[發明專利]晶片的處理方法有效
| 申請號: | 201380042206.4 | 申請日: | 2013-08-06 |
| 公開(公告)號: | CN104520974A | 公開(公告)日: | 2015-04-15 |
| 發明(設計)人: | 麻生隆浩;利根川亨;上田洸造;藪口博秀 | 申請(專利權)人: | 積水化學工業株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;C09J5/00;C09J11/06;C09J157/00 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 蔣亭 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 處理 方法 | ||
1.一種晶片的處理方法,其特征在于,具有:
支承板固定工序,其是借助含有固化型膠粘劑成分的膠粘劑組合物將晶片固定于支承板的工序,其中,所述固化型膠粘劑成分是通過光照射或加熱而發生交聯、固化的膠粘劑成分;
膠粘劑固化工序,其是對所述膠粘劑組合物照射光或進行加熱而使固化型膠粘劑成分交聯、固化的工序;
晶片處理工序,其是對固定于所述支承板的晶片的表面實施藥液處理、加熱處理或伴隨發熱的處理的工序;和
支承板剝離工序,其是從所述處理后的晶片剝離支承板的工序。
2.根據權利要求1所述的晶片的處理方法,其特征在于,利用動態粘彈性測定的剪切模式且在從-50℃至300℃的連續升溫的條件下所測得的、膠粘劑固化工序后的膠粘劑組合物在25℃下的剪切儲能模量為2.0×105~108Pa。
3.根據權利要求1或2所述的晶片的處理方法,其特征在于,膠粘劑組合物含有通過刺激而產生氣體的氣體發生劑,其中,在支承板剝離工序中,對處理后的晶片賦予刺激而由所述氣體發生劑產生氣體,由此,將支承板從晶片剝離。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





