[發(fā)明專利]半導體發(fā)光器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380039741.4
• 申請日: 2013-07-26
• 公開（公告）號: CN104508841B
• 公開（公告）日: 2018-05-22
• 發(fā)明（設計）人: 安相貞
• 申請（專利權）人: 安相貞
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/38;H01L33/62
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;劉久亮

本公開涉及一種半導體發(fā)光器件，該半導體發(fā)光器件包括：支撐基板，該支撐基板具有第一側和與所述第一側相反的第二側；形成在所述第一側上的具有多個半導體層的至少一個半導體疊層；結合層，其用于將該多個半導體層中的第二半導體層結合到支撐基板的第一側；以及結合層去除面，其形成在該第一側上，并且朝向所述多個半導體層開口，并且被布置成向該多個半導體層提供電流。

技術領域

本公開(Disclosure)總體涉及半導體發(fā)光器件，更具體地，涉及具有在支撐基板上的結合層去除面和/或電傳遞通道的半導體發(fā)光器件。

在這里的背景下，術語“半導體發(fā)光器件”指一種通過電子-空穴復合而產(chǎn)生光的半導體光學器件，并且其典型示例是III族氮化物半導體發(fā)光器件。III族氮化物半導體由Al(x)Ca(y)In(1-x-y)N(0＝x＝1,0＝y(tǒng)＝1,0＝x+y＝1)組成。其另一個示例是用于發(fā)紅光的基于GaAs的半導體發(fā)光器件。

背景技術

該部分提供與不必是現(xiàn)有技術的本公開有關的背景信息。

圖1是例示現(xiàn)有技術中的半導體發(fā)光器件(橫向芯片(Lateral Chip))的一個示例的圖，其中，半導體發(fā)光器件包括基板100，并且緩沖層200、具有第一導電性的第一半導體層300、用于通過電子空穴復合產(chǎn)生光的有源層400、和具有與第一導電性不同的第二導電性的第二半導體層500，緩沖層200、第一半導體層300、有源層400和第二半導體層500按照上述順序沉積在基板100上，以及另外，用于電流散布的光透射導電膜600并且在光透射導電膜600上形成有充當焊盤的電極700，并且在第一半導體層300的蝕刻露出部上有形成充當焊盤的電極800。

圖2是例示現(xiàn)有技術中的半導體發(fā)光器件(倒裝芯片)的另一個示例的圖，其中，半導體發(fā)光器件包括基板100，并且具有第一導電性的第一半導體層300、用于通過電子空穴復合產(chǎn)生光的有源層400、和具有與第一導電性不同的第二導電性的第二半導體層500，第一半導體層300、有源層400和第二半導體層500按照上述順序沉積在基板100上，以及另外，在第二半導體層500上形成有用于朝向基板100反射光的三層電極膜，即，電極膜901、電極膜902和電極膜903，并且在第一半導體層300的蝕刻露出部上形成有充當焊盤的電極800。

圖3是例示現(xiàn)有技術中的半導體發(fā)光器件(垂直芯片)的又一個示例的圖，其中，半導體發(fā)光器件包括具有第一導電性的第一半導體層300、用于通過電子空穴復合產(chǎn)生光的有源層400、和第二半導體層500(該第二半導體層500具有與第一導電性不同的第二導電性，第一半導體層300、有源層400和第二半導體層500按照上述順序沉積)，并且另外，在第二半導體層500上形成有用于朝向第一半導體層300反射光的金屬反射膜910，并且在支撐基板930側上形成有電極940。金屬反射膜910和支撐基板930經(jīng)由晶片結合層920接合到一起。在第一半導體層300上形成有充當焊盤的電極800。

圖4和圖5例示現(xiàn)有技術中的半導體發(fā)光器件的進一步的示例。如圖4所例示，圖2所示的半導體發(fā)光器件(倒裝芯片)安裝在布線板(1000)上，然后，如圖5所示去除基板100，從而獲得半導體發(fā)光器件(垂直芯片；其這樣命名，以指示已經(jīng)去除了基板100)。具體地，該半導體發(fā)光器件可以通過對電極膜901、902和903和電極圖案1010進行對準，隨后對電極800與電極圖案1020進行對準而獲得。然后，該半導體發(fā)光器件使用凸塊、糊狀物或易熔金屬950和960安裝在布線板1000上，并且借助激光來去除基板100。

然而，因為上述處理需要以在芯片級別執(zhí)行，所以處理變長且變得復雜，并且電極膜901、902和903、電極800和電極圖案1010和1020的對準也帶來困難。除此之外，與以芯片級別進行磷光劑涂布關聯(lián)的成本增加造成另一問題。