晶體管隨機存取存儲器（FeTRAM或FeRAM）或者電可擦除可編程只讀存儲器（EEPROM）。易失性存儲器通常具有較快的寫入完成時間，但是可能制造更昂貴，并且還要求更多的能量來操作。非易失性存儲器通常具有較慢的寫入/讀取完成時間，但是可能花費得更少來制造并且要求少很多的能量來操作。

經常達成成本和性能之間的平衡，以確定2LM系統的第一級和第二級中的存儲器的相對大小和/或類型。持續進行努力以增加與第一級存儲器中的易失性存儲器相比的第二級存儲器中的非易失性存儲器的相對大小。然而，由于當使用諸如相變存儲器之類的一些類型的非易失性存儲器時可以減少寫入/讀取完成時間，寫入錯誤也可能增加。諸如錯誤校正碼之類的減少寫入錯誤的技術可以被實現，但是這些技術可能增加寫入/讀取完成時間。因此，存在對于平衡可接受的寫入/讀取完成時間與針對包括在2LM系統中的第二級存儲器的類型的可接受的錯誤量的方法的需求。正是關于這些和其它挑戰，需要此處所述的示例。

在一些示例中，可以實現與針對2LM系統的讀取和寫入窗口預算（budget）相關聯的技術。這些技術可以包括建立針對包括第一級存儲器和第二級存儲器的2LM系統的讀取和寫入窗口預算。讀取和寫入窗口預算可以包括第二級存儲器的第一組存儲器地址和第二組存儲器地址的組合。第一組存儲器地址可以與相比于針對與第二組存儲器地址相關聯的非易失性存儲器單元的單元閾值電壓分布而言具有更寬的單元閾值電壓分布的非易失性存儲器單元相關聯。根據一些示例，可以接收用以將數據寫入到2LM系統的寫入請求，并且可以基于讀取和寫入窗口預算來將數據寫入到第二級存儲器。

圖1圖示了示例性2LM系統100。如在圖1中所示，2LM系統100包括控制器110、第一級存儲器120和第二級存儲器130。根據一些示例，控制器110可以經由通信鏈路140接收和/或履行讀取/寫入請求。

雖然在圖1中未示出，但是在一些示例中，通信鏈路140可以將控制器110通信地耦合到與針對計算設備的操作系統相關聯的元件或特征。針對這些示例，2LM系統可以用作針對操作系統的主存儲器。同樣，控制器110可以包括邏輯和/或特征，以處理去往2LM系統100的讀取/寫入請求，所述2LM系統100具有作為近存儲器起作用的第一級存儲器120以及作為遠存儲器起作用的第二級存儲器130。