[發(fā)明專利]光刻設(shè)備和器件制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380043945.5
• 申請日: 2013-08-15
• 公開（公告）號: CN104769500B
• 公開（公告）日: 2018-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: H·H·M·考克斯;M·M·G·希倫;P·M·S·M·海杰曼斯;J·J·韋爾滕;J·H·A·范德里杰特;G·K·H·F·格倫;A·凱克勞德
• 申請（專利權(quán)）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華;呂世磊

1.一種電磁致動器，包括：

線圈組件，包括至少一個線圈；

磁體組件，包括第一磁體單元和第二磁體單元，所述第一磁體單元和所述第二磁體單元中的每個磁體單元包括磁軛和被安裝至所述磁軛的多個永磁體，所述第一磁體單元和所述第二磁體單元形成用于接收所述線圈組件的磁路，并且在激勵所述線圈時，產(chǎn)生在第一方向上的力；以及

保持器，用于保持所述第一磁體單元和所述第二磁體單元，其中所述第一磁體單元和所述第二磁體單元被剛性地安裝至所述保持器；并且

其中所述磁體組件相對于所述線圈組件的重量比小于在力相對于電功率的比被最大化時磁體組件相對于線圈組件的重量比。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁致動器，其中所述線圈包括筆直部分和彎曲部分，并且其中所述第一磁體單元和所述第二磁體單元中的每個磁體單元在垂直于與所述線圈共面的平面的方向上的投影僅覆蓋所述線圈的所述筆直部分。

3.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的電磁致動器，其中所述保持器包括C形構(gòu)件。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電磁致動器，其中所述保持器具有孔，所述第一磁體單元和所述第二磁體單元中的每個磁體單元被安裝至所述孔的內(nèi)表面。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電磁致動器，其中所述磁軛和/或所述第一磁體單元和所述第二磁體單元中的每個磁體單元被切開。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電磁致動器，其中所述磁軛包括層疊的磁鋼或合金。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電磁致動器，其中所述磁軛包括層疊的CoFe。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電磁致動器，其中所述第一磁體單元和所述第二磁體單元中的每個磁體單元的所述磁軛包括被獨(dú)立地安裝至所述保持器的多個磁軛構(gòu)件。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電磁致動器，其中所述磁軛的外表面設(shè)置有冷卻構(gòu)件。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電磁致動器，其中所述保持器由微晶玻璃或堇青石制成。

11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電磁致動器，其中所述線圈包括第一線圈和第二線圈，所述線圈組件還包括被布置在所述第一線圈和所述第二線圈之間的內(nèi)冷卻構(gòu)件、以及第一外冷卻構(gòu)件和第二外冷卻構(gòu)件，所述第一線圈和所述第二線圈以及所述內(nèi)冷卻構(gòu)件被堆疊在所述第一外冷卻構(gòu)件和所述第二外冷卻構(gòu)件之間。

12.一種用于支撐光刻設(shè)備中的物體或物體保持器的支撐件，所述支撐件包括一個或多個根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的致動器。

13.一種用于支撐光刻設(shè)備中的物體或物體保持器的支撐件，所述支撐件包括一個或多個致動器，所述致動器包括：

線圈組件，包括至少一個線圈；

磁體組件，包括第一磁體單元和第二磁體單元，所述第一磁體單元和所述第二磁體單元中的每個磁體單元包括磁軛和被安裝至所述磁軛的多個永磁體，所述第一磁體單元和所述第二磁體單元形成用于接收所述線圈組件的磁路，并且在激勵所述線圈時，產(chǎn)生在第一方向上的力；以及

保持器，用于保持所述第一磁體單元和所述第二磁體單元；其中所述一個或多個致動器的所述保持器被剛性地安裝至所述支撐件；

其中所述磁體組件相對于所述線圈組件的重量比小于在力相對于電功率的比被最大化時磁體組件相對于線圈組件的重量比。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的支撐件，其中所述磁軛和/或所述第一磁體單元和所述第二磁體單元中的每個磁體單元被切開。