[發(fā)明專利]晶片的處理方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380041694.7
• 申請日: 2013-08-05
• 公開（公告）號: CN104541356B
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發(fā)明（設計）人: 利根川亨;麻生隆浩;上田洸造;藪口博秀
• 申請（專利權）人: 積水化學工業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;C09J11/02;C09J201/00;C30B29/06;C30B33/06;H01L21/304;H01L21/306;H01L21/683
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

1.一種晶片的處理方法，其特征在于，具有：支承板固定工序，該工序是借助膠粘劑組合物將晶片固定于支承板的工序，其中，所述膠粘劑組合物含有膠粘劑成分和通過照射紫外線而產生氣體的氣體發(fā)生劑；晶片處理工序，該工序是對固定于所述支承板的晶片實施處理的工序；以及支承板剝離工序，該工序是對所述處理后的晶片照射紫外線而由所述氣體發(fā)生劑產生氣體，從而將支承板從晶片上剝離的工序，

其中，

在所述支承板剝離工序中，使用照射強度為100mW/cm2以上的點狀或線狀的紫外線且按照掃描晶片的整個面的方式進行照射。

2.根據權利要求1所述的晶片的處理方法，其特征在于，在支承板剝離工序中，按照紫外線照射的軌跡從晶片的外周部朝向中心部地成為螺旋狀的方式照射點狀的紫外線。

3.根據權利要求1所述的晶片的處理方法，其特征在于，在支承板剝離工序中，按照紫外線照射的軌跡往復于晶片的整個面的方式照射點狀的紫外線。

4.根據權利要求1所述的晶片的處理方法，其特征在于，在支承板剝離工序中，按照紫外線照射的軌跡往復于晶片的一半面，然后再往復于晶片的另一半面的方式照射點狀的紫外線。

5.根據權利要求1所述的晶片的處理方法，其特征在于，在支承板剝離工序中，按照紫外線照射的軌跡往復于晶片的外周部和中心部并且覆蓋晶片的整個面的方式照射點狀的紫外線。

6.根據權利要求1所述的晶片的處理方法，其特征在于，在支承板剝離工序中，邊使晶片或紫外線照射口左右移動，邊照射線狀的紫外線。

7.根據權利要求1所述的晶片的處理方法，其特征在于，在支承板剝離工序中，從晶片的外周部開始照射點狀或線狀的紫外線。

8.根據權利要求1所述的晶片的處理方法，其特征在于，在支承板剝離工序中，所照射的點狀或線狀的紫外線的照射強度為2000mW/cm2以下。

9.根據權利要求1所述的晶片的處理方法，其特征在于，在支承板剝離工序中，使用照射強度為100mW/cm2以上的點狀或線狀的紫外線并且按照掃描晶片的整個面的的方式進行照射時的掃描速度為1～200mm/sec。