[發明專利]加工對象物切斷方法有效
| 申請號: | 201380039963.6 | 申請日: | 2013-08-01 |
| 公開(公告)號: | CN104508799B | 公開(公告)日: | 2017-07-04 |
| 發明(設計)人: | 田力洋子;山田丈史 | 申請(專利權)人: | 浜松光子學株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/301 | 分類號: | H01L21/301;B23K26/00;B23K26/04;B23K26/38;B23K26/40 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司11322 | 代理人: | 楊琦 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加工 對象 切斷 方法 | ||
1.一種加工對象物切斷方法,其特征在于,
是用于將加工對象物切斷成各個發光元件部來制造多個發光元件的加工對象物切斷方法,所述加工對象物具備單晶藍寶石基板、以及元件層,所述單晶藍寶石基板具有與c面形成角度的表面和背面,該角度是達到偏角的角度,所述元件層在所述表面上包含矩陣狀排列的多個發光元件部,
具備:
第1工序,其以所述背面作為所述單晶藍寶石基板中的激光的入射面,將所述激光的聚光點對準于所述單晶藍寶石基板內,使所述聚光點沿著以與所述單晶藍寶石基板的m面和所述背面平行的方式設定的多條第1切斷預定線的各條相對地移動,由此沿著各條所述第1切斷預定線在所述單晶藍寶石基板內形成第1改質區域,并且使從所述第1改質區域產生的第1龜裂到達所述背面;以及
第2工序,其在所述第1工序之后,沿著各條所述第1切斷預定線使外力作用于所述加工對象物,由此使所述第1龜裂伸展,并沿著各條所述第1切斷預定線切斷所述加工對象物,
在所述第1工序中,在以在相鄰接的所述發光元件部間從在與所述m面平行的方向上延伸的格線區域的中心線至將所述聚光點對準的位置為止的從與所述背面垂直的方向看的情況下的距離為ΔY,所述單晶藍寶石基板的厚度為t,從所述背面至將所述聚光點對準的位置為止的距離為Z,所述格線區域的寬度為d,所述表面的所述第1龜裂的蛇行量為m,垂直于所述背面的方向與所述第1龜裂伸展的方向所形成的角度為α的情況下,以滿足ΔY=(tanα)·(t-Z)±[(d/2)-m]的方式,以所述背面作為所述入射面,將所述聚光點對準于所述單晶藍寶石基板內,使所述聚光點沿著各所述第1切斷預定線相對地移動。
2.如權利要求1所述的加工對象物切斷方法,其特征在于,
在所述第2工序中,沿著各條所述第1切斷預定線從所述表面側將刀緣抵接在所述加工對象物,由此沿著各條所述第1切斷預定線使外力作用于所述加工對象物。
3.如權利要求1或2所述的加工對象物切斷方法,其特征在于,
進一步具備:
第3工序,其在所述第2工序之前,以所述背面作為所述入射面,將所述聚光點對準于所述單晶藍寶石基板內,并使所述聚光點沿著以與所述單晶藍寶石基板的a面和所述背面平行的方式設定的多條第2切斷預定線的各條相對地移動,由此沿著各條所述第2切斷預定線在所述單晶藍寶石基板內形成第2改質區域;以及
第4工序,其在所述第1工序和所述第3工序之后,沿著各條所述第2切斷預定線使外力作用于所述加工對象物,由此使從所述第2改質區域產生的第2龜裂伸展,并沿著各所述第2切斷預定線切斷所述加工對象物。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





