[發明專利]加工對象物切斷方法

有效

• 申請號: 201380039963.6
• 申請日: 2013-08-01
• 公開（公告）號: CN104508799B
• 公開（公告）日: 2017-07-04
• 發明（設計）人: 田力洋子;山田丈史
• 申請（專利權）人: 浜松光子學株式會社
• 主分類號: H01L21/301
• 分類號: H01L21/301;B23K26/00;B23K26/04;B23K26/38;B23K26/40
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司11322
• 代理人: 楊琦

技術領域

本發明涉及用于將具備單晶藍寶石基板的加工對象物切斷成各個發光元件部來制造多個發光元件的加工對象物切斷方法。

背景技術

作為上述技術領域中的現有的加工對象物切斷方法，在專利文獻1中記載了如下方法：通過切割或者劃片在藍寶石基板的表面和背面形成分離槽，并且通過激光的照射在藍寶石基板內形成多段加工變質部，并沿著分離槽和加工變質部切斷藍寶石基板。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2006-245043號公報

發明內容

本發明所要解決的技術問題

然而，為了將具備具有與c面形成達偏角(off angle)的角度的表面和背面的單晶藍寶石基板的加工對象物切斷成各發光元件部，通過激光的照射在單晶藍寶石基板內形成改質區域，從沿著與單晶藍寶石基板的m面和背面平行的多條切斷預定線的各條形成的改質區域所產生的龜裂會到達發光元件部，由此有應制造的發光元件的成品率下降的情況。

在此，本發明的目的是提供一種能夠防止從沿著與單晶藍寶石基板的m面和背面平行的多條切斷預定線的各條形成的改質區域所產生的龜裂到達發光元件部的加工對象物切斷方法。

解決技術問題的手段

本發明人等為了達到上述目的而反復專心研究的結果，徹底查明：從沿著與單晶藍寶石基板的m面和背面平行的多條切斷預定線的各條形成的改質區域所產生的龜裂到達發光元件部的事實起因于單晶藍寶石基板中的m面與r面的關系。即，從沿著與單晶藍寶石基板的m面和背面平行的切斷預定線形成的改質區域所產生的龜裂的伸展方向相比于m面的影響更強烈地受到相對于m面傾斜的r面的影響，而朝r面的傾斜方向拉引，其結果，有該龜裂到達發光元件部的情況。本發明人等基于該認識進一步反復研究，從而完成本發明。

即，本發明的一個側面的加工對象物切斷方法，是將具備具有與c面形成達偏角的角度的表面和背面的單晶藍寶石基板、以及在表面上包含矩陣狀排列的多個發光元件部的元件層的加工對象物切斷成各個發光元件部來制造多個發光元件的加工對象物切斷方法，具備：以背面作為單晶藍寶石基板中的激光的入射面，將激光的聚光點對準于單晶藍寶石基板內，并使聚光點沿著以與單晶藍寶石基板的m面和背面平行的方式設定的多條第1切斷預定線的各條相對地移動，由此沿著各條第1切斷預定線在單晶藍寶石基板內形成第1改質區域，并且使從第1改質區域產生的第1龜裂到達背面的第1工序；以及在第1工序之后，沿著各條第1切斷預定線使外力作用于加工對象物，由此使第1龜裂伸展，并沿著各第1切斷預定線切斷加工對象物的第2工序，在第1工序中，在相鄰接的發光元件部間從在與m面平行的方向上延伸的格線(street)區域的中心線至將聚光點對準的位置為止的從與背面垂直的方向看的情況下的距離為ΔY，單晶藍寶石基板的厚度為t，從背面至將聚光點對準的位置為止的距離為Z，格線區域的寬度為d，表面中的第1龜裂的蛇行量為m，垂直于背面的方向與第1龜裂伸展的方向所形成的角度為α的情況下，以滿足ΔY＝(tanα)·(t-Z)±[(d/2)-m]的方式，以背面作為入射面，將聚光點對準于單晶藍寶石基板內，使聚光點沿著各條第1切斷預定線相對地移動。

在該加工對象物切斷方法中，在以與單晶藍寶石基板的m面和背面平行的方式設定的多條第1切斷預定線的各條中，以滿足ΔY＝(tanα)·(t-Z)±[(d/2)-m]的方式將激光照射在加工對象物，在單晶藍寶石基板內形成第1改質區域，并且使從第1改質區域產生的第1龜裂到達單晶藍寶石基板的背面。由此，即使從第1改質區域產生的第1龜裂的伸展方向朝r面的傾斜方向拉引，也可以在單晶藍寶石基板的表面將第1龜裂收在格線區域內。因此，根據該加工對象物切斷方法，能夠防止從沿著與單晶藍寶石基板的m面和背面平行的多條切斷預定線的各條形成的改質區域所產生的龜裂到達發光元件部。另外，偏角為包含0°的情況的偏角。在該情況下，單晶藍寶石基板的表面和背面與c面平行。

在此，在第2工序中，也可以沿著各第1切斷預定線從表面側將刀緣抵接在加工對象物，沿著各條第1切斷預定線使外力作用于加工對象物。由此，由于外力以到達單晶藍寶石基板的背面的第1龜裂裂開的方式作用于加工對象物，因此能夠沿著第1切斷預定線容易地且精度高地切斷加工對象物。