[發明專利]晶片的處理方法

有效

• 申請號: 201380041694.7
• 申請日: 2013-08-05
• 公開（公告）號: CN104541356B
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發明（設計）人: 利根川亨;麻生隆浩;上田洸造;藪口博秀
• 申請（專利權）人: 積水化學工業株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;C09J11/02;C09J201/00;C30B29/06;C30B33/06;H01L21/304;H01L21/306;H01L21/683
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

本發明的目的在于，提供在借助膠粘劑組合物將晶片固定于支承板的狀態下對晶片進行處理的晶片的處理方法，該處理方法實現了更高的生產效率。本發明為一種晶片的處理方法，其具有：支承板固定工序，該工序是借助膠粘劑組合物將晶片固定于支承板的工序，其中，所述膠粘劑組合物含有膠粘劑成分和通過照射紫外線而產生氣體的氣體發生劑；晶片處理工序，該工序是對固定于所述支承板的晶片實施處理的工序；以及支承板剝離工序，該工序是對所述處理后的晶片照射紫外線而由所述氣體發生劑產生氣體，從而將支承板從晶片上剝離的工序，其中，在所述支承板剝離工序中，使用照射強度為100mW/cm2以上的點狀或線狀的紫外線且按照掃描晶片的整個面的方式進行照射。

技術領域

本發明涉及在借助膠粘劑組合物將晶片固定于支承板的狀態下對晶片進行處理的晶片的處理方法，該處理方法實現了更高的生產效率。

背景技術

在半導體芯片的制造工序中，為了在晶片的加工時易于操作或不發生破損而將晶片固定于支承板。例如，在將從高純度的硅單晶等切下的厚膜晶片磨削至規定的厚度而制成薄膜晶片的情況下，借助膠粘劑組合物將厚膜晶片粘接于支承板。

對于將晶片粘接于支承板的膠粘劑組合物來說，要求在加工工序中將晶片盡可能牢固地固定的高粘合性，并且要求在工序結束后能夠將晶片剝離而不會損傷晶片(以下，也稱為“高粘接易剝離”。)。

作為實現了高粘接易剝離的膠粘劑組合物，專利文獻1中記載了一種使用了雙面粘合帶的晶片的處理方法，所述雙面粘合帶具有含有偶氮化合物等通過照射紫外線而產生氣體的氣體發生劑的粘合層。在專利文獻1所記載的晶片的處理方法中，首先，借助雙面粘合帶將晶片固定于支承板。當在該狀態下進行了磨削工序等之后照射紫外線時，由氣體發生劑產生的氣體被釋放至粘合帶的表面與晶片的界面，晶片的至少一部分因氣體的壓力而被剝離。

專利文獻1中記載的晶片的處理方法能夠以不損傷處理后的晶片且不發生殘膠的方式進行剝離，因此是極為優異的方法。但是，由于半導體裝置的逐漸普及，而需要持續不斷對晶片的處理方法作進一步的改良。專利文獻1中記載的晶片的處理方法如今在生產效率方面已感覺無法令人滿意。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2003-231872號公報

發明內容

發明要解決的課題

本發明鑒于上述現狀而完成，其目的在于提供在借助膠粘劑組合物將晶片固定于支承板的狀態下對晶片進行處理的晶片的處理方法，該處理方法實現了更高的生產效率。

用于解決課題的方法

本發明為一種晶片的處理方法，其具有：支承板固定工序，該工序是借助膠粘劑組合物將晶片固定于支承板的工序，其中，所述膠粘劑組合物含有膠粘劑成分和通過照射紫外線而產生氣體的氣體發生劑；晶片處理工序，該工序是對固定于所述支承板的晶片實施處理的工序；以及支承板剝離工序，該工序是對所述處理后的晶片照射紫外線而由所述氣體發生劑產生氣體，從而將支承板從晶片上剝離的工序，其中，在所述支承板剝離工序中，使用照射強度為100mW/cm2以上的點狀或線狀的紫外線且按照掃描晶片的整個面的方式進行照射。

以下，詳述本發明。

本申請的發明人就專利文獻1中記載的晶片的處理方法的整體而對生產效率進行了再次研究。并且發現：對處理后的晶片照射紫外線而使氣體發生劑產生氣體，從而將支承板從晶片上剝離的工序限制了速率。即，從開始照射紫外線至能夠將晶片和支承板剝離為止耗費時間，由此對整體的生產效率帶來影響。