[發(fā)明專利]用于輸送工藝氣體至基板的方法和設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380038184.4 | 申請日: | 2013-07-11 |
| 公開(公告)號: | CN104471678B | 公開(公告)日: | 2018-06-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 約瑟夫·M·拉內(nèi)什 | 申請(專利權(quán))人: | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/205 | 分類號: | H01L21/205 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氣體分配管道 基板 工藝氣體 處理表面 基板支座 方法和設(shè)備 處理基板 處理腔室 處理空間 基板移動 處理腔 致動器 分配 耦接 室內(nèi) 移動 | ||
本文中提供用于輸送工藝氣體至基板的方法和設(shè)備。在一些實(shí)施方式中,一種用于處理基板的設(shè)備可以包括位于處理腔室的處理空間中、基板支座上方的氣體分配管道,當(dāng)該基板位于該基板支座上時,該氣體分配管道分配工藝氣體至該基板的處理表面;和耦接至該氣體分配管道的致動器,以相對于該基板支座移動該氣體分配管道。在一些實(shí)施方式中,一種處理基板的方法可以包括通過氣體分配管道引導(dǎo)工藝氣體至處理腔室,該氣體分配管道位于基板上方,該基板具有處理表面;和在該處理腔室內(nèi)相對于該基板移動該氣體分配管道,以將該工藝氣體分配至該基板的整個處理表面。
本發(fā)明的實(shí)施方式一般涉及用于輸送工藝氣體至基板的方法和設(shè)備。
由于互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)元件的臨界尺寸持續(xù)縮小,需要將新穎的材料納入CMOS架構(gòu)中,以例如改良能量效率和/或速度。可被用于例如晶體管元件的溝道中的這種材料的示例性但非限制性族群為III-V族材料。不幸的是,目前的處理設(shè)備和方法無法產(chǎn)出具有適當(dāng)材料品質(zhì)的膜,該材料品質(zhì)例如低缺陷密度、組成控制、高純度、形態(tài)、晶片內(nèi)均勻度以及運(yùn)行再現(xiàn)性。
因此,本發(fā)明涉及提供用于輸送工藝氣體至基板的改良方法和設(shè)備。
本文中提供用于輸送工藝氣體至基板的方法及設(shè)備。在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中,一種用于處理基板的設(shè)備可以包括位于處理腔室和處理空間中、基板支座上方的氣體分配管道,當(dāng)該基板位于該基板支座上時,該氣體分配管道分配工藝氣體至該基板的處理表面;和耦接至該氣體分配管道的致動器,以相對于該基板支座移動該氣體分配管道。
在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中,一種用于處理基板的設(shè)備可以包括具有基板支座的處理腔室;當(dāng)基板位于該基板支座上時,提供熱能至該基板的加熱系統(tǒng);位于該基板支座的第一側(cè)的氣體入口,當(dāng)基板位于該基板支座上時,該氣體入口提供第一工藝氣體至該基板的整個處理表面;位于該處理腔室的處理空間中、在該基板上方的氣體分配管道,當(dāng)該基板位于該基板支座上時,該氣體分配管道分配第二工藝氣體至該基板的處理表面;耦接至該氣體分配管道的致動器,以相對于該基板支座移動該氣體分配管道;和排氣歧管,位于該基板支座相對于該氣體入口的第二側(cè),以從該處理腔室排出該工藝氣體。
在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中,一種處理基板的方法可以包括通過氣體分配管道引導(dǎo)工藝氣體至處理腔室,該氣體分配管道位于基板上方,該基板具有處理表面;和在該處理腔室內(nèi)相對于該基板移動該氣體分配管道,以將該工藝氣體分配至該基板的整個處理表面。
以下描述本發(fā)明的其他的和進(jìn)一步的實(shí)施方式。
可通過參照附圖中繪示的本發(fā)明的說明性實(shí)施方式來了解以上簡單概述的和以下更加詳細(xì)討論的本發(fā)明的實(shí)施方式。然而應(yīng)注意的是,附圖說明的只是本發(fā)明的典型實(shí)施方式,因而不應(yīng)將附圖視為是對本發(fā)明范圍作限制,因本發(fā)明可認(rèn)可其他同等有效的實(shí)施方式。
圖1繪示依據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的處理腔室的示意性側(cè)視圖。
圖2A-圖2B繪示依據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的一部分處理腔室的示意性側(cè)視圖。
圖3繪示依據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的處理腔室的部分示意性頂視圖。
圖4繪示依據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式用于在基板上沉積層的方法的流程圖。
為了便于了解,已經(jīng)在可能之處使用相同的標(biāo)號來表示附圖共有的相同元件。圖式并未依比例繪制,并且可以為了清晰而簡化附圖。構(gòu)思的是,可以受益地將一個實(shí)施方式的元件和特征并入其他實(shí)施方式中而不需進(jìn)一步描述。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





