[發(fā)明專利]半導體發(fā)光器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380039741.4
• 申請日: 2013-07-26
• 公開（公告）號: CN104508841B
• 公開（公告）日: 2018-05-22
• 發(fā)明（設計）人: 安相貞
• 申請（專利權）人: 安相貞
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/38;H01L33/62
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;劉久亮

1.一種半導體發(fā)光器件，該半導體發(fā)光器件包括：

支撐基板，其具有第一面和與所述第一面相反的第二面；

形成在所述第一面上的至少一個半導體堆，其中，各個半導體堆都包括利用生長基板順序地生長的多個半導體層，并且所述多個半導體層由具有第一導電性的第一半導體層、具有與所述第一導電性不同的第二導電性的第二半導體層、以及有源層組成，所述有源層插入在所述第一半導體層與所述第二半導體層之間并且通過電子空穴復合來產(chǎn)生光；

結合層，所述結合層將所述多個半導體層的所述第二半導體層側結合到所述支撐基板的第一面?zhèn)?，其中，在所述第一半導體層側上形成有生長基板去除面并且由于所述生長基板的去除而露出該生長基板去除面，并且其中利用去除的所述生長基板，在晶片級別狀態(tài)下部分地去除和隔離所述多個半導體層；以及

結合層去除面，所述結合層去除面形成在所述第一面上，并且朝向所述多個半導體層開口以向所述多個半導體層提供電流，其中，所述結合層去除面通過去除所述結合層形成。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體發(fā)光器件，其中，

設置有至少兩個半導體堆，其稱為第一半導體堆和第二半導體堆，

針對各個半導體堆，所述支撐基板具有用于傳遞電子或空穴的第一電傳遞通道和用于傳遞空穴或電子的第二電傳遞通道，所述第一電傳遞通道從所述第二面持續(xù)到所述第一面，

所述結合層與所述第一電傳遞通道電連接，并且

所述半導體發(fā)光器件還包括：電連接件，該電連接件在所述第二面?zhèn)壬蠈⑺龅谝话雽w堆與所述第二半導體堆的所述第一電傳遞通道和所述第二電傳遞通道中的至少一方電連接。

3.根據(jù)權利要求2所述的半導體發(fā)光器件，其中，所述電連接件將所述第一半導體堆的所述第二電傳遞通道與所述第二半導體堆的所述第一電傳遞通道連接。

4.根據(jù)權利要求2所述的半導體發(fā)光器件，其中，所述第一半導體堆的所述第二電傳遞通道與所述第二半導體堆的所述第一電傳遞通道集成。

5.根據(jù)權利要求2所述的半導體發(fā)光器件，其中，所述電連接件由絕緣層覆蓋，并且在所述絕緣層上形成有后電極，該后電極與所述第一半導體堆和所述第二半導體堆中的至少一方電連接。

6.根據(jù)權利要求2所述的半導體發(fā)光器件，其中，所述第一半導體堆的所述第一電傳遞通道與所述第二半導體堆的所述第一電傳遞通道相連接，并且所述第一半導體堆的所述第二電傳遞通道與所述第二半導體堆的所述第二電傳遞通道相連接。

7.根據(jù)權利要求2所述的半導體發(fā)光器件，其中，所述第一半導體堆的所述第一電傳遞通道與所述第二半導體堆的所述第二電傳遞通道相連接，并且所述第一半導體堆的所述第二電傳遞通道與所述第二半導體堆的所述第一電傳遞通道相連接。

8.根據(jù)權利要求2所述的半導體發(fā)光器件，該半導體發(fā)光器件還包括：

附加電傳遞通道，該附加電傳遞通道將電子或空穴從所述第二電傳遞通道傳遞到所述多個半導體層。

9.根據(jù)權利要求2所述的半導體發(fā)光器件，其中，所述第二半導體層的所述結合層覆蓋所述第一半導體堆的所述第二電傳遞通道。

10.根據(jù)權利要求1所述的半導體發(fā)光器件，其中，所述第一半導體層、所述有源層和所述第二半導體層是III族氮化物半導體。

11.根據(jù)權利要求1所述的半導體發(fā)光器件，其中，所述支撐基板由半導體組成，并且具有從所述第二面持續(xù)到所述第一面的第一電傳遞通道、以及第二電傳遞通道，所述第一電傳遞通道向所述多個半導體層傳遞電子或空穴，并且所述第二電傳遞通道向所述多個半導體層傳遞空穴或電子，并且

所述半導體發(fā)光器件還包括：形成在所述支撐基板上的至少一個PN結二極管，所述至少一個PN結二極管通過所述第一電傳遞通道和所述第二電傳遞通道與所述多個半導體層電連接。